요약 | 본 발명은 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 복수의 메모리 층들을 포함하고, 각각의 메모리 층은 일단에 각각의 비트 라인이 연결되고, 타단에는 공통 배선 라인이 연결되는 복수의 채널 라인들, 상기 복수의 채널 라인들의 상기 일단으로부터 타단까지 상기 복수의 채널 라인들을 교차하는 하나 이상의 더미 스트링 선택 라인, 복수의 스트링 선택 라인들, 복수의 워드 라인들 및 접지 선택 라인을 포함하며, 상기 더미 스트링 선택 라인, 상기 복수의 스트링 선택 라인들, 상기 복수의 워드 라인들 및 상기 접지 선택 라인에 각각 결합되는 메모리 스트링들을 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법이 제공될 수 있다. 상기 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법은, 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 복수의 스트링 선택 트랜지스터를 적어도 하나 이상의 문턱 값으로 프로그래밍하는 제 1 단계; 및 상기 더미 스트링 선택 라인에 결합된 더미 스트링 선택 트랜지스터들과 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 스트링 선택 트랜지스터들이 함께 메모리 층 선택을 위한 스트링 선택 트랜지스터로 기능하도록, 상기 더미 스트링 선택 트랜지스터를 소정의 문턱 값으로 프로그래밍하는 제 2 단계를 포함한다. |
---|---|
Int. CL | G11C 16/20 (2006.01.01) G11C 16/34 (2006.01.01) G11C 16/04 (2006.01.01) |
CPC | G11C 16/20(2013.01) G11C 16/20(2013.01) G11C 16/20(2013.01) G11C 16/20(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020150160049 (2015.11.14) |
출원인 | 에스케이하이닉스 주식회사, 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-2005849-0000 (2019.07.25) |
공개번호/일자 | 10-2017-0056804 (2017.05.24) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20190731) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2017.11.17) |
심사청구항수 | 30 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 대한민국 | 경기도 이천시 |
2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박병국 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
2 | 권대웅 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
3 | 김도빈 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
4 | 이상호 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김권석 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 경기도 이천시 | |
2 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2015.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1110293-07 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2015.11.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0173763-23 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2015.12.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1225212-83 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2017.11.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1147620-69 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2019.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0310131-16 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0674798-38 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.07.01 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0674805-71 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2019.07.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0526688-89 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 복수의 메모리 층들을 포함하고, 각각의 메모리 층은 일단에 각각의 비트 라인이 연결되고, 타단에는 공통 배선 라인이 연결되는 복수의 채널 라인들, 상기 복수의 채널 라인들의 상기 일단으로부터 타단까지 상기 복수의 채널 라인들을 교차하는 하나 이상의 더미 스트링 선택 라인, 복수의 스트링 선택 라인들, 복수의 워드 라인들 및 접지 선택 라인을 포함하며, 상기 더미 스트링 선택 라인, 상기 복수의 스트링 선택 라인들, 상기 복수의 워드 라인들 및 상기 접지 선택 라인에 각각 결합되는 메모리 스트링들을 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법으로서, 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 복수의 스트링 선택 트랜지스터를 적어도 하나 이상의 문턱 값으로 프로그래밍하는 제 1 단계; 및상기 더미 스트링 선택 라인에 