맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

금속 나노와이어 및 이의 제조 방법(METAL NANOWIRE AND PREPARING METHOD OF THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016016977
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노와이어 및 상기 금속 나노와이어의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL B22F 1/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) B22F 9/24 (2006.01)
CPC B22F 1/0062(2013.01) B22F 1/0062(2013.01) B22F 1/0062(2013.01) B22F 1/0062(2013.01)
출원번호/일자 1020150036820 (2015.03.17)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0111754 (2016.09.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.17)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 박진택 대한민국 경기도 평택시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0260489-43
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0256006-11
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0256002-28
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0010391-06
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0558971-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0949641-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0949640-37
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0881236-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
전이금속 전구체를 촉매의 존재 하에서 하기 화학식 1로서 표시되는 아민과 반응시켜 전이금속 표면에 산화 보호층이 코팅된 나노와이어를 성장시키는 것을 포함하며, 상기 촉매는 니켈(Ⅱ) 아세틸아세톤, 세틸트리암모늄 브로마이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 아민기를 포함하는 금속 나노와이어의 제조 방법:[화학식 1]상기 화학식 1 중,R1 내지 R3은 각각 독립적으로, H, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 알킬기, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 알케닐기, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 알키닐기임
4 4
제 3 항에 있어서,상기 전이금속 전구체는 Cu, Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 함유하는 화합물을 포함하는 것인, 아민기를 포함하는 금속 나노와이어의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 3 항에 있어서,상기 전이금속 전구체와 상기 아민을 반응시킨 후 열처리하는 것을 추가 포함하는, 아민기를 포함하는 금속 나노와이어의 제조 방법
7 7
제 3 항, 제 4 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 제조 방법으로 제조한 아민기를 포함하는 금속 나노와이어를 포함하는, 투명 전도성 필름
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.