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기판; 및 상기 기판 상에 위치하는 박막트랜지스터;를 포함하고,상기 박막트랜지스터는,하부 게이트전극;상기 하부 게이트전극을 덮는 제1절연층;상기 제1절연층 위에 위치하며, 아일랜드 형상의 산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층 위에 위치하며, 아일랜드 형상의 내부 전극;상기 산화물 반도체층 위에 위치하며, 상기 내부 전극을 둘러싸는 외부 전극;상기 산화물 반도체층을 덮는 제2절연층; 및상기 제2절연층 위에 위치하는 상부 게이트전극;을 포함하며,상기 내부 전극은 상기 산화물 반도체층의 중심영역 상에 위치하고, 상기 외부 전극은 상기 중심영역을 둘러싸는 외곽영역 상에 위치하고,상기 산화물 반도체층은 상기 중심영역과 상기 외곽영역 사이에 개재되며 상기 중심영역을 둘러싸는 중간영역을 포함하며,상기 하부 게이트전극과 상기 상부 게이트전극은 상기 산화물 반도체층의 상기 중간영역을 가운데 두고 서로 마주보도록 배치된, 박막트랜지스터 기판
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제1항에 있어서,상기 내부 전극은 소스전극이고 상기 외부 전극은 드레인전극인, 박막트랜지스터 기판
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제1항에 있어서,상기 하부 게이트전극은 상기 내부 전극과 대응되는 제1개구를 가지고,상기 상부 게이트전극은 상기 제1개구와 대응되는 제2개구를 갖는, 박막트랜지스터 기판
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제3항에 있어서,상기 내부 전극의 크기는 상기 제1개구의 크기보다 크고 상기 제2개구의 크기 보다 작은, 박막트랜지스터 기판
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제3항에 있어서,상기 하부 게이트전극은 상기 제1개구와 인접한 내측 단부로부터 상기 하부 게이트전극의 외측 단부까지의 제1폭을 갖고,상기 상부 게이트전극은 상기 제2개구와 인접한 내측 단부로부터 상기 상부 게이트전극의 외측 단부까지의 제2폭을 갖는, 박막트랜지스터 기판
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제5항에 있어서,상기 제1폭은 상기 제2폭보다 큰, 박막트랜지스터 기판
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제5항에 있어서,상기 제1폭은 상기 산화물 반도체층의 상기 중간영역의 폭보다 크고,상기 하부 게이트전극의 내측 단부 및 외측 단부 중 적어도 어느 하나는 상기 내부 전극 또는 상기 외부 전극과 일부 중첩하는, 박막트랜지스터 기판
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제5항에 있어서,상기 제2폭은 상기 산화물 반도체층의 상기 중간영역의 폭보다 작고,상기 상부 게이트전극의 내측 단부는 상기 내부 전극으로부터 상기 외부 전극을 향하는 방향을 따라 상기 내부 전극의 외측 단부로부터 이격되어 있고,상기 상부 게이트전극의 외측 단부는 상기 외부 전극으로부터 상기 내부 전극을 향하는 방향을 따라 상기 외부 전극의 내측 단부로부터 이격되어 있는, 박막트랜지스터 기판
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제1항에 있어서,상기 내부 전극과 상기 외부 전극은 동일 층에 위치하는, 박막트랜지스터 기판
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제1항에 있어서,상기 하부 게이트전극 및 상기 상부 게이트전극은 동일한 전압준위를 갖는, 박막트랜지스터 기판
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제1항에 있어서,상기 제2절연층 상에 위치하며 상기 내부 전극과 전기적으로 연결된 연결배선을 더 포함하는, 박막트랜지스터 기판
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기판 상에 형성된 복수의 화소들;을 포함하며,상기 복수의 화소들 각각은,상기 기판 상에 위치하는 스위칭 박막트랜지스터;상기 기판 상에 위치하며, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터; 및상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 화소전극;상기 화소전극 상에 위치하는 발광층; 및 상기 발광층을 가운데 개재하고 상기 화소전극과 마주보는 대향전극;을 포함하며,상기 구동 박막트랜지스터는,산화물 반도체층;상기 산화물 반도체층의 중심영역 상에 위치하며, 아일랜드 형상의 내부 전극;상기 산화물 반도체층의 상기 중심영역으로부터 이격되어 상기 중심영역을 둘러싸는 외곽영역 상에 위치하는 외부 전극; 및상기 산화물 반도체층을 가운데 개재한 채로 서로 마주보도록 배치된 하부 게이트전극 및 상부 게이트전극;을 포함하는, 유기 발광 표시 장치
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제12항에 있어서,상기 내부 전극은 소스전극이고 상기 외부 전극은 드레인전극인, 유기 발광 표시 장치
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제12항에 있어서,상기 하부 게이트전극은 상기 내부 전극과 대응되는 제1개구를 가지고,상기 상부 게이트전극은 상기 제1개구와 대응되는 제2개구를 갖는, 유기 발광 표시 장치
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제14항에 있어서,상기 제1개구와 상기 제2개구 및 상기 내부 전극은 동일 축선 상에 배치되는, 유기 발광 표시 장치
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제14항에 있어서,상기 하부 게이트전극의 상기 제1개구와 인접한 내측 단부는 상기 내부 전극과 일부 중첩되는, 유기 발광 표시 장치
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제14항에 있어서,상기 상부 게이트전극의 상기 제2개구의 크기는 상기 내부 전극의 크기보다 큰, 유기 발광 표시 장치
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제12항에 있어서,상기 내부 전극과 상기 외부 전극은 동일 층에 위치하는, 유기 발광 표시 장치
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제12항에 있어서,상기 하부 게이트전극 및 상기 상부 게이트전극은 동일한 전압준위를 갖는, 유기 발광 표시 장치
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제12항에 있어서,상기 구동 박막트랜지스터의 게이트전극은 상기 구동 박막트랜지스터를 구비하는 화소의 계조를 제어하는, 유기 발광 표시 장치
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