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기판; 상기 기판 상부에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상부에 형성되고, 비휘발성 저항 스위칭 특성을 나타내는 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층; 및상기 유무기 박막층 상부에 형성된 상부 전극;을 포함하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 하부 전극은 Pt, Au, Ir 및 W로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층은 유기물에 무기물 금속분자가 결합된 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제3항에 있어서,상기 유기물은 C1~C20의 유기화합물 또는 아민기가 치환된 유기화합물인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제3항에 있어서상기 무기물 중 금속 분자는 Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, In, Tl, Ge, Cd, Hf, Sn, Pb 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종과 F, Cl, Br, I, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이 결합된 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층은 질소 원자가 결합된 헤테로고리화합물을 포함하는 알칼리 금속에 Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, In, Tl, Ge, Cd, Hf, Sn, Pb 및 Bi로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종과 F, Cl, Br, I, S 및 Se로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이 결합된 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제6항에 있어서,상기 질소 원자가 포함된 헤테로고리화합물은 아지린(azirine), 아지리딘(aziridine), 디아지린(diazirine), 옥사지리딘(oxaziridine), 아제테(azete), 아제티딘(azetidine), 디아제티딘(diazetidine), 피롤(pyrrole), 피롤리딘(pyrrolidine), 이미다졸(imidazole), 이미다졸리딘(imidazolidine), 옥사졸(oxazole), 옥사졸리딘(oxazolidine), 티아졸(thiazole), 티아졸리딘(thiazolidine), 트리아졸(triazole), 옥사디아졸(oxadiazole), 티아디아졸(thiadiazole), 디티아졸(dithiazole), 테트라졸(tetrazole), 피리딘(pyridine), 피페리딘(piperidine), 디아진(diazine), 피페라진(piperazine), 옥사진(oxazine), 모르폴린(morpholine), 티아진(thiazine), 티오모르필린(thiomorpholine), 트리아진(triazine), 테트라진(tetrazine), 아테핀(azepine), 아제판(azepane), 디아제핀(diazepine), 호모피페라진(homopiperazine), 티아제핀(thiazepine), 아조신(azocine), 아조칸(azocane) 및 티오펜(thiophene)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층의 두께는 100 nm ~ 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 상부 전극은 Ag, Cu 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자
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기판 상부에 전자빔 또는 스퍼터링 증착을 이용하여 하부 전극을 형성시키는 단계;상기 하부 전극 상부에 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층을 형성하는 단계;상기 유무기 박막층의 표면을 고르게 형성시키기 위해 톨루엔을 상기 유무기 박막층에 적하하는 단계;열처리하는 단계; 및상기 유무기 박막층 상부에 전자빔 또는 스퍼터링 증착으로 상부 전극을 형성시키는 단계;를 포함하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 페로브스카이트 구조를 갖는 유무기 박막층은 캐스팅(casting), 스핀코팅(spin coating), 닥터 블레이딩(doctor blading), 프린팅(printing), 졸겔(sol-gel) 공정 및 동시진공증발법(co-evaporation)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 열처리는 40 ~ 250 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자의 제조방법
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