결합된 더미 스트링 선택 트랜지스터들과 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 스트링 선택 트랜지스터들이 함께 메모리 층 선택을 위한 스트링 선택 트랜지스터로 기능하도록, 상기 더미 스트링 선택 트랜지스터를 소정의 문턱 값으로 프로그래밍하는 제 2 단계를 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법, |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 상기 복수의 메모리 층들 중 선택된 메모리 층 내의 선택된 스트링 선택 라인에 제 1 프로그램 전압을 인가하는 제 1 프로그래밍 단계;상기 선택된 스트링 선택 라인에 결합된 스트링 선택 트랜지스터들의 문턱 값이 타겟 값에 도달했는지 여부를 판정하여 프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터와 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터를 검출하는 검증 단계;상기 워드 라인들 중 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하여, 상기 프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터들이 결합된 메모리 스트링의 메모리 셀 트랜지스터를 소정의 문턱 값을 갖도록 프로그래밍하는 스크리닝 트랜지스터의 프로그래밍 단계; 및스크리닝 트랜지스터로서 상기 프로그래밍된 메모리 셀 트랜지스터를 이용하여 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터의 채널 라인을 프로그램 금지시키고, 상기 선택된 스트링 선택 라인에 제 2 프로그램 전압을 인가함으로써, 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터를 선택적으로 프로그래밍하는 제 2 프로그래밍 단계를 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 프로그래밍 단계, 상기 검증 단계, 및 상기 제 2 프로그래밍 단계는, ISPP(incremental step pulse programming) 모드에 기반하여 수행되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 단계는 더미 스트링 선택 라인을 이용하여 수행되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
5 |
5 제 2 항에 있어서,상기 제 1 프로그래밍 단계 이전에, 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 복수의 스트링 선택 트랜지스터들, 및 상기 복수의 워드 라인들에 결합된 복수의 메모리 셀 트랜지스터들을 소거하는 소거 단계를 더 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
6 |
6 제 2 항에 있어서,상기 검증 단계에서, 상기 비트 라인들에 센싱 전압을 인가하고, 비선택 메모리 층들의 공통 배선 라인에는 상기 센싱 전압과 동일한 전압이 인가되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
7 |
7 제 2 항에 있어서, 상기 스크리닝 트랜지스터의 프로그래밍 단계에서, 상기 선택된 워드 라인에 인가된 프로그램 전압에 의해 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터의 메모리 스트링에 채널 전위 부스팅이 유도되어 프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터의 메모리 스트링의 메모리 셀 트랜지스터는 프로그램 금지되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터가 결합된 비트 라인에는 컬렉터 전압 이상의 전압을 인가하고, 프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터가 결합된 비트 라인에는 접지 신호를 인가하여, 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터가 결합된 메모리 스트링에 상기 채널 전위 부스팅을 유도하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
9 |
9 제 2 항에 있어서,상기 제 2 프로그래밍 단계에서, 상기 선택된 메모리 층의 공통 배선 라인은 접지하고, 비선택 메모리 층의 공통 배선 라인에는 컬렉터 전압을 인가하고, 상기 비트 라인들에는 컬렉터 전압을 인가하여 상기 비선택된 메모리 층의 메모리 스트링들의 채널 라인들을 전기적으로 플로팅시키는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
10 |
10 제 2 항에 있어서,상기 제 2 프로그래밍 단계는, 상기 프로그래밍된 메모리 셀 트랜지스터가 결합된 선택된 워드 라인에 상기 프로그래밍된 메모리 셀 트랜지스터의 문턱 값보다 작은 전압을 인가하고, 상기 선택된 스트링 선택 라인에 상기 제 2 프로그램 전압을 인가함으로써, 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터가 선택적으로 프로그래밍되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계는, 상기 더미 스트링 선택 트랜지스터들의 문턱 값을 소정의 제 1 타겟 값으로 프로그래밍하는 초기 레벨링 단계; 및선택된 메모리 층의 공통 배선 라인에 소거 전압 신호를 인가하여, 상기 프로그래밍된 더미 스트링 선택 트랜지스터의 문턱 값을 스트링 선택 트랜지스터로 기능하기 위한 제 2 타겟 값으로 프로그래밍하는 단계를 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 소거 전압 신호는 상기 제 2 타겟 값에 따라 선택되는 레벨을 갖는 소거 전압 신호인 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
13 |
13 제 11 항에 있어서,상기 소거 전압 신호는 시변 구간을 갖는 소거 전압 신호이며, 상기 소거 전압 신호의 상기 시변 구간에서 상기 더미 스트링 선택 라인을 접지 또는 플로팅시켜 상기 제 2 타겟으로 상기 더미 스트링 선택 트랜지스터들을 프로그래밍하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 소거 전압 신호의 상기 시변 구간은, 램핑 구간, 스텝형 구간 또는 이의 조합을 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
