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서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 유기층을 포함하고,상기 유기층은 적어도 1종의 호스트, 그리고하기 화학식 1로 표현되는 도펀트를 포함하고,상기 도펀트는 상기 호스트와 상기 도펀트의 총 함량에 대하여 0
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제1항에서,적어도 하나의 질소를 가지는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리기는 치환 또는 비치환된 트리아지닐기; 치환 또는 비치환된 피리미디닐기; 치환 또는 비치환된 피리디닐기; 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기; 또는 이들의 조합에서 선택되는 유기광전자 소자
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제2항에서,적어도 하나의 질소를 가지는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리기는 C6 내지 C30 아릴기 또는 C3 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 트리아지닐기; C6 내지 C30 아릴기 또는 C3 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 피리미디닐기; C6 내지 C30 아릴기 또는 C3 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 피리디닐기; C6 내지 C30 아릴기 또는 C3 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 퀴나졸리닐기; C6 내지 C30 아릴기 또는 C3 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 퀴녹살리닐기; 또는 이들의 조합에서 선택되는 유기광전자 소자
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제1항에서,상기 도펀트는 적어도 하나의 질소를 가지는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리기는 하기 화학식 A로 표현되는 기인 유기광전자 소자:[화학식 A]상기 화학식 A에서,Q는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRi이고,Q 중 적어도 하나는 N이고,R5 내지 R8 및 Ri는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,R5 및 R6은 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고,R7 및 R8은 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 고리를 형성하고,n1 및 n2는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,*는 화학식 1의 L1 또는 L2와의 연결 지점이다
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제1항에서,상기 도펀트는 하기 화학식 1-I로 표현되는 유기광전자 소자:[화학식 1-I] 상기 화학식 1-I에서,W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기; 적어도 하나의 질소를 가지는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리기; 또는 이들의 조합이고,X1 내지 X16은 각각 독립적으로 N, C 또는 CRa이고,Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 N이고,M1 및 M2는 각각 독립적으로 단일결합, O 또는 S이고,Ra는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기이고,R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 니트로기; 할로겐; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기; 적어도 하나의 질소를 가지는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리기; 또는 하기 화학식 B로 표현되는 기이고,[화학식 B]상기 화학식 B에서,X17 내지 X24는 각각 독립적으로 N 또는 CRj이고,L3은 N, B, C 또는 CRk이고,M3은 단일결합, CRmRn, NRq, O 또는 S이고,Rj는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기이고,Rk, Rm, Rn 및 Rq는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,*는 화학식 1-I과의 연결 지점이다
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제5항에서,R1은 수소이거나 W1과 동일하고 R3는 수소이거나 W2와 동일한 유기광전자 소자
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제6항에서,R2는 수소이거나 상기 화학식 B로 표현되는 기이고,R4는 수소이거나 상기 화학식 B로 표현되는 기인유기광전자 소자
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제5항에서,상기 화학식 B는 하기 화학식 B-1 내지 B-6 중 어느 하나인 유기광전자 소자:[화학식 B-1] [화학식 B-2] [화학식 B-3] [화학식 B-4] [화학식 B-5] [화학식 B-6] 상기 화학식 B-1 내지 B-6에서,X17 내지 X24는 각각 독립적으로 N 또는 CRj이고,Rj는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기이고,*는 화학식 1-I과의 연결 지점이다
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9
제 1항에서, 상기 화학식 1로 표현되는 도펀트는 하기 화학식 2, 4 및 5 중 어느 하나로 표현되는 유기광전자 소자:[화학식 2] [화학식 4] [화학식 5] 상기 화학식 2, 4 및 5에서,W1 및 W2는 각각 독립적으로 시아노기; 니트로기; 할로겐; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C1 내지 C10 알킬기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C6 내지 C30 아릴기; 시아노기, 니트로기 또는 할로겐으로 치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기; 적어도 하나의 질소를 가지는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리기; 또는 이들의 조합이고,L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 피리디닐기이고,X1 내지 X16은 각각 독립적으로 N, C 또는 CRa이고,Ra는 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기이다
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제1항에서,상기 도펀트는 0
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제1항에서,상기 도펀트는 하기 그룹 1에 나열된 화합물 중 하나인 유기광전자소자:[그룹 1]
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제1항에서,상기 호스트는 상기 도펀트보다 에너지 밴드갭이 큰 화합물에서 선택되는 유기광전자소자
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14
삭제
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제1항 내지 제11항 및 제13항 중 어느 한 항에 따른 유기광전자소자를 포함하는 표시 장치
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