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기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트 패턴이 형성된 기판의 표면을 활성화시키는 단계;상기 활성화된 기판 상에 제1 양자점층을 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트 패턴을 제거하여 제1 양자점 패턴을 생성하는 단계; 및상기 기판에 생성된 상기 제1 양자점 패턴과 동일층 상에 제2 양자점 패턴을 생성하는 단계를 포함하고,상기 활성화된 기판 상에 제1 양자점층을 형성하는 단계는, 전하를 이용하는 층상자기조립법(Layer-by-Layer assembly method)으로 제1 양자점층을 형성하고, 상기 층상자기조립법은,상기 활성화된 기판의 표면 전하와 반대 극성의 전하를 띈 고분자를 상기 기판 상에 도포하는 단계;상기 기판을 pH 6 이상 pH 8 이하의 물로 세척하는 단계;상기 기판을 질소를 이용하여 건조시키는 단계;상기 기판의 고분자의 전하와 반대 극성의 전하를 띈 작용기를 갖는 양자점을 도포하는 단계;상기 기판을 pH 6 이상 pH 8 이하의 물로 세척하는 단계; 및상기 기판을 질소를 이용하여 건조시키는 단계를 포함하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 양자점 패턴을 생성하는 단계는,상기 기판 상에 상기 제1 양자점 패턴을 덮는 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 포토레지스트 패턴이 형성된 기판의 표면을 활성화시키는 단계;상기 활성화된 기판 상에 제2 양자점층을 형성하는 단계; 및상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하여 제2 양자점 패턴을 생성하는 단계를 포함하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 활성화된 기판 상에 제1 양자점층을 형성하는 단계는,상기 층상자기조립법의 단계들을 반복적으로 수행하여 상기 제1 양자점층을 다중층으로 형성하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 전하를 띈 고분자는, 양전하 또는 음전하를 띈 고분자 전해질이 0
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제6항에 있어서,상기 전하를 띈 고분자는, 양전하 고분자의 경우 PDDA(poly diallyldimethylamonium chloride) 및 PAH(poly allylamine hydrochloride) 중 하나이고, 음전하 고분자의 경우 PSS(poly sodium styrene sulfonate) 및 PAA(polyacrylic acid) 중 하나인, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 양자점은 표면이 소정의 전하를 갖도록 표면 개질된 0
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제8항에 있어서,상기 양자점은 화합물을 이용하여 전하를 갖도록 표면이 개질되며, 상기 화합물은 양자점 또는 중간체(intermediate) 물질과 합성물을 이루는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제10항에 있어서,상기 화합물은 R-COOH(acid) 또는 R1-N-R2-R3(amine: primary or secondary or tertially) 및 R-OH(alcohol)(이때, R은 carbon alkyl group을 지칭하는 것으로, R에서 carbon의 개수가 1이상 8이하인 화합물, R1, R2, R3는 수소(H) 또는 carbon 개수가 1이상 8 이하인 물질)의 작용기 중 적어도 하나를 갖는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제10항에 있어서,상기 중간체 물질은 PEG, amphiphilc compound, oleic compound, amine compound, phosphorus compound, organosulfur compound, silane compound, dendrimer, protein, peptide 중 적어도 하나인, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판의 표면을 활성화시키는 단계는,산소 플라즈마, 자외선-오존, 산 또는 염기 및 마이크로파를 이용한 표면 활성화 방법 중 하나의 방법을 이용하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제13항에 있어서,산을 이용한 표면 활성화 방법은 pH 6 이하의 황산, 질산 및 염산 중 하나를 이용하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제13항에 있어서,염기를 이용한 표면 활성화 방법은 pH 8 이상의 NaOH, K2CO3, KOH를 이용하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 금속, 비금속, 세라믹, 산화막, 반도체, 유기물, 고분자 중 