15 |
15 제 13 항에 있어서,상기 시변 구간은 증가형 모드 또는 감소형 모드인 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
16 |
16 제 11 항에 있어서,상기 선택된 메모리 층에 대하여, 상기 소거 전압 신호가 인가되는 동안, 선택되지 않은 메모리 층의 공통 배선 라인에는 소거 금지를 위한 전압 신호가 인가되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
17 |
17 제 11 항에 있어서,상기 소거 전압 신호가 인가되는 동안, 상기 비트 라인들은 전기적으로 플로팅되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
18 |
18 제 1 항에 있어서, 상기 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 상기 채널 라인들은 채널 적층형 구조, 직선형 BiCs 구조(straight-shaped Bit Cost Scalable 구조), 파이프형 BiCs(pipe-shaped Bit Cost Scalable) 구조 또는 이의 조합 구조를 갖는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
19 |
19 제 1 항에 있어서,상기 메모리 스트링은 NAND 플래시 메모리 소자를 구성하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
20 |
20 복수의 메모리 층들을 포함하고, 각각의 메모리 층은 일단에 각각의 비트 라인이 연결되고, 타단에는 공통 배선 라인이 연결되는 복수의 채널 라인들, 상기 복수의 채널 라인들의 상기 일단으로부터 타단까지 상기 복수의 채널 라인들을 교차하는 하나 이상의 더미 스트링 선택 라인, 복수의 스트링 선택 라인들, 복수의 워드 라인들 및 접지 선택 라인을 포함하며, 상기 더미 스트링 선택 라인, 상기 복수의 스트링 선택 라인들, 상기 복수의 워드 라인들 및 상기 접지 선택 라인에 각각 결합되는 메모리 스트링들을 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 스트링 선택 트랜지스터들의 초기화 방법으로서, 상기 복수의 메모리 층들 중 선택된 메모리 층에 대하여, ISPP 모드를 기반으로 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 상기 스트링 선택 트랜지스터들을 소정의 문턱 값을 갖도록 프로그래밍하는 제 1 단계; 및상기 더미 스트링 선택 라인에 결합된 더미 스트링 선택 트랜지스터들과 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 상기 스트링 선택 트랜지스터들이 함께 메모리 층 선택을 위한 스트링 선택 트랜지스터로 기능하도록, 상기 더미 스트링 선택 트랜지스터를 소정의 문턱 값으로 프로그래밍하는 제 2 단계를 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법, |
21 |
21 제 20 항에 있어서,상기 제 1 단계 이전에, 상기 복수의 스트링 선택 트랜지스터들을 소거하는 소거 단계를 더 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
22 |
22 제 20 항에 있어서,상기 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 상기 채널 라인들은 채널 적층형 구조, 직선형 BiCs 구조(straight-shaped Bit Cost Scalable 구조), 파이프형 BiCs(pipe-shaped Bit Cost Scalable) 구조 또는 이의 조합 구조를 갖는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
23 |
23 제 20 항에 있어서,상기 메모리 스트링은 NAND 플래시 메모리 소자를 구성하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
24 |
24 복수의 메모리 층들을 포함하고, 각각의 메모리 층은 일단에 각각의 비트 라인이 연결되고, 타단에는 공통 배선 라인이 연결되는 복수의 채널 라인들, 상기 복수의 채널 라인들의 상기 일단으로부터 타단까지 상기 복수의 채널 라인들을 교차하는 하나 이상의 더미 스트링 선택 라인, 복수의 스트링 선택 라인들, 복수의 워드 라인들, 더미 접지 라인 및 접지 선택 라인을 포함하며, 상기 더미 스트링 선택 라인, 상기 복수의 스트링 선택 라인들, 상기 복수의 워드 라인들, 상기 더미 접지 라인 및 상기 접지 선택 라인에 각각 결합되는 메모리 스트링들을 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법으로서, 상기 복수의 메모리 층들 중 선택된 메모리 층의 선택된 스트링 선택 라인에 제 1 프로그램 전압을 인가하는 제 1 프로그래밍 단계;상기 선택된 스트링 선택 라인에 결합된 스트링 선택 트랜지스터들의 문턱 값이 타겟 값에 도달했는지 여부를 판정하는 검증 단계;상기 검증 단계에 의해 검출된 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터가 결합된 비트 라인에는 컬렉터 전압 이상의 전압을 인가하고, 프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터가 결합된 비트 라인에는 접지 신호를 인가하며, 상기 더미 접지 라인에 프로그램 전압을 인가하여, 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터의 메모리 스트링에 채널 전위 부스팅을 유도함으로써, 상기 프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터들의 메모리 스트링 내의 더미 접지 트랜지스터를 소정의 문턱 값을 갖도록 프로그래밍하고 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터의 메모리 스트링 내의 더미 접지 트랜지스터는 프로그래밍하지 않는 스크리닝 트랜지스터의 프로그래밍 단계; 프로그래밍된 스크리닝 트랜지스터를 턴오프시키고, 비프로그래밍된 스크리닝 트랜지스터를 턴온시키며, 상기 선택된 스트링 선택 라인에 제 2 프로그램 전압을 인가함으로써, 상기 비프로그래밍된 스트링 선택 트랜지스터를 선택적으로 프로그래밍하는 제 2 프로그래밍 단계; 및 상기 더미 스트링 선택 라인에 결합된 더미 스트링 선택 트랜지스터들과 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 스트링 선택 트랜지스터들이 함께 메모리 층 선택을 위한 스트링 선택 트랜지스터로 기능하도록, 상기 더미 스트링 선택 트랜지스터를 소정의 문턱 값으로 프로그래밍하는 제 3 프로그래밍 단계를 포함하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법, |
