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생흡수성 및 생분해성 물질로 제조되는 비휘발성 저항 기억 소자(Bioresorbable and Biodegradable non-volatile resistive memory device)

  • 기술번호 : KST2016016184
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 생체적합성(biocompatible)이면서 생분해성(biodegradable)인 물질로 제조되고 생흡수성(bioresorbable)인 비휘발성 저항 기억 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 생흡수성 물질로 가수분해될 수 있는 생체적합성 전극들과, 상기 전극 층들 사이에 위치하는 생흡수성 물질로 가수분해될 수 있는 저항 층을 포함하는, 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자 및 이의 제조 방법에 대한 것이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 27/24 (2006.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01) H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020150028485 (2015.02.27)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0105160 (2016.09.06) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대형 대한민국 서울특별시 강남구
2 현택환 대한민국 서울특별시 강남구
3 최승홍 대한민국 서울특별시 강남구
4 손동희 대한민국 인천광역시 남동구
5 이종하 대한민국 서울특별시 동작구
6 이동준 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0199973-19
2 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2015.03.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0213916-57
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0050307-21
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0346712-25
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0068909-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
8 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2015.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0650673-30
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.10.13 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0985470-36
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0985489-03
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.10.13 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0987503-02
12 보정요구서
Request for Amendment
2015.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0161321-31
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0165962-70
14 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0173511-35
15 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-1153207-32
16 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-1149042-56
17 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0189589-04
18 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2016.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0017352-09
19 보정요구서
Request for Amendment
2016.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0003888-79
20 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0134911-88
21 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
22 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0006273-92
23 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0024458-85
24 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0237490-29
25 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0237896-52
26 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0237504-81
27 등록결정서
Decision to grant
2017.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0282460-51
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
32 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
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생흡수성 물질로 체내에서 흡수될 수 있는 생체적합성 전극 층들과, 상기 전극 층들 사이에 위치하는 생흡수성 물질로 체내에서 흡수될 수 있는 저항 층을 포함하는 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자가 장착된 스텐트
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(i) 생체내 이식가능한 의료 장치의 표면 위에 부착층을 형성하는 단계;(ii) 상기 부착층 위에 생흡수성 하부 전극 층을 형성하는 단계;(iii) 상기 생흡수성 하부 전극 층 위에 저항 층을 형성하는 단계;(iv) 상기 저항 층 위에 생흡수성 상부 전극 층을 형성하는 단계; 및(v) 상기 생흡수성 상부 전극 층 위에 봉지층을 형성하는 단계를 포함하는, 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자가 장착된 생체내 이식가능한 의료 장치 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 생체내 이식가능한 의료 장치가 스텐트인 것임을 특징으로 하는 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자가 장착된 생체내 이식가능한 의료 장치 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 부착층이 산화마그네슘 또는 산화아연인 것임을 특징으로 하는 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자가 장착된 생체내 이식가능한 의료 장치 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 상부 전극 층 및 하부 전극 층이 마그네슘 또는 아연으로 이루어진 것임을 특징으로 하는 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자가 장착된 생체내 이식가능한 의료 장치 제조 방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 저항 층이 산화마그네슘, 산화아연 및 산화몰리브데늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자가 장착된 생체내 이식가능한 의료 장치 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 봉지층이 산화마그네슘 또는 산화아연인 것임을 특징으로 하는 생흡수성 비휘발성 저항 기억 소자가 장착된 생체내 이식가능한 의료 장치 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.