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전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극;상기 제 1 전극상에 직접적으로 형성되며, 두께가 20nm 내지 60nm이고, C60 및 C70로부터 선택되는 하나 이상의 풀러렌으로 된 전자수송층; 상기 전자수송층 상에 형성된 페로브스카이트층;상기 페로브스카이트층 상에 형성된 정공전달층; 및상기 정공전달층 상에 형성된 제2전극을 포함하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,히스테리시스가 5% 이하인 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,광전변환효율이 16% 이상인 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전도성 투명 기재가 인듐틴옥사이드(ITO) 또는 그래핀(Graphene)인 것인 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 전자수송층을 포함하는 태양전지의 Rs 저항(series resist)이 200ohm 이하인 페로브스카이트 태양전지
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전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극 상에 C60 및 C70 로부터 선택되는 하나 이상의 풀러렌을 20nm 내지 60nm의 두께로 증착하여 전자수송층을 형성하는 단계; 상기 전자수송층 상에 페로브스카이트층을 형성하는 단계;상기 페로브스카이트층 상에 형성된 정공전달층을 형성하는 단계; 및상기 정공전달층 상에 형성된 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는, 제1항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항의 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1전극 상에 C60 및 C70 로부터 선택되는 하나 이상의 풀러렌을 열 증착법으로 증착하는 것인 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서,전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극 상에 C60 및 C70 로부터 선택되는 하나 이상의 풀러렌을 증착하여 전자수송층을 형성하되, 증착속도를 2
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제9항에 있어서,전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극 상에 C60 및 C70 로부터 선택되는 하나 이상의 풀러렌을 증착하여 전자수송층을 형성하되, 증착속도를 0
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트가 하기 화학식 1로 표시되는 것인 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1]APbX3상기 식에 있어서,A 는 유기 양이온 또는 무기 양이온이며,X 는 F-, Cl-, Br- 또는 I-의 할로겐 이온이다
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제13항에 있어서,A는 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 유기 양이온 및 Cs+ 에서 선택되는 하나 이상인 것인 페로브스카이트 태양전지: [화학식 3] (R1R2N=CH-NR3R4)+상기 식에 있어서,R1, R2, R3 및 R4는 독립적으로 수소 및 비치환 또는 치환된 C1-C6 알킬로부터 선택되는 것이고,[화학식 4](R5R6R7R8N)+상기 식에 있어서,R5, R6, R7 및 R8은 수소, 비치환 또는 치환된 C1-C20 알킬 또는 비치환 또는 치환된 아릴이다
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제13항에 있어서,A가 CH3NH3+, CH(NH2)2+ 및Cs+ 에서 선택되는 하나 이상인 것인 페로브스카이트 태양전지
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제13항에 있어서,상기 페로브스카이트의 A가 2종 이상의 양이온 이고, X가 2종 이상의 할로겐 이온인 혼합구조를 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지
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제13항에 있어서,상기 페로브스카이트가 하기 화학식 4의 어덕트(adduct) 화합물로부터 제조된 것인 페로브스카이트 태양전지:[화학식 4]AX'·PbY2 ·Q상기 식에 있어서,A 는 유기화합물 양이온 또는 무기 양이온이며,X',Y는 각각 독립적으로 F-, Cl-, Br- 또는 I-의 할로겐 이온이며,Q는 비공유 전자쌍을 갖는 원자를 전자쌍 주개로 하는 작용기를 포함하는 루이스 염기(Lewis base) 화합물이다
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