| 1 |
1
MRAM(Magnetic Random Access Memory)에 포함되는 금속 산화물층을 미리 설정된 온도에 노출시키는 단계; 상기 금속 산화물층 중 타겟 필드에 대해 미리 설정된 시간 동안 전기장(electric field)을 인가하는 단계; 상기 전기장이 인가된 상기 타겟 필드의 저항 변화를 감지하는 단계; 및 상기 감지된 저항 변화에 기초하여 상기 타겟 필드에 불량 셀이 포함되는지 여부를 판단하는 단계를 포함하고, 상기 금속 산화물층이 노출되는 상기 미리 설정된 온도, 상기 타겟 필드에 인가되는 상기 전기장의 세기 및 상기 전기장이 인가되는 상기 미리 설정된 시간은, 상기 금속 산화물층의 두께 및 상기 금속 산화물층을 구성하는 물질에 따라 상기 타겟 필드에서 브레이크다운 현상이 발생되는 소요 시간을 기초로 조절되는 MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 금속 산화물층 중 타겟 필드에 대해 미리 설정된 시간 동안 전기장(electric field)을 인가하는 단계는 상기 타겟 필드에 대해 CVS(Constant Voltage Stresses), CCS(Constant Current Stresses) 또는 RVS(Ramped Voltage Stresses) 중 어느 하나의 방식을 이용하여 상기 전기장을 인가하는 단계를 포함하는 MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 감지된 저항 변화에 기초하여 상기 타겟 필드에 불량 셀이 포함되는지 여부를 판단하는 단계는 상기 감지된 저항 변화를 미리 설정된 기준값과 비교하는 단계; 및 상기 비교 결과, 상기 감지된 저항 변화가 상기 미리 설정된 기준값을 초과하는 경우, 상기 타겟 필드에 상기 불량 셀이 포함됨을 인식하는 단계를 포함하는 MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 타겟 필드에 상기 불량 셀이 포함됨을 인식하는 단계는 상기 비교 결과, 상기 감지된 저항 변화가 상기 미리 설정된 기준값 이하인 경우, 상기 타겟 필드에 불량 셀이 포함되지 않음을 인식하는 단계를 더 포함하는 MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 타겟 필드에 상기 불량 셀이 포함되는 경우, 상기 불량 셀을 보수하는 단계를 더 포함하는 MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 감지된 저항 변화가 비교되는 상기 미리 설정된 기준값은 상기 타겟 필드에서 발생되는 브레이크다운(breakdown) 현상에 기초하여 조절되는, MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 금속 산화물층 중 타겟 필드에 대해 미리 설정된 시간 동안 전기장(electric field)을 인가하는 단계는 상기 금속 산화물층이 상기 미리 설정된 온도에 노출되는 상태를 유지한 채, 상기 타겟 필드에 대해 상기 미리 설정된 시간 동안 상기 전기장을 인가하는 단계인, MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 금속 산화물층은 FeO, AlO 또는 MgO 중 적어도 어느 하나를 포함하는, MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 방법
|
| 11 |
11
MRAM(Magnetic Random Access Memory)에 포함되는 금속 산화물층을 미리 설정된 온도에 노출시키고, 상기 금속 산화물층 중 타겟 필드에 대해 미리 설정된 시간 동안 전기장(electric field)을 인가하는 브레이크다운(breakdown) 발생부; 상기 전기장이 인가된 상기 타겟 필드의 저항 변화를 감지하는 감지부; 및 상기 감지된 저항 변화에 기초하여 상기 타겟 필드에 불량 셀이 포함되는지 여부를 판단하는 판단부를 포함하고, 상기 금속 산화물층이 노출되는 상기 미리 설정된 온도, 상기 타겟 필드에 인가되는 상기 전기장의 세기 및 상기 전기장이 인가되는 상기 미리 설정된 시간은, 상기 금속 산화물층의 두께 및 상기 금속 산화물층을 구성하는 물질에 따라 상기 타겟 필드에서 브레이크다운 현상이 발생되는 소요 시간을 기초로 조절되는 MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 시스템
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 브레이크다운 발생부는 상기 타겟 필드에 대해 CVS(Constant Voltage Stresses), CCS(Constant Current Stresses) 또는 RVS(Ramped Voltage Stresses) 중 어느 하나의 방식을 이용하여 상기 전기장을 인가하는, MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 시스템
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 판단부는 상기 감지된 저항 변화를 미리 설정된 기준값과 비교하고, 상기 비교 결과, 상기 감지된 저항 변화가 상기 미리 설정된 기준값을 초과하는 경우, 상기 타겟 필드에 상기 불량 셀이 포함됨을 인식하는, MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 시스템
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 감지된 저항 변화가 비교되는 상기 미리 설정된 기준값은 상기 타겟 필드에서 발생되는 브레이크다운 현상에 기초하여 조절되는, MRAM에서 불량 셀 스크린을 위한 테스트 시스템
|
| 15 |
15
삭제
|
