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전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법(Electrode manufacture method through the photo-thermo-chemical reduction of the conductive nanowires)

  • 기술번호 : KST2017007810
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 본 발명의 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 구리 전극 패턴 제조방법에 있어서, 첫째, 전도성 나노와이어를 기판위에 형성하는 단계, 둘째, 첫째 단계의 전도성 나노와이어를 열 또는 습도를 통하여 산화시켜 산화된 전도성 나노와이어를 형성하는 단계, 셋째, 둘째 단계의 산화된 전도성 나노와이어에 환원제를 코팅하는 단계, 넷째, 레이저를 산화된 전도성 나노와이어에 집광하는 단계, 다섯째, 산화된 전도성 나노와이어가 환원되어 전극을 얻는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 구리 전극 패턴 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01B 13/00 (2015.12.17) H01B 5/14 (2015.12.17) H01B 1/20 (2015.12.17) H01B 1/02 (2015.12.17)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020150155370 (2015.11.05)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0053218 (2017.05.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.05)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고승환 대한민국 서울시 관악구
2 홍석준 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 한승용 대한민국 서울시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-1079751-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0000478-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0163171-58
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0433680-40
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0529727-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0637782-27
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0637788-01
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0827443-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법에 있어서, i)전도성 나노와이어를 기판위에 형성하는 단계;ii)상기 i)단계의 전도성 나노와이어를 열 또는 습도를 통하여 산화시켜 산화된 전도성 나노와이어를 형성하는 단계;iii)상기 ii)단계의 산화된 전도성 나노와이어에 환원제를 코팅하는 단계;iv)레이저를 상기 산화된 전도성 나노와이어에 집광하는 단계;v)상기 산화된 전도성 나노와이어가 환원되어 전극을 얻는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 iii)단계의 환원제는 에틸렌 글리콜, 폴리올, 폴리 에틸렌 글리콜, 터피네올, 에탄올, 이소버틸 알코올, 부탄올, 부탄디올, 페타놀, 헥사놀, 클리코 헥사놀, 옥틸 알코올, 벤질 알코올 및 유게놀 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 1종이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 iv)단계의 레이저는 연속파장(CW)레이저 또는 펄스(Pulse) 레이저인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 레이저는 파장이 100nm 내지 600nm 인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 레이저의 집광속도는 100mm/s 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 iv)단계에서 레이저를 집광하여 환원할 때, 상기 산화된 전도성 나노와이어의 일부분을 환원시켜 상기 전극에 소정의 패턴을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 전도성 나노와이어는 구리, 금, 백금, 은, 카본나노튜브, 그라파이트, 그래핀, 전도성 폴리머, 알루미늄, 크롬 또는 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 1종이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 패턴 제조방법
8 8
청구항 1의 방법으로 제조된 전극 패턴을 포함하는 전극 어레이
9 9
청구항 1의 방법으로 제조된 전극 패턴을 포함하는 투명전극
10 10
전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 레이어 제조방법에 있어서, a)전도성 나노와이어를 기판위에 형성하는 단계;b)상기 a)단계의 전도성 나노와이어에 환원제를 코팅하는 단계;c)레이저를 상기 전도성 나노와이어에 집광하는 단계;d)상기 전도성 나노와이어가 환원되어 전극 레이어를 얻는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 레이어 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 b)단계의 환원제는 에틸렌 글리콜, 폴리올, 폴리 에틸렌 글리콜, 터피네올, 에탄올, 이소버틸 알코올, 부탄올, 부탄디올, 페타놀, 헥사놀, 클리코 헥사놀, 옥틸 알코올, 벤질 알코올 및 유게놀 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 1종이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 전극 레이어 제조방법
12 12
청구항 10에 있어서,상기 c)단계의 레이저는 연속파장(CW)레이저 또는 펄스(Pulse) 레이저인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 레이어 제조방법
13 13
청구항 10에 있어서,상기 c)단계의 레이저는 파장이 100nm 내지 600nm 인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 레이어 제조방법
14 14
청구항 10에 있어서,상기 c)단계의 레이저의 집광속도는 100mm/s 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 레이어 제조방법
15 15
청구항 10에 있어서,상기 a)단계와 b)단계 사이에 전도성 나노와이어를 열과 습도를 이용하여 산화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 레이어 제조방법
16 16
청구항 10에 있어서,상기 전도성 나노와이어는 구리, 금, 백금, 은, 카본나노튜브, 그라파이트, 그래핀, 전도성 폴리머, 알루미늄, 크롬 또는 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 1종이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 나노와이어의 광열화학적 환원을 통한 레이어 제조방법
17 17
청구항 10의 방법으로 제조된 전극 레이어를 포함하는 전극 어레이
18 18
청구항 10의 방법으로 제조된 전극 레이어를 포함하는 투명전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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