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기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성된 제1 유기 활성층;상기 제1 유기 활성층 상에 형성된 제2 유기 활성층; 및상기 제2 유기 활성층 상에 일정 간격을 두고 대면되어 배치되는 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하며;상기 제1 유기 활성층은 포토크로믹 물질 및 유기 절연 물질을 포함하고, 상기 제2 유기 활성층은 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 제1 유기 활성층은 자외선을 흡수하여 색이 변화하는 것인 유기 박막 트랜지스터
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제2항에 있어서,상기 포토크로믹 물질은 상기 제1 유기 활성층의 전하 저장 능력을 변화시키는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 제1 유기 활성층은 상기 유기 절연 물질의 총 중량에 대해 0
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제4항에 있어서,상기 제1 유기 활성층은 상기 유기 절연 물질의 총 중량에 대해 25 내지 100 wt%의 상기 포토크로믹 물질을 포함하는 것인 유기 박막 트랜지스터
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제5항에 있어서,자외선을 조사하지 않아도 문턱전압 값이 변화하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 포토크로믹 물질은 디아릴에텐스(Diarylethenes)계열, 스피로피란(Spiropyrans)계열 고분자 물질 및 비올로겐(Viologens)계열 고분자 물질로 이루어진 그룹에서 선택된 1 이상을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제7항에 있어서,상기 디아릴에텐스(Diarylethenes)계열 고분자 물질은 1,3-디하이드로-1,3,3,-트리메틸스파이로[2H-인돌-2,3′-[3H]나프[2,1-b][1,4]옥사진] (1,3-Dihydro-1,3,3-trimethylspiro[2H-indole-2,3′-[3H]naphth[2,1-b][1,4]oxazine])을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 유기 절연 물질은 폴리에틸렌 (Polyethyelene), 폴리프로필렌수지(Polypropylene), 폴리 아크릴((Poly(methylmethacrylate), PMMA), 폴리비닐아세테이트(Poly(vinylacetate), PVAc), 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 폴리4메틸스티렌(Poly(4-methylstyrene),P4MS), 불소수지(Fluoropolymer, Teflon), 파릴렌(Parylene) 폴리이미드(Polyimide),폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리비닐페놀(Poly(vinylphenol),PVP), 폴리비닐알콜(Poly(vinylalcohol),PVA), 폴리옥시메틸렌(Polyacetal, Polyoxymethylene) 및 폴리아미드(Polyamide)로 이루어진 그룹에서 선택된 1 이상을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 유기 반도체 화합물은 안트라센, 테트라센, 펜타센, 멜로시아닌, 구리프탈로시아닌, 페리렌, 루브렌(rubrene), 코로넨(coonen), 안트라디티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오텐, 올리고티오펜, 폴리셀레노펜(polyselenophene), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene), 폴리아릴렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리아줄렌, 폴리피렌, 폴리카바졸, 폴리퓨란, 폴리인돌, 폴리피리다진, 폴리아센, 폴리티에닐티아졸, 폴리페닐렌비닐린(Poly(p-phenylenevinylene)), 폴리페닐렌(poly(p-phenylene)), 폴리플루오렌(Polyfluorene), 폴리디옥틀리플루오렌(Poly(9,9-dioctlyfluorene)), 폴리알킬티오펜(polyalkylthiophene) 및 이들의 유도체로 이루어진 그룹에서 선택된 1 이상의 물질을 포함하는 유기 박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 제1 유기 활성층은 2 내지 500nm의 두께를 갖는 유기 박막 트랜지스터
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 유기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 소자
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제12항에 있어서,상기 제1 유기 활성층에 의해 색이 변화되는 전자 소자
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기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 제1 유기 활성층을 형성하는 단계; 상기 제1 유기 활성층에 제2 유기 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 유기 활성층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법으로서,상기 제1 유기 활성층은 포토크로믹 물질 및 유기 절연 물질을 포함하고, 상기 제2 유기 활성층은 유기 반도체 화합물을 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 제1 유기 활성층은 상기 유기 절연 물질의 총 중량에 대해 25 내지 100 wt%의 상기 포토크로믹 물질을 포함하는 것인 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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