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반도체 소자 및 이의 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016017909
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고주파 특성에 악영향을 주는 게이트-드레인 캐패시턴스의 증가를 최대한 억제하면서 항복전압을 향상시키고, 소자의 고주파 특성 열화를 최소화한 반도체 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 이를 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자는 기판, 상기 기판의 상부에 형성되는 소스 전극, 기판의 상부에, 소스 전극에 이격하여 형성되는 드레인 전극, 기판, 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에, 소스 전극 및 드레인 전극의 상부의 적어도 일부가 노출되도록 형성되며, 소정 부분에 있어서 제1 지점의 수직두께가 제2 지점의 수직두께와 상이하게 형성되는 유전막, 및 일측이 기판에 접촉하며, 타측이 유전막의 소정 부분의 상부로 연장되어 형성되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/417 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020150047093 (2015.04.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0119330 (2016.10.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규준 대한민국 대전광역시 유성구
2 안호균 대한민국 대전광역시 유성구
3 강동민 대한민국 대전광역시 유성구
4 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
5 임종원 대한민국 대전광역시 서구
6 권용환 대한민국 대전광역시 유성구
7 김성일 대한민국 대전광역시 유성구
8 남은수 대한민국 대전광역시 서구
9 민병규 대한민국 세종특별자치시 누리로
10 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0326545-38
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1030830-06
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-1129696-75
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1129695-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0718265-07
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상부에 형성되는 소스 전극; 상기 기판의 상부에, 상기 소스 전극에 이격하여 형성되는 드레인 전극; 상기 기판, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상부에, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상부의 적어도 일부가 노출되도록 형성되며, 소정 부분에 있어서 제1 지점의 수직두께가 제2 지점의 수직두께와 상이하게 형성되는 유전막; 및 일측이 상기 기판에 접촉하며, 타측이 상기 유전막의 소정 부분의 상부로 연장되어 형성되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 한국전자통신연구원연구운영비지원 수요자중심 화합물반도체 부품 산업기반 강화사업