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적층구조를 갖는 3차원 재료를 사용하여 제조된 양자점으로서,이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 그래핀 양자점, 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 보론나이트라이드 양자점 및 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 무기 칼코게나이드 양자점을 포함하는 그룹에서 선택된 어느 하나이고,상기 이종원소를 포함하는 분자는 메틸-5-옥소-L-프롤리네이트(Methyl 5-oxo-L-prolinate), 5-(하이드록시메틸)-1-메틸-2-피롤리디논(5-(Hydroxymethyl)-1-methyl-2-pyrrolidinone), (2E)-N-하이드록시-4-메틸-3-펜텐-2-이민((2E)-N-Hydroxy-4-methyl-3-penten-2-imine), 1-부틸피롤리딘-2-온(1-Butylpyrrolidin-2-one), (1-에틸-2-피롤리디닐)메탄올(1-Ethyl-2-pyrrolidinyl)methanol) 및 3-하이드록시-3-페닐프로필 카바메이트(3-Hydroxy-3-phenylpropyl carbamate)으로 이루어진 그룹에서 선택된 1 이상을 포함하는 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점
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제1항에 있어서,상기 이종 원소는 질소, 산소, 황, 염소, 플루오르, 보론 및 인으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점
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제1항에 있어서,상기 3차원 재료의 양자점은 발광특성을 갖는 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점
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제1항에 있어서, 상기 그래핀 양자점은 0
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제1항에 있어서, 상기 이종원소를 포함하는 분자는 상기 3차원 재료의 양자점을 형성하기 위해 사용되는 용매의 기화와 동시에 상기 용매로부터 분해된 것 또는 상기 용매의 분해 생성물 간의 반응으로 형성된 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점
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적층구조를 갖는 3차원 재료를 사용하여 제조된 양자점으로서,이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 무기 칼코게나이드 양자점이며,상기 무기 칼코게나이드는 이황화몰리브데늄인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점
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적층구조를 갖는 3차원 재료를 사용하여 제조된 양자점으로서,상기 3차원 재료는 하기 화학식 1로 표시되고,이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 것인, 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점
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반응 용기 내에서 3차원 재료와 용매를 혼합하고 상기 3차원 재료의 층 간에 상기 용매를 침적시키는 제1단계; 및상기 반응 용기에 열과 압력을 가하여 상기 용매를 기화하고 상기 3차원 재료의 층간을 분리시킴과 동시에 쪼개어 3차원 재료의 양자점을 생성하고, 상기 용매가 기화되면서 분해되어 형성된 이종 원소를 포함하는 분자를 상기 3차원 재료의 양자점에 도핑하는 제2단계; 를 포함하며,상기 3차원 재료는 탄소 재료, 보론나이트라이드 및 무기 칼코게나이드로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 제1단계에서, 상기 혼합물의 형성 공정은 상기 용매의 기화점 미만의 압력 및 온도 조건에서 수행되는 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 이종원소를 포함하는 분자는 상기 3차원 재료의 양자점을 형성하기 위해 사용되는 용매의 기화와 동시에 상기 용매로부터 분해된 것 혹은 상기 용매의 분해 생성물 간의 반응으로 형성된 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 용매는 물, 에탄올, 아세톤, 사염화탄소, 벤젠, n-헥산, 엔-메틸-2-피롤리딘(N-Methyl-2-pyrrolidone, NMP), 디메틸포름아미드(Dimethylformamide, DMF), 디메틸 설폭사이드(Dimethyl sulfoxide, DMSO), 액상 이산화탄소, 이황화탄소, 액체 암모니아, 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-디카플루오르펜탄(1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-Decafluoropentane), 노나플루오로부틸 메틸 에터(Nonafluorobutyl methyl ether) 및 퍼플루오르노네인(Perfluorononane) 으로 이루어진 그룹에서 선택된 둘 이상을 포함하는 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 용매는 인산수용액, 암모니아보레인 수용액 또는 붕산 수용액인 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 이종원소를 포함하는 분자는 메틸(2S)-5-옥소피롤리딘-2-카복실레이트(methyl (2S)-5-oxopyrrolidine-2-carboxylate), 5-(하이드록시메틸)-1-메틸피롤리딘-2-온(5-(hydroxymethyl)-1-methylpyrrolidin-2-one), (2E)-N-하이드록시-4-메틸-3-펜텐-2-이민((2E)-N-Hydroxy-4-methyl-3-penten-2-imine), N-부틸-2-피롤리디논(N-Butyl-2-pyrrolidinone), (1-에틸피롤리디닐)메탄올((1-Ethyl-2-pyrrolidinyl)methanol)), 5-(하이드록시메틸)-1-메틸피롤리딘-2-one(5-(hydroxymethyl)-1-methylpyrrolidin-2-one) 및 3-하이드록시-3-페닐프로필 카바메이트(3-Hydroxy-3-phenylpropyl carbamate) 으로 이루어진 그룹에서 선택된 1 이상인 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 이종 원소는 질소, 산소, 황, 염소, 플루오르, 보론 및 인으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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반응 용기 내에서 3차원 재료와 용매를 혼합하고 상기 3차원 재료의 층 간에 상기 용매를 침적시키는 제1단계; 및상기 반응 용기에 열과 압력을 가하여 상기 용매를 기화하고 상기 3차원 재료의 층간을 분리시킴과 동시에 쪼개어 3차원 재료의 양자점을 생성하고, 상기 용매가 기화되면서 분해되어 형성된 이종 원소를 포함하는 분자를 상기 3차원 재료의 양자점에 도핑하는 제2단계; 를 포함하며,상기 3차원 재료는 하기 화학식 1로 표시되는 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 제2단계에서, 상기 혼합물을 포함하는 반응 용기의 온도 및 압력은 각각 상기 용매의 기화점의 온도 및 압력 이상인 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 제2단계에서, 상기 용매가 기화함에 따라 상기 용매의 분자들 사이의 거리가 멀어져 상기 3차원 재료의 분자 사이에 틈을 형성하는 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 3차원 재료의 양자점은 0
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제9항에 있어서,상기 3차원 재료의 양자점의 수득률은 5% 내지 95%인 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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제9항에 있어서, 상기 3차원 재료의 양자점은 용매에 0
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제9항에 있어서, 상기 3차원 재료의 양자점을 크기에 따라 분리시키는 제4단계를 더 포함하고,상기 제4단계에서 상기 3차원 재료의 양자점은 원심분리에 의해 분리되며, 상기 원심분리에 사용되는 원심 분리기는 1000rpm 내지 1,000,000rpm 범위의 회전수가 유지되는 것인 이종 원소를 포함하는 분자가 도핑된 3차원 재료의 양자점 형성 방법
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