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(a) 갈륨(Ga), 인듐(In), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 소스와, 염화구리(CuCl), 및 기판을 로내에 위치시키는 단계;
(b) 600 내지 1000℃ 범위의 온도로 가열하는 단계;
를 포함하며, 상기 (b) 단계 또는 상기 (a), (b) 단계는 암모니아(NH3) 분위기로 유지되고,
상기 가열하는 단계에서는 상기 금속소스와 염화구리의 반응에 의하여 생성된 염화금속가스가 암모니아(NH3)가스와 반응한 결과, 구리가 도핑된 질화갈륨, 질화인듐 또는 질화알루미늄이 상기 기판에서 성장되도록 하는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 희박 자성 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 금속 소스와 염화구리 및 기판은 염화구리-금속소스-기판의 순서대로 위치되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 희박 자성 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 금속소스가 위치한 영역은 600 내지 1000℃의 온도로 가열되며, 상기 기판이 위치한 영역의 온도는 상기 금속소스가 위치한 영역의 온도에 비하여 50 내지 200℃ 낮은 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 희박 자성 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 암모니아(NH3) 기체는 1 내지 100 sccm으로 주입되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 희박 자성 반도체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 로내의 온도는 5분 내지 120분의 범위내에서 유지되는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 희박 자성 반도체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 도핑된 구리는 구리가 도핑된 질화갈륨 전체 중량대비 0
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제 1 항에 있어서,
상기 구리가 도핑된 질화갈륨은 나노선의 형태로서, 직경 40 내지 100nm, 길이가 0
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제 1 항에 있어서,
상기 기판은, 규소(Si), 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 또는 비소화갈륨(GaAs)인 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 희박 자성 반도체의 제조방법
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(a) 갈륨(Ga), 인듐(In), 알루미늄(Al) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 소스와, 구리(Cu), 및 기판을 로내에 위치시키는 단계;
(b) 600 내지 1000℃ 범위의 온도로 가열하는 단계;
를 포함하며, 상기 (b) 단계 또는 상기 (a), (b) 단계는 암모니아(NH3) 및 염화수소(HCl)의 분위기로 유지되고,
상기 가열하는 단계에서는 상기 금속소스, 구리, 염화수소가 반응하여 염화금속가스가 생성되고, 상기 염화금속가스가 상기 암모니아(NH3)가스와 반응한 결과, 구리가 도핑된 질화갈륨, 질화인듐 또는 질화알루미늄이 상기 기판에서 성장되도록 하는 것을 특징으로 하는 구리가 도핑된 희박 자성 반도체의 제조방법
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