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기판의 상면에 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대로 배열되는 상기 기판 상의 소스 전극들 및 드레인 전극들;상기 소스 전극들 상에서, 상기 소스 전극들과 전기적으로 연결되는 소스 배선들; 및상기 소스 배선들 상에서, 상기 드레인 전극들과 전기적으로 연결되는 드레인 패드를 포함하며,상기 소스 배선들은 상기 소스 전극들 상에서 교차점을 갖는 그리드(grid) 형상을 갖고,평면적 관점에서, 상기 드레인 패드는 상기 소스 전극들 및 상기 드레인 전극들과 중첩되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 소스 전극들 및 상기 드레인 전극들 사이의 제1 질화물 반도체층; 및상기 제1 질화물 반도체층과 상기 소스 전극들 및 상기 드레인 전극들 사이의 제2 질화물 반도체층을 더 포함하는 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 소스 전극들을 노출시키는 소스 콘택홀들을 갖는 상기 제2 질화물 반도체층 상의 제1 절연층; 및상기 소스 콘택홀들 내에 제공되는 소스 콘택들을 더 포함하며,상기 소스 배선들은 상기 소스 콘택들을 통하여 상기 소스 전극들과 전기적으로 연결되는 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,상기 제1 절연층은 SiN, SiO2, 및 Al2O3 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,상기 제1 절연층의 두께는 약 1마이크로미터 이상인 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 소스 콘택들은 상기 그리드 형상의 교차점에 제공되는 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,상기 소스 배선들과 상기 드레인 패드 사이에 개재되는 제2 절연층; 및상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층을 관통하여, 상기 드레인 전극들과 연결되는 드레인 콘택들을 더 포함하는 반도체 소자
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제 7 항에 있어서,상기 제2 절연층은 폴리이미드(Polyimide)를 포함하는 반도체 소자
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제 7 항에 있어서,상기 제2 절연층의 두께는 약 1 마이크로미터 이상인 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 소스 전극들 및 상기 드레인 전극들 사이로 연장되는 게이트 전극을 더 포함하며,평면적 관점에서, 상기 게이트 전극은 상기 소스 전극들 및 상기 드레인 전극들을 각각 둘러싸는 반도체 소자
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제 10 항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 연장되는 리세스 영역을 포함하며,상기 게이트 전극은 상기 리세스 영역 내에 제공되는 반도체 소자
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제 10 항에 있어서,상기 소스 전극들과 상기 드레인 전극들 사이의 게이트 절연막을 더 포함하며,상기 게이트 절연막은 상기 제2 질화물 반도체층 및 상기 게이트 전극 사이에 제공되는 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층과 상기 제2 질화물 반도체층은 이종 접합 구조인 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층은 GaN층이고, 상기 제2 질화물 반도체층은 AlGaN층, InAlN층, 및 InAlGaN층 중에서 선택되는 어느 하나인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 드레인 전극들 중의 적어도 어느 하나는 라운드된(rounded) 모서리를 갖는 사각형 구조인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 소스 배선들은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 니켈(Ni), 백금(Pt), 티탄(Ti), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 코발트(Co), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 구리(Cu), 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 소스 배선들의 두께는 3 마이크로미터 이상인 반도체 소자
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기판 상에 제1 질화물 반도체층 및 제2 질화물 반도체층을 차례로 형성하는 것;상기 제2 질화물 반도체층 상에 상기 제2 질화물 반도체층의 상면에 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 교대로 배열되는 드레인 전극들 및 소스 전극들을 형성하는 것;상기 소스 전극들 상에 상기 소스 전극들과 전기적으로 연결되는 소스 배선들을 형성하는 것; 및상기 소스 배선들 상에 상기 드레인 전극들과 전기적으로 연결되는 드레인 패드를 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 18 항에 있어서,상기 드레인 전극들 및 상기 소스 전극들 사이로 연장되는 게이트 전극을 제공하는 것을 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 19 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 제2 질화물 반도체층 내의 리세스 영역 내에 제공되고, 상기 리세스 영역은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 연장되는 반도체 소자의 제조 방법
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