25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 제 1 프로그래밍 단계, 상기 검증 단계, 및 상기 제 2 프로그래밍 단계는, ISPP(incremental step pulse programming) 모드에 기반하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
26 |
26 제 24 항에 있어서,상기 제 1 프로그래밍 단계 이전에, 상기 복수의 스트링 선택 라인들에 결합된 복수의 스트링 선택 트랜지스터들 및 상기 더미 접지 라인에 결합된 접지 트랜지스터를 소거하는 소거 단계를 더 수행하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
27 |
27 제 24 항에 있어서,상기 검증 단계는 상기 비트 라인들에 센싱 전압을 인가하고, 비선택 메모리 층들의 공통 배선 라인에는 상기 센싱 전압과 동일한 전압이 인가되는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
28 |
28 제 24 항에 있어서,상기 제 2 프로그래밍 단계는, 상기 선택된 메모리 층의 공통 배선 라인은 접지하고, 비선택 메모리 층의 공통 배선 라인에는 컬렉터 전압을 인가하고, 상기 비트 라인들에는 컬렉터 전압을 인가하여 상기 비선택된 메모리 층의 메모리 스트링들의 채널 라인들을 전기적으로 플로팅시키는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
29 |
29 제 24 항에 있어서, 상기 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 상기 채널 라인들은 채널 적층형 구조, 직선형 BiCs 구조(straight-shaped Bit Cost Scalable 구조), 파이프형 BiCs(pipe-shaped Bit Cost Scalable) 구조 또는 이의 조합 구조를 갖는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
30 |
30 제 24 항에 있어서,상기 메모리 스트링은 NAND 플래시 메모리 소자를 구성하는 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09685235 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20170140829 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2017140829 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9685235 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-2005849-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20151114 출원 번호 : 1020150160049 공고 연월일 : 20190731 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20190722 청구범위의 항수 : 30 유별 : G11C 16/20 발명의 명칭 : 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
1 |
(권리자) 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,205,000 원 | 2019년 07월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2015.11.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1110293-07 |
2 | 보정요구서 | 2015.11.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2015-0173763-23 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2015.12.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-1225212-83 |
4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2017.11.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1147620-69 |
5 | 의견제출통지서 | 2019.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0310131-16 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.07.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0674798-38 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.07.01 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0674805-71 |
10 | 등록결정서 | 2019.07.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0526688-89 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345244333 |
---|---|
세부과제번호 | 21A20131612805 |
연구과제명 | 창의정보기술 인재양성사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2015 |
