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고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 및 이에 의한 마이크로구조체(Method for preparing polymer micro structure and the polymer micro structure thereby)
- 기술번호 : KST2016017180
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고분자 단량체 층에 산소 농도 구배를 형성시켜 시간 의존적으로 단량체를 중합하여 구조체를 성장시키는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법과 상기 제조 방법을 응용한 여러 가지 형태의 고분자 마이크로 구조체 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 동적 환경 제어를 통하여 높은 생산성 및 높은 재현성을 가지는 균일한 3D 마이크로 구조체의 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한 본 발명은 상기 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법을 이용하여 자기 반응형 고분자 마이크로 구조체, 고분자 구조체가 포함된 열-반응 하이드로겔 고분자 구조체, 고분자 중합체 필름 상에 형성된 콘 형태의 고분자 마이크로 구조체 배열의 제조 방법을 제공하는 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | C08F 2/44 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01) B33Y 80/00 (2015.01) C08J 3/28 (2006.01) C08F 2/50 (2006.01) B33Y 10/00 (2015.01) |
| CPC | C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) C08J 3/28(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020150038260 (2015.03.19) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2016-0113401 (2016.09.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.03.19) |
| 심사청구항수 | 35 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김신현 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 심태섭 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 3 | 양승만 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 4 | 김주현 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 남충우 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2015.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0270174-56 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2015.11.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2016.03.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2016-0082404-13 |
| 4 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2016.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0299459-10 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.07.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0501334-09 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2016.09.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0887841-30 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.10.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0987524-95 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.10.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0987507-18 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.02.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0146221-00 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0407979-31 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.04.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0407998-09 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2017.08.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0584416-57 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 고분자 단량체 층을 기판 상에 코팅하는 단계 및 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 를 포함하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법으로서, 상기 방법은 상기 단량체 층에 산소 농도 구배를 형성시켜 시간 의존적으로 단량체를 중합하여 구조체를 성장시키되, 상기 구조체는 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 Da 값이 0 초과 및 47 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 구조체의 성장은 산소 농도가 가장 낮은 영역에서 개시되는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 구조체의 성장 방향은 산소 농도가 낮은 영역에서 높은 영역으로 진행되는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 구조체의 성장 개시 시점이 Da 값에 비례하여 빨라지는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 산소 농도 구배는 포토마스크의 패턴 영역의 크기, 상기 단량체의 산소의 확산 계수, 상기 단량체에 최초 용해된 산소의 농도, 라디칼 생성의 양자 수율, 광개시제의 몰 흡광계수, 광개시제의 몰 농도, 자외선의 세기 및 산소공급원 유무 중 어느 하나 