맞춤기술찾기

이전대상기술

반도체 소자 제조 방법(METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE)

  • 기술번호 : KST2017013468
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자는, 기판 상에 순차적으로 제1 반도체층과 제2 반도체층을 형성하고, 상기 제2 반도체층 상에 그래핀층을 형성하고, 상기 그래핀층 상에 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하고, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 마스크로 하여 그래핀층을 패터닝하고, 상기 제2 반도체층 상면에 절연막을 형성하고, 상기 제2 반도체층 상면에 게이트 전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.
Int. CL H01L 29/778 (2016.03.11) H01L 29/16 (2016.03.11) H01L 29/66 (2016.03.11)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020160015725 (2016.02.11)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0094814 (2017.08.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 도재원 대한민국 대전광역시 유성구
2 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
3 민병규 대한민국 세종특별자치시 누리로 **,
4 임종원 대한민국 대전광역시 서구
5 강동민 대한민국 대전광역시 유성구
6 김동영 대한민국 대전광역시 유성구
7 김성일 대한민국 대전광역시 유성구
8 신민정 대한민국 대전광역시 유성구
9 안호균 대한민국 대전광역시 유성구
10 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
11 이상흥 대한민국 대전광역시 서구
12 이종민 대한민국 대전광역시 유성구
13 장유진 대한민국 대전광역시 유성구
14 정현욱 대한민국 대전광역시 유성구
15 조규준 대한민국 대전광역시 유성구
16 주철원 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0135734-71
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1030993-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 순차적으로 제1 반도체층과 제2 반도체층을 형성하는 단계;상기 제2 반도체층 상에 그래핀층을 형성하는 단계;상기 그래핀층 상에 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 마스크로 하여 그래핀층을 패터닝하는 단계;상기 제2 반도체층 상면에 절연막을 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체층 상면에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 한국전자통신연구원연구개발지원 고효율 GaN 기반 차세대 이동통신 기지국 단말기용 핵심부품 및 모듈개발