맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

지연형광-양자점 전계발광다이오드(Delayed Florescence-Quantum Dot Electroluminescence Light Emitting Diode)

  • 기술번호 : KST2017010127
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지연형광-양자점 전계발광다이오드에 관한 발명으로서, 양극, 음극, 상기 양극과 음극 사이에 위치한 발광층을 포함하고, 발광층이 양자점 및 상기 양자점에 에너지를 공급하는 지연형광 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/50 (2016.01.22) H01L 51/56 (2016.01.22)
CPC H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01) H01L 51/502(2013.01)
출원번호/일자 1020150176095 (2015.12.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0069353 (2017.06.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.10)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이준엽 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 채희엽 대한민국 서울 서초구
3 김남훈 대한민국 경기 수원시 장안구
4 전상규 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-1211480-29
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0747239-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0043682-68
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-1126007-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0906205-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0126032-62
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0126008-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0303652-58
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0511550-21
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.05.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0511600-16
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0426414-05
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격되어 전계를 형성하는 양극과 음극; 및상기 양극과 음극 사이에 위치하고, 상기 전계의 인가시 상기 음극에서 주입된 전자와 상기 양극에서 주입된 정공의 재결합을 통해 광을 생성하는 발광층을 포함하고,상기 발광층은 양자점 및 상기 양자점의 여기 싱글렛 에너지와 동일하거나 이보다 큰 여기 싱글렛 에너지를 가져서 상기 양자점에 에너지를 공급하는 지연형광 물질을 포함하며,상기 발광층은 상기 양자점과 상기 지연형광 물질 중 상기 양자점의 밴드갭에 해당하는 파장의 광만을 생성하는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 발광층은 상기 양자점과 상기 지연형광 물질이 혼합되어 형성된 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
3 3
제2항에 있어서,상기 발광층은 상기 양자점과 상기 지연형광 물질이 1:2 ~ 1:100의 질량비로 혼합되어 형성된 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 발광층은 상기 양자점을 포함하는 양자점층과 상기 양자점층의 상부 또는 하부에 위치하며 상기 지연형광 물질을 포함하는 지연형광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
5 5
제4항에 있어서,상기 양자점층은 상기 지연형광층과 상기 음극 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
6 6
제4항에 있어서,상기 음극을 통해 주입된 전자와 상기 양극을 통해 주입된 정공의 재결합 영역은 상기 지연형광층에서 형성되는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
7 7
제6항에 있어서,상기 양자점층과 상기 지연형광층의 두께는 동일하거나 상기 지연형광층이 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지연형광 물질에 에너지를 공급하는 호스트 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서,상기 호스트 물질의 여기 싱글렛 에너지(S1C) 및 여기 트리플렛 에너지(T1C)는 상기 지연형광 물질의 여기 싱글렛 에너지(S1B) 보다 같거나 높은 에너지 준위를 갖는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드
11 11
양극을 형성하는 단계;상기 양극 상부에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상부에 음극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 발광층은 양자점 및 상기 양자점의 여기 싱글렛 에너지와 동일하거나 이보다 큰 여기 싱글렛 에너지를 가져서 상기 양자점에 에너지를 공급하는 지연형광 물질의 혼합물을 포함하고,상기 발광층은 상기 양자점과 상기 지연형광 물질 중 상기 양자점의 밴드갭에 해당하는 파장의 광만을 생성하는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드 제조방법
12 12
양극을 형성하는 단계;상기 양극 상부에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상부에 음극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 발광층은 상기 양극과 상기 음극 사이에 양자점을 포함하는 양자점층과 상기 양자점의 여기 싱글렛 에너지와 동일하거나 이보다 큰 여기 싱글렛 에너지를 가져서 상기 양자점에 에너지를 공급하는 지연형광 물질을 포함하는 지연형광층을 적층하여 형성되며, 상기 양자점층은 상기 지연형광층과 상기 음극 사이에 위치하도록 형성되고,상기 발광층은 상기 양자점과 상기 지연형광 물질 중 상기 양자점의 밴드갭에 해당하는 파장의 광만을 생성하는 것을 특징으로 하는 지연형광-양자점 전계발광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09899619 US 미국 FAMILY
2 US20170186986 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017186986 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9899619 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교산학협력단 대학ICT연구센터 육성지원사업 4/4 차세대 AMOLED 핵심원천기술연구 및 인력양성
2 미래창조과학부 성균관대학교산학협력단 중견연구자지원사업(핵심연구) 1/3 친환경 양자점 소재 및 전기수력학적 인쇄공정을 이용한 양자점 패터닝 연구