| 1 |
1
프리프레그에 UV를 조사하는 단계 (S1);상기 프리프레그 상에 실란계 화합물을 코팅하여 케미컬 본딩층을 형성하는 단계 (S2); 및상기 프리프레그 상에 형성된 케미컬 본딩층에 동박을 적층하는 단계 (S3)를 포함하는 인쇄회로기판의 내층 처리방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 프리프레그에 UV를 조사하는 단계는 UV 램프를 사용하여 프리프레그에 5~30 분 동안 UV를 조사하여 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 내층 처리방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 실란계 화합물은 테트라오가노실란, 아미노에틸-아미노프로필-트리에메톡시실란, (3-아미노프로필)트리메톡시실란, 1-3-(아미노프로칠)트리에톡시실란, (3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, (3-클로로프로필)트리메톡시실란, (3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, 디메틸디클로로실란, 에틸트리아세톡시실란, 트리에톡시실란, 트리에톡시(옥틸)실란, 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란, 클로로트리메틸실란, 메틸트리클로로실란, 테트라에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 클로로트리메틸실란, 메틸트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종의 혼합물인 것임을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 내층 처리방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 프리프레그는 에폭시계 수지 또는 폴리이미드계 수지로 형성된 프리프레그인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 내층 처리방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 프리프레그 상에 실란계 화합물을 코팅하여 케미컬 본딩층을 형성하는 단계는 실란계 화합물을 용해한 용액에 UV가 조사된 프리프레그를 10~60 ℃의 온도 조건에서 10~30 분 동안 침지시키고, 이후 프리프레그를 꺼내어 건조시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 내층 처리방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 실란계 화합물을 용해한 용액은 실란계 화합물을 알코올계 용매에 0
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 프리프레그를 실란계 화합물을 용해한 용액에서 꺼내어 40~80 ℃에서 건조시키는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 내층 처리방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 프리프레그 상에 형성된 케미컬 본딩층에 동박을 적층하는 단계는 케미컬 본딩층이 형성된 프리프레그와 동박을 순차적으로 겹치고 고정한 후 프레스하여 수행되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 내층 처리방법
|
| 9 |
9
프리프레그, 케미컬 본딩층 및 동박을 순차적으로 포함하는 인쇄회로기판으로서, 상기 케미컬 본딩층은 프리프레그층에 형성된 수산기와 실란계 화합물의 반응에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 인쇄회로기판
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 프리프레그는 에폭시계 수지 또는 폴리이미드계 수지로 형성된 프리프레그인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서,상기 프리프레그는 UV가 조사된 프리프레그인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판
|
| 12 |
12
제 9 항에 있어서,상기 실란계 화합물은 테트라오가노실란, 아미노에틸-아미노프로필-트리에메톡시실란, (3-아미노프로필)트리메톡시실란, (1-[3-(아미노프로칠)트리에톡시실란, ((3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, (3-클로로프로필)트리메톡시실란, (3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, 디메틸디디클로로실란,에틸트리아세톡시실란, 트리에톡시실란, 트리에톡시(옥틸) 실란, 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란, 클로로트리메틸실란, 메틸트리클로로실란, 테트라에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 클로로트리메틸실란, 메틸트리메톡시실란 및 비닐트리메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종의 혼합물인 것임을 특징으로 하는 인쇄회로기판
|
