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자가 응집체를 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019010888
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 상에 형성된 하부 전극; 하부 전극 상에 형성된 활성층; 및 활성층 상에 형성된 상부 전극을 포함하며, 활성층은 자가 응집 물질로 이루어진 자가 응집체 및 유기 고분자 물질을 포함하는 유기 고분자 물질 층을 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치가 제공된다. 이때, 활성층은 자가 응집 물질 및 유기 고분자 물질만으로도 전류-전압 특성을 나타낼 수 있으며, 이에 따라 이를 다양한 전자 소자에 적용할 수 있다.
Int. CL H01L 27/11521 (2017.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01) H01L 27/11521(2013.01)
출원번호/일자 1020150070551 (2015.05.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1653283-0000 (2016.08.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20160901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.20)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태욱 대한민국 전라북도 완주군
2 차안나 대한민국 전라북도 완주군
3 문병준 대한민국 전라북도 완주군
4 배수강 대한민국 전라북도 완주군
5 이동수 대한민국 전라북도 완주군
6 구혜영 대한민국 전라북도 완주군
7 이상현 대한민국 전라북도 완주군
8 박민 대한민국 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0485246-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0076588-02
4 등록결정서
Decision to grant		 2016.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0396627-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 상부 전극을 포함하며,상기 활성층은 자가 응집 물질로 이루어진 자가 응집체 및 유기 고분자 물질을 포함하는 유기 고분자 물질 층을 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 활성층은 상기 자가 응집체와 상기 유기 고분자 물질 층으로 상분리되어 있는 유기 비휘발성 메모리 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 자가 응집체는 원형 또는 타원형 형상을 가지며, 상기 자가 응집체는 상기 유기 고분자 물질로 둘러싸이는 형상을 갖는 유기 비휘발성 메모리 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 활성층 내에서, 상기 자가 응집체와 상기 유기 고분자 물질층은 1:2 내지 1:3 의 두께비를 갖는 유기 비휘발성 메모리 장치
5 5
제1항에 있어서, 상기 자가 응집 물질은 숙시노니트릴이고,상기 숙시노니트릴은 숙시노니트릴-d4(succinonitrile-d4), 2-(2,4,5-트리메톡시페닐)숙시노니트릴(2-(2,4,5-trimethoxyphenyl)succinonitrile)), 2- (3- 메톡시-페닐)-숙시노니트릴(2-(3-methoxy-phenyl)-succinonitrile), 2- 클로로 -3- (4- 니트로 - 페닐)-숙시노니트릴(2-chloro-3-(4-nitro-phenyl)- succinonitrile) 및 2- 페닐 -3- (p- 톨릴)숙시노니트릴(2-phenyl-3-(P-tolyl) succinonitrile)을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것인 유기 비휘발성 메모리 장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 활성층은 상기 활성층 전체 중량에 대해, 상기 자가 응집체 0
7 7
제1항에 있어서,상기 유기 고분자 물질은 폴리에테르설폰(polyethersulfone, PES), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리스티렌(polystyrene, PS), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리비닐클로라이드(polyvinyl chloride, PVC), 폴리비닐페놀(polyvinylphenol, PVP), 폴리에틸렌(polyethylene, PE) 및 폴리메타크릴산 메틸(poly(methylmethacrylate, PMMA)를 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상인 유기 비휘발성 메모리 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 활성층은 100nm 내지 300nm의 두께를 갖는 유기 비휘발성 메모리 장치
9 9
제1항에 있어서,상기 자가 응집체의 함량 및 상기 유기 고분자 물질의 함량 변화에 따라 문턱전압의 값이 변화하는 유기 비휘발성 메모리 장치
10 10
제1항에 있어서,상기 상부 및 하부 전극들은 각각 티타늄, 텅스텐, 탄탈륨, 백금, 루테늄 및 이리듐을 포함하는 금속, 이들의 금속 산화물 혹은 이들의 금속 질화물을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치
11 11
제1항에 있어서,0 내지 7 V 내에서 읽기 동작을 실시하는 것인 유기 비휘발성 메모리 장치
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 유기 비휘발성 메모리 장치를 포함하는 전자 소자
13 13
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;유기 고분자 물질 및 자가 응집 물질을 용매에 혼합하여 활성층 용액을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 상기 활성층 용액을 도포하여 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법으로서,상기 활성층을 형성하는 단계는 상기 활성층 용액 내의 상기 용매가 휘발함에 따라, 상기 자가 응집 물질 간의 응집 현상을 통해 자가 응집체를 형성하고, 상기 유기 고분자 물질을 포함하는 유기 고분자 물질 층을 형성하는 단계를 포함하는, 자가 응집체를 포함하는 유기 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
14 14
제13항에 있어서,상기 활성층을 형성할 때, 상기 유기 고분자 물질 층 및 상기 자가 응집체가 상분리되는 유기 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
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제 13항에 있어서, 상기 활성층 용액을 도포하여 상기 활성층을 형성하는 단계는 스핀 코팅(spin coating) 공정을 통해 수행되는 것인 유기 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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