| [KST2015141524][한양대학교] |
난수 발생기 및 이의 제조방법 |
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| [KST2017013384][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2017013386][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2015141751][한양대학교] |
스핀 전달 토크 자기터널접합 소자, 그 동작 방법 및 그를 채용하는 자기저항 메모리 소자 |
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| [KST2014041928][한양대학교] |
자성 메모리의 동작방법 |
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| [KST2016017116][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2016017207][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2017000085][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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| [KST2019018471][한양대학교] |
스커미온 기반 스핀 시냅스 소자 및 그 제조 방법 |
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| [KST2015142299][한양대학교] |
전류 조절이 가능한 자기 저항 메모리 장치 및 이의 구동 방법 |
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| [KST2016018223][한양대학교] |
단일 MTJ를 이용한 2-input 프로그래머블 논리 소자(2-input Programmable Logic Element using single MTJ) |
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| [KST2015142395][한양대학교] |
수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 자성소자 |
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| [KST2015142452][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 |
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| [KST2014042554][한양대학교] |
다치화 구조를 갖는 ＳＴＴ-ＭＲＡＭ 메모리 소자와 그 구동방법 |
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| [KST2016005935][한양대학교] |
TDDB를 방지하는 MTJ 셀 및 그 제작 방법(MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL FOR PREVENTING TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) |
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| [KST2015142596][한양대학교] |
강자성 다층박막 및 이를 포함하는 MTJ 구조 |
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| [KST2015142173][한양대학교] |
메모리 소자 |
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| [KST2017013380][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2015142164][한양대학교] |
메모리 소자 |
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| [KST2017000394][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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| [KST2016015296][한양대학교] |
개선된 터널 배리어 구조를 갖는 MTJ 셀 및 그 제작 방법(MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL HAVING IMPROVED TUNNEL BARRIER STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) |
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| [KST2016014188][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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| [KST2017013381][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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| [KST2015141132][한양대학교] |
이중 터널 접합 구조를 이용한 자기 메모리 소자 및 자기 메모리 소자의 정보 기록방법과 정보 판독방법 |
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| [KST2016005922][한양대학교] |
자기터널접합을 위한 구조 및 그를 포함하는 자기터널접합과 자기 메모리(STRUCTURE FOR MAGNETIC TUNNELING JUNCTION AND MAGNETIC TUNNELING JUNCTION AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING THEM) |
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| [KST2015142327][한양대학교] |
메모리 소자 |
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| [KST2017012349][한양대학교] |
STT-MRAM을 포함하는 메모리 시스템 및 그 구축 방법(Memory system comprsing STT-MRAM and method of building the same) |
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| [KST2016017208][한양대학교] |
스핀-오비트 토크를 이용한 자성소자(Magnetic device using spin-orbit torque) |
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| [KST2015142288][한양대학교] |
다치화 저항이 구현된 STT-MRAM 소자 |
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| [KST2015141961][한양대학교] |
메모리 소자 |
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