연구기간 | 201309~202008 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
[1020150185989] | 클러스터 트리 구조의 무선 통신 네트워크에서 자가 망 치료 방법 | 새창보기 |
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[1020150181045] | 빔포밍 장치 및 이를 포함하는 시스템 | 새창보기 |
[1020150160049] | 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법(Method of initializing 3 dimensional non-volatile memory device) | 새창보기 |
[1020150155418] | 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 및 이의 프로그래밍 방법(Method of initializing and programing 3 dimensional non-volatile memory device) | 새창보기 |
[1020150154526] | 블루투스 방식을 지원하는 무선 통신 시스템에서 연결 주기 제어 장치 및 방법(APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING CONNECTION INTERVAL IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM SUPPORTING BLUETOOTH SCHEME) | 새창보기 |
[1020150154161] | 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 및 이의 프로그래밍 방법(Method of initializing and programing 3 dimensional non-volatile memory device) | 새창보기 |
[1020150144436] | 생체 시료의 선별적 처리방법 | 새창보기 |
[1020150144416] | 비대칭 전송 전력 기반 무선 네트워크에서 신호 송수신 방법 | 새창보기 |
[1020150140813] | 모터 구동장치 및 이를 구비하는 홈 어플라이언스(Motor driving apparatus and home appliance including the same) | 새창보기 |
[1020150137806] | 소리 수집 단말, 소리 제공 단말, 소리 데이터 처리 서버 및 이들을 이용한 소리 데이터 처리 시스템 | 새창보기 |
[1020150135773] | 통신 시스템에서 패킷을 스케쥴링하는 장치 및 방법(APPARATUS AND METHOD FOR SCHEDULING PACKET IN COMMUNICATION SYSTEM) | 새창보기 |
[1020150134980] | 진동 자극 기반의 수면 중 무자각 발기 현상 진단 장치 및 방법(UNCONSCIOUS NOCTURNAL PENILE TUMESCENCE DIAGNOSIS BASED ON VIBRATION STIMULATION) | 새창보기 |
[1020150134972] | 프로그레시브 센싱 기반의 수면 중 무자각 발기 현상 진단 장치 및 방법(DEVICE AND METHOD OF UNCONSCIOUS NOCTURNAL PENILE TUMESCENCE DIAGNOSIS BASED ON PROGRESSIVE SENSING) | 새창보기 |
[1020150134969] | 근거리 통신 기반의 수면 중 무자각 발기 현상 진단 장치 및 방법(DEVICE AND METHOD OF UNCONSCIOUS NOCTURNAL PENILE TUMESCENCE DIAGNOSIS BASED ON NEAR FIELD COMMUNICATION) | 새창보기 |
[1020150128568] | 패킷을 전송하는 장치 및 방법(APPARATUS AND METHOD FOR TRANSMITTING PACKETS) | 새창보기 |
[1020150118216] | 무선 통신 시스템에서 캐리어 감지 임계값 결정 방법 및 장치(METHOD AND APPARATUS FOR DETERMINING CARRIER SENSE THRESHOLD IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM) | 새창보기 |
[1020150117501] | 무선 통신 시스템에서 버퍼 상태 정보 송수신 방법 및 장치(METHOD AND APPARATUS FOR TRANSMITTING AND RECEIVING BUFFER STATUS INFORMATION IN WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM) | 새창보기 |
[1020150109503] | 딥 빌리프 네트워크를 위한 복수 레이어가 적층된 뉴런 어레이 및 뉴런 어레이 동작 방법 | 새창보기 |
[1020150107555] | 이동 로봇 및 그 제어방법(MOVING ROBOT AND CONTROLLING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[1020150105321] | 안테나, 차량용 레이더, 및 이를 구비하는 차량(Antenna, radar for vehicle, and vehicle including the same) | 새창보기 |
[1020150104537] | 초고주파 공진형 컨버터 및 이를 포함하는 전력 변환 모듈(SUPER HIGH FREQUENCY RESONANT CONVERTER AND POWER CONVERTER MODULE COMPRISING THEREOF) | 새창보기 |
[1020150102949] | 투명 디스플레이 장치 및 그 디스플레이 방법(TRANSPARENT DISPLAY APPARATUS AND METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[1020150102626] | 다중 안테나 선택 기법 및 장치(Apparatus and method for antenna selection of multiple antenna) | 새창보기 |
[1020150100515] | 레이저 스펙클 대조도 이미징 시스템 및 방법, 이를 적용한 장치(Imaging system and mentod of laser speckle contrast and apparatus employing the same) | 새창보기 |
