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메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015142327
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 하부 전극 및 시드층은 다결정의 도전 물질로 형성되며, 400℃ 이상의 열처리 온도에서도 자기 터널 접합의 수직 자기 이방성이 유지되는 메모리 소자를 제시한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/16 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140102419 (2014.08.08)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1549625-0000 (2015.08.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150904) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이두영 대한민국 서울특별시 성동구
3 이승은 대한민국 서울특별시 동작구
4 전민수 대한민국 경기 성남시 분당구
5 백종웅 대한민국 경기도 성남시 중원구
6 심태헌 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0752761-85
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0939142-18
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2014-0084418-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0876784-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0162449-51
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0242742-89
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0242743-24
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0338908-81
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0700845-04
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0700846-49
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0561637-88
14 등록결정서
Decision to grant		 2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0561638-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 자기 터널 접합은 제 1 자유층 및 제 2 자유층 사이에 분리층이 형성된 자유층과, 터널링 배리어 및 고정층을 포함하며,상기 분리층은 400℃ 이상의 온도에서 결정화되는 다결정의 도전 물질로 형성된 메모리 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 시드층과 상기 제 1 자유층 사이에 형성된 하부 배리어를 더 포함하는 메모리 소자
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 하부 배리어는 상기 터널링 배리어와 동일 물질로 형성된 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 분리층은 텅스텐으로 형성된 메모리 소자
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 분리층은 0
7 7
청구항 2에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자유층은 동일 두께 또는 다른 두께로 형성된 메모리 소자
8 8
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 하부 전극, 시드층 및 캐핑층의 적어도 어느 하나는 400℃ 이상의 온도에서 결정화되는 물질로 형성된 메모리 소자
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 하부 전극, 시드층 및 캐핑층의 적어도 어느 하나는 텅스텐으로 형성된 메모리 소자
10 10
청구항 1에 있어서, 상기 자기 터널 접합은 400℃ 이상의 열처리 후의 자화 변화의 스퀘어니스가 0
11 11
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 자기 터널 접합은 제 1 자유층 및 제 2 자유층 사이에 분리층이 형성된 자유층과, 터널링 배리어 및 고정층을 포함하며,상기 하부 전극, 시드층, 분리층 및 캐핑층의 적어도 어느 하나는 400℃ 이상의 온도에서 결정화되는 다결정의 도전 물질로 형성된 메모리 소자
12 12
삭제
13 13
청구항 11에 있어서, 상기 다결정의 도전 물질은 텅스텐을 포함하는 메모리 소자
14 14
기판 상에 하부 전극, 버퍼층, 시드층, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극을 적층 형성하고,상기 자기 터널 접합은 제 1 자유층, 분리층 및 제 2 자유층을 형성한 후 터널링 배리어 및 고정층을 형성하며, 상기 분리층은 다결정의 도전 물질로 형성하고,상기 상부 전극을 형성한 후 400℃ 내지 500℃의 열처리를 실시하는 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101537715 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101583783 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101661275 KR 대한민국 FAMILY
4 WO2015160092 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2015160092 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2015160093 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2015160093 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2015160094 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
9 WO2015160094 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
10 WO2016148391 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10516097 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2019172997 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2015160093 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2015160093 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.