맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노다이아몬드 유래 양파모양탄소 및 이의 제조 방법(NANODIAMOND-DERIVED ONION-LIKE CARBON AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017014558
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양파모양탄소(Onion-Like Carbon; OLC)의 제조 방법은, 나노다이아몬드 파우더(nanodiamond powder)를 1000℃ 내지 1400℃의 온도로 어닐링(annealing)하는 단계를 포함한다. 상기 어닐링하는 단계에 의해, 탄소 원자간에 sp3 결합을 이루는 다이아몬드 코어, 및 상기 코어의 바깥쪽에 배치되며 탄소 원자간에 sp2 결합을 이루되 인장 변형에 의해 탄소 원자간의 결합이 손상된 결함(defect)을 포함하는 그래핀(graphene) 쉘이 형성된다. 어닐링 온도를 제어함으로써 OLC의 최외곽 쉘에 인장 변형에 의한 결함을 생성할 수 있으며, 생성된 결함은 OLC의 전기화학적 특성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, OLC를 전극 재료로 사용할 경우 종래와 같은 별도의 후처리 공정 없이도 전기화학적 특성이 우수한 전극을 얻을 수 있으며, 전극 제조 공정이 간소화될 수 있다.
Int. CL C01B 31/04 (2016.04.09) G01N 1/40 (2016.04.09) G01N 27/22 (2016.04.09) H01B 1/04 (2016.04.09)
CPC C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01) C01B 32/28(2013.01)
출원번호/일자 1020160025303 (2016.03.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0102762 (2017.09.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.02)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울특별시 성북구
2 고영진 대한민국 서울특별시 성북구
3 이경석 대한민국 서울특별시 성북구
4 김인호 대한민국 서울특별시 성북구
5 정두석 대한민국 서울특별시 성북구
6 조정민 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0204911-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2017-0026420-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0575354-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1021268-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1021269-14
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0131814-58
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.03.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0272343-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0272342-81
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0267764-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노다이아몬드 파우더를 1000℃ 내지 1400℃의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하며, 상기 어닐링하는 단계에 의해 탄소 원자간에 sp3 결합을 이루는 다이아몬드 코어, 및 상기 다이아몬드 코어의 바깥쪽에 배치되며 탄소 원자간에 sp2 결합을 이루되 인장 변형에 의해 탄소 원자간의 결합이 손상되어 탄소 원자가 빠져나온 공공(vacancy)을 포함하는 그래핀 쉘이 형성되고, 상기 그래핀 쉘은 상기 어닐링 온도가 1100℃에서 1200℃로 증가하는 동안 형성량이 증가하며, 1200℃의 어닐링 온도에서 형성량이 포화되는 양파모양탄소의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 어닐링하는 단계는, 상기 나노다이아몬드 파우더의 각 입자를 둘러싸며 상기 그래핀 쉘 안에 위치한 안쪽 쉘을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 안쪽 쉘의 형성에 의해 상기 그래핀 쉘에 인장이 가해짐으로써 상기 공공이 생성되는 양파모양탄소의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 어닐링하는 단계는 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 양파모양탄소의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 어닐링하는 단계는 10-3 Torr 이하의 압력에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 양파모양탄소의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 다이아몬드 코어 및 상기 그래핀 쉘로 이루어진 나노입자를 도전 물질의 표면에 코팅하여 전극으로 제조하는 단계를 더 포함하는 양파모양탄소의 제조 방법
6 6
탄소 원자간에 sp3 결합을 이루는 다이아몬드 코어; 및상기 다이아몬드 코어의 바깥쪽에 배치되며, 탄소 원자간에 sp2 결합을 이루되 인장 변형에 의해 탄소 원자간의 결합이 손상되어 탄소 원자가 빠져나온 공공(vacancy)을 포함하는 그래핀 쉘을 포함하고,상기 그래핀 쉘은 어닐링 온도가 1100℃에서 1200℃로 증가하는 동안 형성량이 증가하며, 1200℃의 어닐링 온도에서 형성량이 포화되는 양파모양탄소
7 7
제 6항에 있어서,상기 다이아몬드 코어의 각 입자를 둘러싸며 상기 그래핀 쉘 안에 위치한 안쪽 쉘을 더 포함하되, 상기 공공은 상기 안쪽 쉘의 형성에 의해 상기 그래핀 쉘에 인장이 가해짐으로써 생성된 양파모양탄소
8 8
제 6항에 따른 양파모양탄소를 포함하는 센싱 전극,
9 9
제 8항에 있어서, 상기 양파모양탄소에 의해 코팅된 도전 물질을 더 포함하는 센싱 전극
10 10
제 9항에 있어서,상기 도전 물질은 유리상 탄소인 센싱 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.