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기판;상기 기판 상에 위치하는 보론흡수층;상기 보론흡수층 상에 위치하며 보론이 도핑된 금속물질을 포함하는 금속층;상기 금속층 상에 위치하며 보론이 포함되지 않은 강자성물질인 CoFe를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층;상기 제1 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하며 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제1항에 있어서,상기 금속층은 비정질 구조인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제1항에 있어서,상기 금속층의 금속물질은 Ta, Ti, Nb, Zr, Hf, W, Pt, Pd, Ru 또는 이들의 합금을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제3항에 있어서,상기 보론흡수층은 상기 금속층의 금속물질보다 보론과의 결합에너지가 높은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제4항에 있어서,상기 보론흡수층은 Ta, Hf, Nb 또는 W를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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삭제
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제1항에 있어서,상기 터널링 배리어층은 bcc 결정구조를 갖는 금속산화물을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제7항에 있어서,상기 터널링 배리어층은 MgO를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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기판;상기 기판 상에 위치하는 금속산화물층;상기 금속산화물층 상에 위치하며, 보론이 포함되지 않은 강자성물질을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층;상기 제1 강자성층 상에 위치하며 보론이 도핑된 금속물질을 포함하는 제1 중간층;상기 제1 중간층 상에 위치하는 보론흡수층;상기 보론흡수층 상에 위치하며 보론이 도핑된 금속물질을 포함하는 제2 중간층;상기 제2 중간층 상에 위치하며 보론이 포함되지 않은 강자성물질을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 제3 강자성층;상기 제3 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하며 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제9항에 있어서,상기 제1 중간층 및 제2 중간층은 비정질 구조인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제9항에 있어서,상기 제1 중간층 또는 제2 중간층의 금속물질은 Ta, Ti, Nb, Zr, Hf, W, Pt, Pd, Ru 또는 이들의 합금을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제11항에 있어서,상기 보론흡수층은 상기 제1 중간층 및 제2 중간층의 금속물질보다 보론과의 결합에너지가 높은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제12항에 있어서,상기 보론흡수층은 Ta, Hf, Nb 또는 W를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제9항에 있어서,상기 제1 강자성층 및 제3 강자성층은 CoFe를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제9항에 있어서,상기 금속산화물층 및 상기 터널링 배리어층은 bcc 결정구조를 갖는 금속산화물을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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기판;상기 기판 상에 위치하며 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층;상기 제2 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층;상기 터널링 배리어층 상에 위치하며 보론이 포함되지 않은 강자성물질인 CoFe를 포함하는 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층;상기 제1 강자성층 상에 위치하며 보론이 도핑된 금속물질을 포함하는 금속층; 및상기 금속층 상에 위치하는 보론흡수층을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제16항에 있어서,상기 금속층은 비정질 구조인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제16항에 있어서,상기 터널링 배리어층은 MgO를 포함하고,상기 보론흡수층은 상기 금속층의 금속물질보다 보론과의 결합에너지가 높은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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기판;상기 기판 상에 위치하며 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층;상기 제2 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층;상기 터널링 배리어층 상에 위치하며, 보론이 포함되지 않은 강자성물질을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층;상기 제1 강자성층 상에 위치하며 보론이 도핑된 금속물질을 포함하는 제1 중간층;상기 중간층 상에 위치하는 보론흡수층;상기 보론흡수층 상에 위치하며 보론이 도핑된 금속물질을 포함하는 제2 중간층;상기 제2 중간층 상에 위치하며 보론이 포함되지 않은 강자성물질을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 제3 강자성층; 및상기 제3 강자성층 상에 위치하는 금속산화물층을 포함하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제19항에 있어서,상기 제1 중간층 및 제2 중간층은 비정질 구조인 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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제19항에 있어서,상기 터널링 배리어층 및 상기 금속산화물층은 MgO를 포함하고,상기 제1 강자성층 및 제2 강자성층은 CoFe를 포함하고,상기 보론흡수층은 상기 제1 중간층 및 제2 중간층의 금속물질보다 보론과의 결합에너지가 높은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조
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복수개의 디짓 라인들;상기 디짓 라인들의 상부를 가로지르는 복수개의 비트 라인들; 및상기 디짓 라인과 상기 비트 라인 사이에 개재된 제1항 내지 제5항, 제7항 내지 제21항 중 어느 한 항의 MTJ 구조를 포함하는 자성소자
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