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메모리 소자(Memory device)

  • 기술번호 : KST2017013380
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합, 캐핑층 및 상부 전극이 적층 형성되며, 시드층은 합성 교환 반자성층이 fcc(111) 방향으로 성장되도록 하는 물질로 형성된 메모리 소자가 제시된다.
Int. CL H01L 43/02 (2016.03.17) H01L 43/08 (2016.03.17) H01L 43/10 (2016.03.17) H01L 43/12 (2016.03.17)
CPC H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01) H01L 43/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160015176 (2016.02.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0093588 (2017.08.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.06.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이두영 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129499-49
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1014223-61
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0587815-74
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0645842-46
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0578374-76
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-1050943-94
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1050959-13
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0869450-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극, 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합, 캐핑층 및 상부 전극이 순차적으로 적층 형성되며,상기 시드층은 상기 합성 교환 반자성층이 fcc(111) 방향으로 성장되도록 하는 2㎚ 내지 6㎚ 두께의 백금(Pt)으로 형성되고,상기 백금의 두께에 따라 자기 저항비가 60% 내지 140%인 메모리 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 시드층은 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 마그네슘(Mg), 코발트(Co), 알루미늄(Al) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 또는 이들의 합금을 포함하는 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 자기 터널 접합은 고정층, 터널 배리어, 자유층을 포함하고,상기 자유층은 제 1 및 제 2 자유층 사이에 삽입층이 형성된 구조를 갖는 메모리 소자
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 자기 터널 접합과 캐핑층 사이에 형성된 산화물층을 더 포함하는 메모리 소자
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 분리층, 삽입층 및 캐핑층의 적어도 어느 하나는 bcc 구조를 갖는 물질로 형성된 메모리 소자
8 8
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109155360 CN 중국 FAMILY
2 KR101956975 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101956976 KR 대한민국 FAMILY
4 KR101956977 KR 대한민국 FAMILY
5 US10453510 US 미국 FAMILY
6 US10643681 US 미국 FAMILY
7 US10783945 US 미국 FAMILY
8 US20190043548 US 미국 FAMILY
9 US20190244649 US 미국 FAMILY
10 US20200090720 US 미국 FAMILY
11 WO2017135767 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN109155360 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업/ 중견연구자지원사업/ 도약연구(도전) 3차원 적층 cross-bar 수직형 스핀토크 자기저항 메모리 집적화 기술 연구