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진동 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치(THIN FILM ACTIVATION METHOD, METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE USING VIBRATIONAL ENERGY)

  • 기술번호 : KST2016016619
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 진동 에너지를 이용하여 박막을 활성화하는 방법, 박막 트랜지스터를 제조하는 방법 그리고 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 활성화 방법은 박막에 진동 에너지를 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/449 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020150030152 (2015.03.04)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0108631 (2016.09.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.04)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
2 정태수 대한민국 서울특별시 서대문구
3 탁영준 대한민국 서울특별시 서대문구
4 윤두현 대한민국 서울특별시 서초구
5 이희수 대한민국 서울특별시 성북구
6 박정우 대한민국 서울특별시 서대문구
7 김원기 대한민국 경기도 고양시 일산동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0212463-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0078268-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0054055-02
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0269836-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0318997-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0319006-11
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0620260-21
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1018398-90
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1018399-35
11 등록결정서
Decision to grant		 2017.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0109812-61
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번호 청구항
1 1
박막에 매질을 통해 초음파를 인가하면서 상기 박막을 가열하여 상기 박막을 활성화시키는 단계를 포함하는 박막 활성화 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 박막은 산화물 박막을 포함하는 박막 활성화 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 산화물 박막은 금속 산화물 박막을 포함하는 박막 활성화 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물 박막은:단일성분계 금속 산화물; 및이성분계 금속 산화물 또는 삼성분계 금속 산화물을 포함하는 다성분계 금속 산화물;중 적어도 하나로 구성된 박막 활성화 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 박막은 진공 증착된 박막인 박막 활성화 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 진공 증착된 박막은 스퍼터링, 화학 기상 증착, 원자층 증착 및 증발 증착 중 적어도 하나를 이용하여 증착된 박막인 박막 활성화 방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 박막을 활성화시키는 단계는:상기 박막에 가청주파수보다 크고 40 KHz보다 작거나 같은 초음파를 인가하는 단계를 포함하는 박막 활성화 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 1 항에 있어서,상기 박막을 활성화하는 단계는:상기 박막을 매질 내에 위치시킨 뒤, 상기 매질을 통해 상기 초음파를 인가하면서 상기 매질을 가열하는 단계를 포함하는 박막 활성화 방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 매질은 대기 및 불활성 기체 중 적어도 하나를 포함하는 기체인 박막 활성화 방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 매질은 물, 증류수, 탈이온수, 에탄올 및 메탄올 중 적어도 하나를 포함하는 액체인 박막 활성화 방법
15 15
제 1 항에 있어서,상기 박막을 활성화시키는 단계는:상기 박막에 상기 초음파를 인가하면서 상기 박막을 상온보다 높고 300 ℃보다 낮은 온도로 가열하는 단계를 포함하는 박막 활성화 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 박막에 초음파를 인가하면서 박막을 상온보다 높고 300 ℃보다 낮은 온도로 가열하는 단계는:상기 박막에 상기 초음파를 인가하면서 상기 박막을 상온보다 높고 300 ℃보다 낮은 온도로 30 분 내지 2 시간 동안 가열하는 단계를 포함하는 박막 활성화 방법
17 17
기판 위에 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트 위에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 위에 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층에 매질을 통해 초음파를 인가하면서 상기 채널층을 가열하여 상기 채널층을 활성화시키는 단계; 및상기 채널층 위에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 채널층은 금속 산화물 박막을 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는:상기 게이트 절연층 위에 상기 금속 산화물 박막을 진공 증착하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 금속 산화물 박막을 진공 증착하는 단계는:상기 게이트 절연층 위에 상기 금속 산화물 박막을 스퍼터링으로 증착하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
21 21
삭제
22 22
삭제
23 23
삭제
24 24
제 17 항에 있어서,상기 채널층을 활성화시키는 단계는:상기 채널층에 상기 초음파를 인가하면서 상기 채널층을 상온보다 높고 300 ℃보다 낮은 온도로 30 분 내지 2 시간 동안 가열하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
25 25
기판에 형성된 박막을 활성화시키기 위해 상기 기판을 처리하는 장치에 있어서,상기 기판이 배치되는 지지부;상기 기판에 초음파를 인가하기 위해 상기 초음파를 발생시키는 초음파 발생부; 및상기 기판에 열 에너지를 공급하기 위해 발열하는 발열부를 포함하고, 상기 지지부는 상기 기판이 액체 상태의 매질에 담겨 배치되는 용기부를 포함하며,상기 초음파 발생부는 상기 매질을 통해 상기 기판에 상기 초음파를 제공하고,상기 발열부는 상기 매질을 가열하는 히터부를 포함하는 기판 처리 장치
26 26
삭제
27 27
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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