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칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막을 형성하는 단계; 및상기 형성된 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막을 칼코겐 원소 C-함유 전구체를 포함하는 기체 분위기 하에서 어닐링하는 것에 의하여 상기 A-B 비정질 막을 칼코게나이드화함으로써 결정화된 칼코겐-함유 A-B-C 막을 형성하는 단계를 포함하는, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법으로서,여기서, A는 Ge, Sn, Si, In, Al, 또는 Ga을 포함하고, B는 Sb, As, Bi, 또는 P를 포함하는 것이고, 상기 칼코겐 원소 C-함유 전구체는 아민기, 알킬기, 알킬아민기, 알콕시기, 실릴기, 게르밀기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 치환기를 함유하는 것이며,상기 칼코겐 원소 C는 S, Se, 또는 Te를 포함하는 것이고,상기 어닐링 온도는 상기 A-B 비정질 막의 형성 온도와 같거나 더 높은 것인,상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막을 형성하는 것은 물리적 기상 증착법 또는 화학적 기상 증착법에 의해 수행되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막을 형성하는 것은 원자층 증착법에 의해 수행되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막을 형성하는 것은 80℃ 내지 300℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐 원소 C-함유 전구체를 포함하는 기체 분위기는 0
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제 1 항에 있어서,상기 어닐링은 150℃ 내지 500℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막의 형성은 A-함유 전구체 및 B-함유 전구체 간의 직접적인 화학 반응에 의한 것, A-함유 전구체의 환원과 B-함유 전구체의 환원에 의한 것, A-함유 전구체의 열분해와 B-함유 전구체의 열분해에 의한 것, 또는 이들의 조합에 의한 것이며, 상기 반응은 반복 수행되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 A-함유 전구체는, 시클로펜타디에닐(Cp), 알킬기, 아민기, 알킬아민기, 알콕시기, 할라이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 치환기를 포함하고, 상기 B-함유 전구체는 Si-함유 치환기, Ge-함유 치환기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 치환기를 포함하는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 A-함유 전구체는 ACpn, ARn, AHnR4-n, A(NR2)n, A(OR)n, AXn, AHnX4-n, AXn-다이옥산, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하고,상기 B-함유 전구체는 B-(SiR3)m, B-[Si(NR2)3]m, B-(GeR3)m, B-[Ge(NR2)3]m, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것 포함하며, 여기서, R은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 포함하고, n 및 m은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수인 것이며, X는 염소, 브롬, 불소, 또는 요오드인 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코게나이드화 과정에서, 상기 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막에 포함된 보이드(void)에 상기 칼코겐 원소가 주입됨으로써 상기 보이드가 감소되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막을 형성하는 단계 및 상기 칼코게나이드화 과정 각각의 사이클 수, 어닐링 온도, 또는 원료 기체의 분압에 따라 상기 A-B 비정질 막 또는 상기 A-B-C 막의 조성이 조절되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐-함유 A-B-C 막을 형성하는 단계에서, 상기 칼코겐 원소 C-함유 전구체 기체의 공급 시간, 상기 칼코겐 원소 C-함유 전구체 기체의 공급 주기 구성, 어닐링 온도, 또는 상기 칼코겐 원소 C-함유 전구체 기체의 분압을 조절함으로써 조성이 상이한 둘 이상의 층을 포함하는 칼코겐-함유 A-B-C 막을 형성하는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제조된 칼코겐을 함유하지 않는 A-B 비정질 막을 칼코겐 원소 C-함유 전구체를 포함하는 기체 분위기 하에서 어닐링하는 것은,상기 칼코겐 원소 C-함유 전구체 기체의 공급과 퍼지의 사이클(cycle)을 반복하여 상기 사이클의 수를 조절하면서 어닐링하는 것에 의하여 수행되는 것인, 상변화 메모리 소자용 칼코겐-함유 A-B-C 막의 제조 방법
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