| [KST2016009033][서울대학교] |
나노 팁 구조를 갖는 저항성 메모리 소자 및 이를 이용한 메모리 어레이와 그 제조방법(RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING NANO-SCALE TIP, MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF) |
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| [KST2015159288][서울대학교] |
상변화 메모리 셀 및 그의 제조 방법 |
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| [KST2015159625][서울대학교] |
함몰된 채널에 분리 게이트를 갖는 플래시 메모리 소자와이를 이용한 플래시 메모리 어레이 및 그 제조방법 |
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| [KST2015159989][서울대학교] |
저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드 및 이를이용한 저항변화기록소자와 저항변화 랜덤 액세스 메모리 |
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| [KST2015159788][서울대학교] |
차단 게이트 라인을 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이와 그동작 및 제조방법 |
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| [KST2015137540][서울대학교] |
비휘발성 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
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| [KST2017007743][서울대학교] |
3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 및 이의 프로그래밍 방법(Method of initializing and programing 3 dimensional non-volatile memory device) |
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| [KST2015135007][서울대학교] |
워드라인 더블 패터닝 공정방법 및 이에 의하여 구현된 낸드 플래시 메모리 어레이 |
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| [KST2015160753][서울대학교] |
복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀의 구조 및 그 제조방법과 동작방법 |
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| [KST2015159156][서울대학교] |
상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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| [KST2015159958][서울대학교] |
수직채널에 더블 스플릿 게이트를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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| [KST2015159071][서울대학교] |
복수개의 도핑층을 갖는 전하트랩 메모리 셀을 이용한 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그 동작방법 |
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| [KST2015135300][서울대학교] |
칼코제나이드계 박막 증착방법 |
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| [KST2016019606][서울대학교] |
비휘발성 저항 스위칭 특성을 갖는 메모리 소자 및 이의 제조방법(Memory device having non-volatile resistive switching characteristics and manufacturing method thereof) |
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| [KST2015160002][서울대학교] |
수직 적층구조를 갖는 앤드형 플래시 메모리 어레이와 그제작방법 및 동작방법 |
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| [KST2015136740][서울대학교] |
비트라인의 커패시턴스 차이를 줄이기 위한 3차원 채널 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이 |
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| [KST2015160451][서울대학교] |
수직채널 이중 게이트 구조를 갖는 메모리 셀 |
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| [KST2015159369][서울대학교] |
기둥 구조를 갖는 낸드 플래시 메모리 어레이 및 그제조방법 |
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| [KST2015160721][서울대학교] |
저항변화기록소자, 그 제조방법, 정보기록방법 및정보판독방법 |
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| [KST2015160911][서울대학교] |
상변화 메모리 소자 및 그의 제조방법 |
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| [KST2015160069][서울대학교] |
저항변화기록소자 및 그 제조방법 |
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| [KST2015142970][서울대학교] |
전자이주 효과를 이용한 메모리 셀 |
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| [KST2015136779][서울대학교] |
재구성 가능한 전자 소자 및 이의 동작 방법 |
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| [KST2015137450][서울대학교] |
셀 스트링 및 상기 셀 스트링에서의 읽기 방법 |
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| [KST2016016184][서울대학교] |
생흡수성 및 생분해성 물질로 제조되는 비휘발성 저항 기억 소자(Bioresorbable and Biodegradable non-volatile resistive memory device) |
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| [KST2015159048][서울대학교] |
가변 저항 구조물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 상변화메모리 장치 및 그 제조 방법 |
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| [KST2015159333][서울대학교] |
다중 비트 상변화 메모리 소자의 단위 셀 |
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| [KST2015136776][서울대학교] |
재구성 가능한 전자 소자 및 이의 동작 방법 |
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| [KST2015135702][서울대학교] |
스트링선택트랜지스터들의 문턱전압을 모니터링하는 ＳＳＬ 상태 확인 빌딩을 구비한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이, 그 모니터링 및 구동방법 |
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| [KST2015160224][서울대학교] |
전하트랩 플래시 기억소자 및 그 제조방법 |
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