[1020150094739] | 멀티캐스트 스크린 미러링 장치 및 방법(DEVICE AND METHOD FOR MULTICAST SCREEN MIRRORING) | 새창보기 |
[1020150092437] | 높은 안정도를 가지는 쌍둥이 회로로 구성된 차동 갭센서(Twin Circuit based Differential Gap Sensor for High Stability) | 새창보기 |
[1020150092366] | 액세스 포인트 장치, 이를 포함하는 무선랜 시스템, 및 이의 채널 사운딩 방법(ACCESS POINT APPARATUS, WIRELESS LAN SYSTEM INCLUDING THE SAME, AND CHANNEL SOUNDING METHOD OF THE SAME) | 새창보기 |
[1020150092111] | 바이오 센서 및 바이오 센서 어레이(Biosensor and Biosensor Array) | 새창보기 |
[1020150089165] | 아이오딘화 수소 처리된 고분자 투명전극을 이용한 유기태양전지 및 그의 제조 방법(Hydroiodic acid treated PEDOT:PSS thin film as transparent electrode for organic photovoltaics) | 새창보기 |
[1020150084452] | 무선 랜 Group ID 분할 시스템 및 그 방법 | 새창보기 |
[1020150075854] | 컨버터모듈 및 컨버터시스템 | 새창보기 |
[1020150070369] | 이벤트 데이터를 수집하는 시스템 및 이벤트 데이터를 수집하는 방법 | 새창보기 |
[1020150070367] | 영상 정보 수집 시스템 및 이동 객체에 대한 영상 정보를 수집하는 방법 | 새창보기 |
[1020150063286] | 무선 통신 시스템에서의 적응적으로 DBO를 사용하는 방법 및 이를 위한 장치 | 새창보기 |
[1020150063285] | 무선 통신 시스템에서의 전송 프레임 필드 값을 산정하는 방법 및 이를 위한 장치 | 새창보기 |
[1020150060949] | 심화 학습 모델을 이용한 목표 화자의 적응형 목소리 변환 방법 및 이를 구현하는 음성 변환 장치 | 새창보기 |
[1020150054404] | 차량용 네트워크의 침입 탐지 시스템(IDS) 및 그 제어방법 | 새창보기 |
[1020150039101] | 반도체 장치 | 새창보기 |
[1020150031696] | 신호 수신 장치 | 새창보기 |
[1020150017367] | 소리 수집 단말, 소리 제공 단말, 소리 데이터 처리 서버 및 이들을 이용한 소리 데이터 처리 시스템 | 새창보기 |
[1020150003581] | 원 포트 탐침을 이용한 투자율 및 유전율 측정 장치 및 방법 | 새창보기 |
[KST2016016717][서울대학교] | 비휘발성 메모리 소자 및 이의 구동 방법(Non-volatile memory device and method of driving the same) | 새창보기 |
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[KST2017007743][서울대학교] | 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 및 이의 프로그래밍 방법(Method of initializing and programing 3 dimensional non-volatile memory device) | 새창보기 |
[KST2015135493][서울대학교] | 데이터 감지방법 | 새창보기 |
[KST2017011306][서울대학교] | 데이터 저장 장치 및 이의 구동 방법(Data storage device and method of driving the same) | 새창보기 |
[KST2023002096][서울대학교] | 스파이킹 신경망 장치, 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 | 새창보기 |
[KST2015137537][서울대학교] | 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 관리 방법 | 새창보기 |
[KST2014050450][서울대학교] | 블록 이레이즈 가능한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이 | 새창보기 |
[KST2021009774][서울대학교] | 신경망을 위한 시냅스 스트링 어레이 아키텍처 | 새창보기 |
[KST2015137468][서울대학교] | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동적 접근 방법 | 새창보기 |
[KST2019005992][서울대학교] | 셀 스트링의 선택 트랜지스터를 프로그램함으로 데이터를 보호하는 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 장치 | 새창보기 |
[KST2020000562][서울대학교] | 비휘발성 메모리의 주소를 관리하는 반도체 장치 | 새창보기 |
[KST2015136214][서울대학교] | 랜덤텔레그래프 노이즈 영향을 억제하기 위한 반도체 소자에서의 읽기 방법 | 새창보기 |
[KST2017007808][서울대학교] | 3 차원 비휘발성 메모리 소자의 초기화 방법 및 이의 프로그래밍 방법(Method of initializing and programing 3 dimensional non-volatile memory device) | 새창보기 |
[KST2019017397][서울대학교] | 3차원 적층 시냅스 어레이 기반의 뉴로모픽 시스템과 그 동작 방법 및 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015135482][서울대학교] | 반도체 메모리 장치, 반도체 시스템 및 데이터 감지방법 | 새창보기 |
[KST2015135702][서울대학교] | 스트링선택트랜지스터들의 문턱전압을 모니터링하는 SSL 상태 확인 빌딩을 구비한 3차원 적층형 낸드 플래시 메모리 어레이, 그 모니터링 및 구동방법 | 새창보기 |
[KST2017001457][서울대학교] | 리텐션에 의한 데이터 손실을 방지하는 데이터 처리 시스템의 작동 방법(METHOD OF DATA PROCESSING SYSTEM TO PREVENTING DATA LOSS DUE TO RETENTION) | 새창보기 |
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