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반도체 구조 및 이의 제조 방법(SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016018696
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 구조 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 구조 제조 방법은 금속 촉매 화학 식각(metal-assisted chemical etching)에 의해 기판상에 돌출 구조를 형성하는 방법으로서, 기판상에 돌출 구조의 역패턴을 갖는 금속 촉매층을 소정의 두께로 형성하는 단계; 금속 촉매층에 제1 식각 용액을 반응시켜 금속 촉매층이 형성된 식각 영역을 식각함으로써 기판상에 돌출 구조를 형성하는 단계; 및 기판상에 제2 식각 용액을 반응시켜 기판상에 형성된 위스커(whisker)를 제거하는 단계를 포함한다. 돌출 구조는 핀(fin) 구조 또는 나노와이어(nanowire) 구조를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/41 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020150056086 (2015.04.21)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1680070-0000 (2016.11.22)
공개번호/일자 10-2016-0125588 (2016.11.01)
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수 0
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행정처리가 정보가 없습니다
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.