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기판;상기 기판 상에 배치되며, III-V족 반도체 화합물을 포함하는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층의 적어도 일부를 덮으며, III-V족 반도체 화합물을 포함하는 제2 반도체층;상기 제1 반도체층 상에 배치되며 서로 수평 이격된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 제2 반도체층에 배치되고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 게이트 전극; 및상기 소스 전극과 접하며, 상기 드레인 전극 방향으로 연장하며 상기 드레인 전극으로 갈수록 상기 기판으로부터 멀어지는 필드 플레이트를 포함하되,상기 필드 플레이트는 상기 소스 전극과 접하는 제1 수평부와, 상기 제1 수평부와 수직 및 수평으로 이격된 제2 수평부와, 상기 제1 및 제2 수평부들 사이를 연결하는 연결부를 포함하고,상기 연결부는 평면적 관점에서 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 개재되는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 연결부는 상기 제1 및 제2 수평부들 사이에 배치되는 제3 수평부와, 상기 제1 및 제3 수평부들 사이를 연결하는 제1 수직부와, 상기 제2 및 제3 수평부들 사이를 연결하는 제2 수직부를 포함하는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 연결부는 20° 내지 90° 사이의 각도를 갖는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극에서 상기 드레인 전극에 인접한 단부와, 상기 필드 플레이트의 제1 수평부에서 상기 드레인 전극에 인접한 단부 사이의 거리는 0
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 제2 반도체층 사이에 제공되는 게이트 절연막을 더 포함하는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 단면적 관점에서, 사각형상 또는 사다리꼴 형상을 갖는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 제2 반도체층 내로 삽입되는 하부 부분과, 상기 하부 부분과 연결되며 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 상부 부분을 포함하며, 단면적 관점에서 T자 형을 갖는 전자 소자
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제1항에 있어서,상기 필드 플레이트는, 상기 게이트 전극을 덮되, 상기 드레인 전극을 덮지 않는 전자 소자
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