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증착대상 금속을 기판 상에 증착하여 박막을 형성함에 있어서, 상기 박막의 형성시, 반응성가스를 공급하여 반응성가스가 박막 내에 혼입되도록 유도하는 단계; 및 형성된 박막을 50℃ 이상 400℃ 미만의 온도에서 열처리하여, 금속과 반응성가스의 결합을 분해하여 박막 내의 반응성가스를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 증착대상 금속은 전이금속 1B족에 속하는 Ag, Au, Cu 중 어느 하나이며, 상기 형성된 박막의 두께는 15nm 이하이며, 상기 박막의 퍼콜레이션 임계두께(percolation threshold thickness)는 4nm 미만인 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반응성가스는 질소(N), 산소(O), 황(S), 셀레늄(Se), 불소(F) 중 어느 하나 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 형성된 박막 내의 반응성가스 성분은, 반응성가스와 증착대상 금속이 화학양론적 화합물을 이루는데 요구되는 반응성가스의 양 미만인 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막의 제조방법
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제 3 항에 있어서, 형성된 박막의 열처리 온도는 50∼250℃인 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 형성된 박막 내의 반응성가스 성분을 제거하는 단계는, 박막이 형성된 기판을 열처리하여, 금속과 반응성가스의 결합을 분해하여 반응성가스를 제거하는 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 형성된 박막 내의 반응성가스 성분을 제거하는 단계는, 박막에 빛을 조사하여, 금속과 반응성가스의 결합을 분해하여 반응성가스를 제거하는 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 박막은 물리기상증착 방법 또는 화학기상증착 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막의 제조방법
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전이금속 1B족에 속하는 Ag, Au, Cu 중 어느 하나로 이루어진 박막이며, 상기 박막 내에는, 박막 증착시 공급된 반응성가스가 혼입되며, 상기 반응성가스는 질소(N), 산소(O), 황(S), 셀레늄(Se), 불소(F) 중 어느 하나 또는 이들의 조합인 것이며, 상기 박막의 두께는 15nm 이하이며, 상기 박막의 퍼콜레이션 임계두께(percolation threshold thickness)는 4nm 미만인 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막
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제 9 항에 있어서, 상기 박막 내의 반응성가스 성분은, 반응성가스와 증착대상 금속이 화학양론적 화합물을 이루는데 요구되는 반응성가스의 양 미만인 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막
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제 9 항에 있어서, 상기 박막 내에 혼입된 반응성가스는, 기판의 열처리 또는 빛 조사에 의해 50℃ 이상 400℃ 미만의 온도에서 제거되는 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막
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제 11 항에 있어서, 박막이 형성된 기판을 열처리하여, 금속과 반응성가스의 결합을 분해하여 반응성가스가 제거되는 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막
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제 11 항에 있어서, 박막에 빛을 조사하여, 금속과 반응성가스의 결합을 분해하여 반응성가스가 제거되는 것을 특징으로 하는 초박형 금속 연속박막
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