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단일의 자기터널접합구조;상기 자기터널접합구조에 전기적으로 연결되어 상기 자기터널접합구조에 전압을 인가하는 제1 입력요소; 및상기 자기터널접합구조와 전기적으로 분리 배치되어 상기 자기터널접합구조에 소정의 자기장을 인가하는 제2 입력요소를 포함하고,상기 자기터널접합구조는 고정층 상에 터널링 배리어층 및 자유층이 차례로 적층된 구조이고,상기 제2 입력요소는 상기 자유층의 스위칭 자기장 이력곡선의 오프셋에 대한 중앙값(H0)을 기준으로 상기 중앙값(H0)보다 작은 제1 자기장값(H1) 및 상기 중앙값(H0)보다 큰 제2 자기장값(H2)을 입력값으로 설정되고,상기 제1 입력요소는 상기 제2 입력요소에서 자기장이 인가된 경우, 상기 자유층의 자화반전에 필요한 임계전류를 유도하는 유도전압들을 기준으로 구분된 복수개의 동작전압영역들 중 두 영역의 전압값을 입력값으로 설정되고,제1 입력요소의 입력값 및 제2 입력요소의 입력값의 조합에 따라 4개의 자유층과 고정층의 자화방향 상태들을 갖는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 자기장값(H1) 및 제2 자기장값(H2)은 상기 자유층의 스위칭 자기장 이력곡선의 오프셋 영역 내의 값인 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자
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제1항에 있어서,상기 유도전압들은 상기 제1 자기장값(H1)을 인가시 상기 자유층의 자화반전에 필요한 임계전류를 유도하는 양의 제1 기준전압값(Vs1+) 및 음의 제2 기준전압값(Vs1-)과 상기 제2 자기장값(H2)을 인가시 상기 자유층의 자화반전에 필요한 임계전류를 유도하는 양의 제3 기준전압값(Vs2+) 및 음의 제4 기준전압값(Vs2-)을 포함하는 프로그래머블 논리 소자
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제3항에 있어서,상기 제1 입력요소는 0 V 보다 크고 양의 제1 기준전압값(Vs1+)보다 작은 제1 동작전압영역의 전압값 및 제1 기준전압값(Vs1+)보다 크고 양의 제3 기준전압값(Vs2+)보다 작은 제2 동작전압영역의 전압값을 입력값으로 설정된 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자
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제4항에 있어서,상기 논리 소자는 NAND 소자인 프로그래머블 논리 소자
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제3항에 있어서,상기 제1 입력요소는 양의 제1 기준전압값(Vs1+)보다 크고 양의 제3 기준전압값(Vs2+)보다 작은 제2 동작전압영역의 전압값 및 제2 기준전압값(Vs2+)보다 큰 제3 동작전압영역의 전압값을 입력값으로 설정된 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자
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제6항에 있어서,상기 논리 소자는 NOR 소자인 프로그래머블 논리 소자
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제3항에 있어서,상기 제1 입력요소는 음의 제4 기준전압값(Vs2-)보다 크고 0 V 보다 작은 제4 동작전압영역의 전압값 및 음의 제3 기준전압값(Vs1-)보다 크고 음의 제4 기준전압값(Vs2-)보다 작은 제5 동작전압영역의 전압값을 입력값으로 설정된 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자
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제8항에 있어서,상기 논리 소자는 NIMP 소자인 프로그래머블 논리 소자
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제3항에 있어서,상기 제1 입력요소는 음의 제3 기준전압값(Vs1-)보다 크고 음의 제4 기준전압값(Vs2-)보다 작은 제5 동작전압영역의 전압값 및 음의 제3 기준전압값(Vs1-)보다 작은 제6 동작전압영역의 전압값을 입력값으로 설정된 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자
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제10항에 있어서,상기 논리 소자는 IMP 소자인 프로그래머블 논리 소자
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제1항에 있어서,상기 자유층의 두께는 1
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단일의 자기터널접합구조에 전기적으로 연결된 제1 입력요소로부터 상기 자기터널접합구조에 전압을 인가하는 단계;상기 자기터널접합구조와 전기적으로 분리 배치된 제2 입력요소로부터 상기 자기터널접합구조에 자기장을 인가하는 단계; 및상기 자기터널접합구조의 저항상태값에 따라 논리 "0" 또는 논리 "1" 출력신호를 출력하는 단계를 포함하고,상기 자기터널접합구조는 고정층 상에 터널링 배리어층 및 자유층이 차례로 적층된 구조이고,상기 제2 입력요소는 상기 자유층의 스위칭 자기장 이력곡선의 오프셋에 대한 중앙값(H0)을 기준으로 상기 중앙값(H0)보다 작은 제1 자기장값(H1) 및 상기 중앙값(H0)보다 큰 제2 자기장값(H2)을 입력값으로 설정되고,상기 제1 입력요소는 상기 제2 입력요소에서 자기장이 인가된 경우, 상기 자유층의 자화반전에 필요한 임계전류를 유도하는 유도전압들을 기준으로 구분된 복수개의 동작전압영역들 중 두 영역의 전압값을 입력값으로 설정되고,제1 입력요소의 입력값 및 제2 입력요소의 입력값의 조합에 따라 4개의 자유층과 고정층의 자화방향 상태들을 갖는 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자 구동방법
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제13항에 있어서,상기 논리 "0" 출력신호는 상기 자유층과 상기 고정층의 자화방향이 평행 상태이고, 상기 논리 "1" 출력신호는 상기 자유층과 상기 고정층의 자화방향이 반평행 상태인 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자 구동방법
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제13항에 있어서,상기 제1 자기장값(H1) 및 제2 자기장값(H2)은 상기 자유층의 스위칭 자기장 이력곡선의 오프셋 영역 내의 값인 것을 특징으로 하는 프로그래머블 논리 소자 구동방법
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제13항에 있어서,상기 유도전압들은 상기 제1 자기장값(H1)을 인가시 상기 자유층의 자화반전에 필요한 임계전류를 유도하는 양의 제1 기준전압값(Vs1+) 및 음의 제2 기준전압값(Vs1-)과 상기 제2 자기장값(H2)을 인가시 상기 자유층의 자화반전에 필요한 임계전류를 유도하는 양의 제3 기준전압값(Vs2+) 및 음의 제4 기준전압값(Vs2-)을 포함하는 프로그래머블 논리 소자 구동방법
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제13항에 있어서,상기 자유층의 두께는 1
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제13항에 있어서,상기 동작전압영역들의 선택에 따라 NAND, NOR, NIMP 또는 IMP 함수로 구동되는 프로그래머블 논리 소자 구동방법
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