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내부에 격자들이 매립되고, 단일 모드 광을 발진하는 광 발진 영역에 형성된 BH(Buried hetero) 구조의 도파로;광 변조 영역에 형성된 깊은 리지(deep ridge) 구조의 도파로; 및상기 광 발진 영역과 상기 광 변조 영역 사이에 배치된 모드 변환 영역에 형성되고, 상기 광 발진 영역으로부터 연장된 상기 BH 구조의 도파로와 상기 광 변조 영역으로부터 연장된 상기 깊은 리지 구조의 도파로의 연결구조로 형성되고, 에베네센트(evanescent) 광 결합을 유도하는 수동 도파로를 포함하고,상기 모드 변환 영역에서 상기 BH 구조의 도파로 폭은 상기 광 변조 영역에서 상기 깊은 리지 구조의 도파로 폭보다 좁게 형성된 반도체 광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 모드 변환 영역에서 상기 BH 도파로는상기 광 발진 영역으로부터 균일한 폭으로 연장된 제1 부분;상기 제1 부분으로부터 연장되어 상기 광 변조 영역에 가까워질수록 폭이 좁아지는 제2 부분; 및상기 광 변조 영역으로부터 연장된 상기 깊은 리지 도파로에 연결되도록 상기 제2 부분으로부터 연장되고, 상기 깊은 리지 도파로에 가까워질수록 폭이 넓어지는 제3 부분을 포함하는 반도체 광 소자
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제 2 항에 있어서,상기 단일 모드 광은 상기 제2 부분을 통과하면서 광 스팟 사이즈가 줄어들고, 상기 제3 부분을 통과한 후 상기 깊은 리지 도파로에서 상기 에베네센트 광 결합을 하는 반도체 광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 BH 구조의 도파로 및 상기 깊은 리지 구조의 도파로는상기 광 발진 영역, 상기 모드 변환 영역, 및 상기 광 변조 영역을 따라 연장된 코어 패턴;상기 코어 패턴 하부에 형성된 하부 클래드 패턴; 및상기 코어 패턴 상부에 형성된 상부 클래드 패턴을 포함하는 반도체 광 소자
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제 4 항에 있어서,상기 코어 패턴은 상기 광 발진 영역에 배치된 다중양자우물구조의 제1 코어부;상기 제1 코어부에 버트 결합되어 상기 모드 변환 영역에 배치된 벌크 구조의 제2 코어부; 및상기 제2 코어부에 버트 결합되어 상기 광 변조 영역에 배치된 다중양자우물구조의 제3 코어부를 포함하는 반도체 광 소자
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제 5 항에 있어서,상기 제2 코어부는 상기 광 발진 영역에 가까워질수록 폭이 좁아지는 제1 테이퍼 구조를 포함하고,상기 상부 클래드 패턴은 상기 광 변조 영역에 가까워질수록 폭이 좁아지고, 상기 제1 테이퍼 구조에 비해 상기 광 발진 영역에 더 가깝게 상기 모드 변환 영역에 배치된 제2 테이퍼 구조를 포함하는 반도체 광 소자
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제 4 항에 있어서,상기 코어 패턴은 InGaAsP를 포함하는 반도체 광 소자
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제 4 항에 있어서,상기 BH 구조의 도파로를 구성하는 상기 코어 패턴의 일부를 둘러싸는 전류 차단 구조를 더 포함하는 반도체 광 소자
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제 8 항에 있어서,상기 전류 차단 구조는상기 상부 클래드 패턴;상기 상부 클래드 패턴과 상기 하부 클래드 패턴 사이에 배치되고, 상기 하부 틀래드 패턴의 상면 형상 및 상기 코어 패턴의 측벽 형상을 따라 형성된 제1 전류 차단 클래드 패턴; 및상기 제1 전류 차단 클래드 패턴과 상기 상부 클래드 패턴 사이에 배치된 제2 전류 차단 클래드 패턴을 포함하는 반도체 광 소자
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제 9 항에 있어서,상기 제1 전류 차단 클래드 패턴, 상기 제2 전류 차단 클래드 패턴, 및 상기 상부 클래드 패턴은 PNP구조의 전류 차단 구조를 구성하는 반도체 광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 깊은 리지 도파로는 광 출력단에서 수평방향으로 경사지게 패터닝된 반도체 광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광 발진 영역에 분포 궤환형 레이저 다이오드가 형성되고,상기 광 변조 영역에 전계 흡수 변조기가 형성된 반도체 광 소자
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