이상에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 방법은 상기 고분자 단량체층 상에 산소 차단막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 구조체는 상기 자외선 조사 영역의 중심에서 기둥이 먼저 형성된 후 시간 증가에 따라 상기 기둥에서부터 외곽으로 측면 성장하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 방법은 고분자 단량체 층 상에 산소 공급막을 추가로 형성시키는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서, 상기 구조체는 상기 자외선 조사 영역의 하단 중심에서부터 콘 형상으로 성장하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서, 자외선 조사 시간이 더 연장되면 상기 구조체는 콘 형상에서 기둥형상으로 더 성장하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 1항에 있어서, 상기 방법은 고분자 단량체 층 상에 상기 단량체 층의 산소를 제거할 수 있는 산소 제거막을 추가로 형성시키는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 12항에 있어서, 상기 구조체는 상단 중심에서부터 산소 제거막 부분 쪽이 더 넓은 역전된 콘 형상으로 성장하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 14 |
14 고분자 단량체 층을 포토마스크 상에 위치시키는 단계 및 상기 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 를 포함하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법으로서, 상기 방법은 상기 단량체 층에 산소 농도 구배를 형성시켜 시간 의존적으로 단량체를 중합하여 구조체를 성장시키는 산소 농도 구배 성장 단계와 산소 농도 구배 없이 상기 자외선 조사 시간에 따라 단량체를 중합하여 구조체를 성장시키는 자외선 시간 의존적 성장 단계를 순서와 관계없이 교대로 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 산소 농도 구배 성장 단계는 상기 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 상기 단량체의 Da 값이 0 초과 및 47 |
| 16 |
16 제 14항에 있어서, 상기 산소 농도 구배 성장 단계는 상기 고분자 단량체 층 상부에 형성된 산소 차단막, 산소 공급막 또는 산소 제거막에 따라 구조체의 성장 형상이 달라지는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 14항에 있어서, 상기 자외선 시간 의존적 성장 단계는 하기 수학식 1로 표시되는 상기 단량체의 Da 값이 47 |
| 18 |
18 제 14항에 있어서, 상기 자외선 시간 의존적 성장 단계는 상기 구조체를 동일한 폭을 유지한 채로 상기 자외선 조사 방향으로 조사 시간에 비례하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 16항에 있어서, 상기 방법은 상기 고분자 단량체 층 상에 산소차단막을 형성시켜 상기 자외선 조사 영역의 중심에서 기둥이 먼저 형성된 후 시간 증가에 따라 상기 기둥에서부터 외곽으로 측면 성장하는 형상, 상기 고분자 단량체 층 상에 산소공급막을 형성시켜 상기 자외선 조사 영역의 하단 중심에서부터 콘 형상으로 성장하는 형상, 상기 고분자 단량체 층 상에 산소공급막을 형성시켜 상기 자외선 조사 영역의 하단 중심에서부터 콘 형상으로 성장한 후, 자외선 조사시간이 더 연장됨에 따라 콘 형상에서 기둥형상으로 더 성장하는 형상, 및 상기 고분자 단량체 층 상에 상기 단량체 층의 산소를 제거할 수 있는 산소 제거막을 형성시켜 상단 중심에서부터 산소 제거막 부분 쪽이 더 넓은 역전된 콘 형상으로 성장하는 형상을 포함하는 4가지의 서로 다른 성장 형상 형성 단계를 수회 이상 조합할 수 있는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서, 상기 방법은 상기 4가지의 서로 다른 성장 형상 형성 단계가, 고분자 단량체 층을 포토마스크 상에 위치시키는 단계 및 상기 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 고분자 단량체 층에 조사하는 단계를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 21 |
21 광개시제와 고분자 단량체를 기판 상에 코팅하는 단계 ; 상기 고분자 단량체 층 상에 산소 공급막 또는 산소 차단막을 위치시키는 단계 ; 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 및 세척(washing)하는 단계를 포함하되, 상기 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 상기 단량체의 Da 값이 0 초과 및 47 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 포토마스크는 상기 기판에 소정 형상의 패턴 영역을 제외하고 광 불투과 물질로 코팅된 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 23 |
23 제 21 항에 있어서, 상기 산소공급막은 산소를 함유하는 고분자 막인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 24 |
24 제 21항에 있어서, 상기 고분자 단량체층 상에 산소 공급막이 형성된 경우, 상기 구조체는 상기 자외선 조사 영역의 하단 중심에서부터 콘 형상으로 성장하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 25 |
25 제 21항에 있어서, 상기 고분자 단량체층 상에 산소 차단막이 형성된 경우, 상기 구조체는 상기 자외선 조사 영역의 중심에서 기둥이 먼저 형성된 후 시간 증가에 따라 상기 기둥에서부터 외곽으로 측면 성장하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 26 |
26 제 24항에 있어서, 자외선 조사 시간이 더 연장되면 상기 구조체는 콘 형상에서 기둥형상으로 더 성장하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 27 |
27 제 21항에 있어서, 상기 코팅단계는 광개시제, 고분자 단량체 및 자성 미세입자를 기판 상에 코팅하는 단계이고, 상기 방법은 상기 산소 공급막 상에 자기장 발생체를 위치시킨 후 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 28 |
28 광개시제와 제 1 고분자 단량체를 기판 상에 코팅하는 단계 ; 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 제 1 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 및 세척하여 기판 상에 제 1 패턴 구조를 형성하는 단계 ; 상기 기판과 제 1 패턴 구조 상에 광개시제와 제 2 고분자 단량체를 코팅하는 단계 ; 상기 제 2 고분자 단량체층 상에 산소 공급막 또는 산소 차단막을 위치시키는 단계 ; 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 제 2 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 및 세척하여 상기 제 1 패턴 구조 상에 제 2 패턴 구조를 형성시키는 단계를 포함하되, 상기 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 상기 제 1 고분자 단량체의 Da 값이 47 |