하나로 형성되는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제16항에 있어서,상기 산화막은 SiO2, TiO2, Indium tin oxide(ITO), Y2O3, Al2O3, ZnO, WO3, MoO3, NiO, ZTO 및 SnO2 중 적어도 하나를 포함하고,상기 고분자는 폴리에틸렌(PE), 폴리메틸 메타아크릴레이트(PMMA), 폴리프로필렌(PP), 폴리우레탄(PUR), 폴리스티렌(PS), 폴리카보네이트(PC), 퍼플루오르폴리에테르(PFPE), 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE) 및 아크릴로나이트릴 부타디엔 스티렌(ABS) 중 적어도 하나를 포함하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 양자점은 상기 제1 양자점과 발광 특성이 다른, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 양자점은 상기 제1 양자점과 발광 특성이 같은, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 포토레지스트 패턴은 상대 극성(polarity index)이 0 보다 크고 7
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제20항에 있어서,상기 유기용제는 alcohol(ROH: R의 C개수 1-3개), acetone, DMSO, NMP, NaOH, KOH, K2CO3 중 적어도 하나를 포함하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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22
제1항에 있어서, 상기 기판 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 제1 포토레지스트층을 식각하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제22항에 있어서, 상기 제1 포토레지스트층을 식각하여 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,광, 이온빔 및 전자빔 중 하나를 이용하는, 다색 양자점 패턴의 형성 방법
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제1항, 제2항, 제5항 내지 제8항 및 제10항 내지 제23항 중 어느 한 항에 따른 다색 양자점 패턴의 형성 방법에 의해 형성되고,기판 상에 형성된 제1 양자점 패턴; 및상기 기판에 생성된 상기 제1 양자점 패턴과 동일층 상에 형성되고, 상기 제1 양자점과 발광 특성이 다른 제2 양자점 패턴을 포함하고,상기 제1 양자점 패턴 및 상기 제2 양자점 패턴을 구성하는 각 양자점들은 표면이 소정의 전하를 갖도록 하는 작용기를 갖고,상기 제1 양자점 패턴 및 상기 제2 양자점 패턴 중 적어도 하나는 다중층을 갖는, 다색 양자점 패턴
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25
기판 상에 형성된 제1 양자점 패턴; 및상기 기판에 생성된 상기 제1 양자점 패턴과 동일층 상에 형성되고, 상기 제1 양자점과 발광 특성이 다른 제2 양자점 패턴을 포함하고,상기 제1 양자점 패턴 및 상기 제2 양자점 패턴을 구성하는 각 양자점들은 표면이 소정의 전하를 갖도록 하는 작용기를 갖고,상기 제1 양자점 패턴 및 상기 제2 양자점 패턴 중 적어도 하나는 다중층을 갖는, 다색 양자점 패턴
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제25항에 있어서,상기 작용기는 음전하로는 카르복실기(-COOH) 또는 양전하로는 아민기(-NH3)를 갖는, 다색 양자점 패턴
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기판 상에 제1 전극과 제2 전극 사이에 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 수송층 중 적어도 하나 및 다색 양자점 패턴을 발광층으로서 포함하고, 상기 발광층은,상기 기판 상에 형성된 제1 양자점 패턴; 및상기 기판에 생성된 상기 제1 양자점 패턴과 동일층 상에 형성되고, 상기 제1 양자점과 발광 특성이 다른 제2 양자점 패턴을 포함하고,상기 제1 양자점 패턴 및 상기 제2 양자점 패턴을 구성하는 각 양자점들은 표면이 소정의 전하를 갖도록 하는 작용기를 갖고,상기 작용기는 음전하로는 카르복실기(-COOH) 또는 양전하로는 아민기(-NH3)를 갖는, 양자점 발광소자
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제28항에 있어서,상기 제1 양자점 패턴 및 상기 제2 양자점 패턴 중 적어도 하나는 다중층을 갖는, 양자점 발광소자
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제28항에 있어서,상기 제1 양자점 패턴 및 상기 제2 양자점 패턴의 크기는 픽셀 크기와 대응하는, 양자점 발광소자
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