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저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022021375
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 한 구체예에서 저항 변화 메모리 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극의 일면에 형성되며, 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하는 제1 활성층; 상기 제1 활성층 상에 형성되며, 산화아연(ZnO)을 포함하는 제2 활성층; 및 상기 제2 활성층 상에 형성된 제2 전극;을 포함한다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H02S 50/00 (2014.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/14(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0036(2013.01) H01L 51/0047(2013.01) H02S 50/00(2013.01) G11C 13/0004(2013.01) H01L 45/1233(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020210049221 (2021.04.15)
출원인 한국전력공사, 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0142771 (2022.10.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
2 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김덕기 서울시 광진구
2 김홍균 서울시 동대문구
3 하쉬다 파틸 서울시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2021-0440845-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극;상기 제1 전극의 일면에 형성되며, 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하는 제1 활성층;상기 제1 활성층 상에 형성되며, 산화아연(ZnO)을 포함하는 제2 활성층; 및상기 제2 활성층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하고,상기 제2 전극은 은(Ag), 금(Au) 및 백금(Pt) 중 하나 이상 포함하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 전극의 타면에 형성되는 기판을 더 포함하며,상기 기판은 글래스(glass), 폴리에테르술폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 중 하나 이상 포함하는 저항 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 1:0
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은 두께가 50~300nm 이고,상기 제1 활성층은 두께가 50~250nm 이고,상기 제2 활성층은 두께가 10~100nm 이고, 그리고상기 제2 전극은 두께가 50~200nm인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2 활성층 및 제1 활성층은 1:2~1:10 두께비로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
7 7
제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극의 일면에 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하는 제1 활성층을 형성하는 단계;상기 제1 활성층의 일면에 산화아연(ZnO)을 포함하는 제2 활성층을 형성하는 단계; 및상기 제2 활성층의 일면에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 전극은 포토리소그라피(photolithography)를 이용하여 패터닝되어 형성되며,상기 제1 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 제1 활성층은 상기 제1 전극의 일면에 제1 조성물을 이용하여 스핀 코팅, 슬롯 다이 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅 또는 그라비어 프린팅 하는 단계;를 포함하여 형성되며,상기 제1 조성물은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT), 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM) 및 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 제2 활성층은 상기 제1 활성층의 일면에 산화아연 및 용제를 포함하는 제2 조성물을 스핀 코팅, 슬롯 다이 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅 또는 그라비어 프린팅 하는 단계;를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 제2 전극은 포토리소그라피(photolithography)를 이용하여 패터닝되어 형성되며,상기 제2 전극용 물질은 은(Ag), 금(Au) 및 백금(Pt) 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
12 12
제7항에 있어서, 상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 1:0
13 13
제1항의 저항 변화 메모리 소자를 포함하는 장치
14 14
태양전지 모듈의 전압 또는 전류를 측정하는 측정부; 및상기 측정부로부터의 정보를 수신하여 태양전지 모듈의 고장 여부를 판정하는 판정부;를 포함하는 태양전지 모듈의 고장 진단 장치이며,상기 판정부는 태양전지 모듈 특성 변화 이력이 저장된 메모리 소자를 포함하고, 상기 메모리 소자는 제1 전극과 제2 전극 사이에 활성층이 형성된 구조를 가지며;상기 활성층은 제1 전극 상에 형성되는 제1 활성층; 및 상기 제1 활성층과 제2 전극 사이에 형성되는 제2 활성층을 포함하고,상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하고, 상기 제2 활성층은 산화아연을 포함하는 태양전지 모듈의 고장 진단 장치
15 15
복수의 태양전지 모듈; 및상기 태양전지 모듈에 연결된 태양전지 모듈의 고장 진단 장치;를 포함하는 태양전지 자가진단 시스템이며, 상기 태양전지 모듈의 고장 진단 장치는 상기 태양전지 모듈의 출력단에 접속되어 태양전지 모듈의 전압 또는 전류를 측정하는 측정부; 및상기 측정부로부터의 정보를 수신하여 태양전지 모듈의 고장 여부를 판정하는 판정부;를 포함하고, 상기 메모리 소자는 제1 전극과 제2 전극 사이에 활성층이 형성된 구조를 가지며;상기 활성층은 제1 전극 상에 형성되는 제1 활성층; 및 상기 제1 활성층과 제2 전극 사이에 형성되는 제2 활성층을 포함하고, 상기 제1 활성층은 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일)(P3HT) 및 페닐-C61-뷰티르산 메틸 에스테르(PCBM)를 포함하고, 상기 제2 활성층은 산화아연을 포함하는 태양전지 자가진단 시스템
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