| 29 |
29 제 28항에 있어서, 상기 제 1 고분자 단량체와 제 2 고분자 단량체 중 어느 하나가 친수성이면 다른 어느 하나는 소수성인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 30 |
30 제 28항에 있어서, 상기 제 1 패턴 구조는 상기 포토마스크와 동일한 하단형상으로 상기 자외선 조사 방향으로 조사 시간에 비례하여 성장한 기둥 형상으로 성장한 구조체인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 31 |
31 제 28항에 있어서, 상기 제 2 고분자 단량체층 상에 산소 공급막이 형성된 경우, 상기 제 2 패턴 구조는 상기 자외선 조사 영역의 하단 중심에서부터 콘 형상으로 성장한 구조체인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 32 |
32 제 28항에 있어서, 상기 제 2 고분자 단량체층 상에 산소 차단막이 형성된 경우, 상기 제 2 패턴 구조는 상기 자외선 조사 영역의 중심에서 기둥이 먼저 형성된 후 시간 증가에 따라 상기 기둥에서부터 외곽으로 측면 성장한 구조체인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 33 |
33 광개시제 및 제 1 고분자 단량체를 기판 상에 코팅하는 단계 ; 자외선을 소정 시간 동안 상기 고분자 단량체 층에 조사하여 제 1 고분자 막을 형성하는 단계 ; 상기 제 1 고분자막 상에 광개시제 및 제 2 고분자 단량체를 코팅하는 단계 ; 상기 제 2 고분자 단량체 층 상에 산소 공급막 또는 산소 차단막을 위치시키는 단계 ; 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 제 2 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 및 세척하여 상기 제 1 고분자막 상에 제 1 패턴 구조를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 상기 제 2 단량체의 Da 값이 0 초과 및 47 |
| 34 |
34 제 33항에 있어서, 상기 방법은 제 1 고분자막과 제 1 패턴 구조 상에 광개시제와 제 3 고분자 단량체를 기판 상에 코팅하는 단계 ; 상기 제 3 고분자 단량체 층 상에 산소 공급막 또는 산소 차단막을 위치시키는 단계 ; 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 제 3 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 및 세척하여 상기 제 1 패턴 구조 상에 제 2 패턴 구조를 형성하는 단계를 추가로 포함하되, 상기 자외선 조사 영역에서 싱기 수학식 1로 표시되는 상기 제 3 고분자 단량체의 Da 값이 0 초과 및 47 |
| 35 |
35 제 33항에 있어서, 상기 제 2 고분자 단량체와 제 3 고분자 단량체 는 서로 같거나 다른 종류의 고분자 단량체인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조 방법 |
| 36 |
36 광개시제와 제 1 고분자 단량체를 기판 상에 코팅하는 단계 ; 상기 제 1 고분자 단량체 층 상에 산소 공급막을 위치시키는 단계 ; 포토마스크를 통해 자외선을 소정 시간 동안 상기 제 1 고분자 단량체 층에 조사하는 단계 ; 및 세척하여 제 1 패턴 구조를 형성하는 단계 ; 상기 기판과 제 1 패턴 구조 상에 광개시제와 제 2 고분자 단량체를 코팅하는 단계 ; 자외선을 소정 시간 동안 상기 제 2 고분자 단량체 층에 조사하여 제 1 고분자 막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 상기 제 1 고분자 단량체의 Da 값이 0 초과 및 47 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 한국과학기술원 | 중견연구자지원 | 미세유체시스템 기반 부유형 비색계 마이크로센서 개발 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2015.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0270174-56 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2015.11.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2016.03.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2016-0082404-13 |
| 4 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2016.03.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0299459-10 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2016.07.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0501334-09 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2016.09.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0887841-30 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.10.12 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0987524-95 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.10.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0987507-18 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2017.02.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0146221-00 |
| 10 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.04.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0407979-31 |
| 11 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.04.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0407998-09 |
| 12 | 등록결정서 | 2017.08.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0584416-57 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
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