1 |
1
기판 및 상기 기판상에 배치된 하나 이상의 유기발광소자를 포함하며,상기 유기발광소자는,상기 기판상에 배치된 제1 전극;상기 제1 전극상에 배치된 유기 발광층; 및상기 유기 발광층상에 배치된 제2 전극;을 포함하며,상기 유기 발광층은 적어도 하나의 개구부를 갖는 유기발광 표시장치
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 개구부는 슬릿, 원, 다각형 및 십자(+)형 중 어느 하나의 형상으로 된 평면을 갖는 유기발광 표시장치
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 개구부에 충진되며, 상기 유기 발광층보다 작은 굴절률을 갖는 저굴절부를 포함하는 유기발광 표시장치
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 저굴절부는 1
|
5 |
5
제3항에 있어서, 상기 유기 발광층과 상기 저굴절부는 0
|
6 |
6
제3항에 있어서, 상기 저굴절부는 불활성 기체 CaF2, NaF, Na3AlF6, SiOx, AlF3, LiF, MgF2, Alq3 [Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium], 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지 및 폴리아미드계 수지로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기발광 표시장치
|
7 |
7
제7항에 있어서, 상기 저굴절부는 광산란 입자를 포함하는 유기발광 표시장치
|
8 |
8
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 유기 발광층의 개구부와 동일한 형상의 개구부를 갖는 유기발광 표시장치
|
9 |
9
제1항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 유기 발광층의 개구부로 연장된 유기발광 표시장치
|
10 |
10
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 화소 전극인 유기발광 표시장치
|
11 |
11
제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 유기 발광층 사이에 배치된 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기발광 표시장치
|
12 |
12
제1항에 있어서, 상기 유기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기발광 표시장치
|
13 |
13
기판상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극상에 리프트 오프(lift-off) 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 및 상기 리프트 오프 패턴상에 유기 발광층을 형성하는 단계; 상기 유기 발광층상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 리프트 오프 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법
|
14 |
14
제13항에 있어서, 상기 리프트 오프 패턴은 불소계 고분자 화합물을 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법
|
15 |
15
제13항에 있어서, 상기 리프트 오프 패턴을 형성하는 단계는,상기 제1 전극 상에 불소계 고분자 화합물을 도포하는 단계;상기 불소계 고분자 화합물 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 불소계 고분자 화합물을 식각하는 단계;를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법
|
16 |
16
제13항에 있어서, 상기 리프트 오프 패턴을 제거하는 단계는 불소계 용매를 사용하는 유기발광 표시장치의 제조방법
|
17 |
17
제16항에 있어서, 상기 불소계 용매는 하기 화학식 1로 표현되는 화합물 및 화학식 2로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법
|
18 |
18
제13항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 리프트 오프 패턴을 제거하는 단계 이전에 실시되는 유기발광 표시장치의 제조방법
|
19 |
19
제13항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 리프트 오프 패턴을 제거하는 단계 이후에 실시되는 유기발광 표시장치의 제조방법
|
20 |
20
제13항에 있어서, 상기 리프토 오프 패턴을 제거하는 단계 후, 상기 리프트 오프 패턴이 제거되어 만들어진 개구부에 상기 유기 발광층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 저굴절 재료를 충진하는 단계를 더 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법
|