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1
두개의 전극 사이에 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합 및 캐핑층이 적층 형성되며,상기 자기 터널 접합은 고정층, 터널 배리어 및 자유층을 포함하고,상기 자유층은 제 1 자유층, 삽입층 및 제 2 자유층의 적층 구조를 포함하며,상기 분리층, 삽입층 및 캐핑층의 적어도 하나는 bcc 구조의 물질로 형성된 메모리 소자
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2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 합성 교환 반자성층 상에 자기 터널 접합이 형성된 메모리 소자
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3 |
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청구항 2에 있어서, 상기 자기 터널 접합과 캐핑층 사이에 형성된 산화물층을 더 포함하는 메모리 소자
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4 |
4
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 분리층, 삽입층 및 캐핑층의 적어도 하나는 격자 상수가 330pm 미만의 물질로 형성된 메모리 소자
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5 |
5
청구항 4에 있어서, 상기 분리층, 삽입층 및 캐핑층의 적어도 하나는 텅스텐, 바나듐, 크롬, 몰리브덴 중 적어도 하나로 형성된 메모리 소자
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6 |
6
청구항 5에 있어서, 상기 캐핑층은 상기 분리층 및 삽입층보다 두껍게 형성되고 상기 분리층 및 삽입층은 서로 같거나 다른 두께로 형성된 메모리 소자
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7 |
7
청구항 6에 있어서, 상기 캐핑층은 1㎚ 내지 6㎚의 두께로 형성되고, 상기 분리층 및 삽입층은 0
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8 |
8
기판 상에 하부 전극, 시드층, 합성 교환 반자성층, 분리층, 자기 터널 접합, 캐핑층 및 상부 전극이 적층 형성되며,상기 자기 터널 접합은 고정층, 터널 배리어 및 자유층을 포함하고,상기 자유층은 제 1 자유층, 삽입층 및 제 2 자유층의 적층 구조를 포함하며,상기 분리층, 삽입층 및 캐핑층의 적어도 하나는 격자 상수가 330pm 미만의 bcc 구조의 물질로 형성된 메모리 소자
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9 |
9
청구항 8에 있어서, 상기 분리층, 삽입층 및 캐핑층의 적어도 하나는 텅스텐, 바나듐, 크롬, 몰리브덴 중 적어도 하나로 형성된 메모리 소자
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