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채널 영역, 고농도로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체 기판;상기 반도체 기판의 채널 영역 상에 형성된 게이트 구조체;상기 반도체 기판상의 소스 영역 및 드레인 영역에 형성된 제1 중간층;상기 제1 중간층 상에 형성된 제2 중간층; 및상기 제2 중간층 상에 금속 물질로 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 제1 중간층과 상기 제2 중간층은 서로 다른 산화물로 형성되고,상기 제1 중간층의 산소 면밀도(Oxygen Areal Density; OAD)는 상기 제2 중간층의 산소 면밀도보다 높은,반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 중간층 또는 상기 제2 중간층은 징크옥사이드(ZnO), 티타늄옥사이드(TiO2), 지르코늄옥사이드(ZrO2), 실리콘옥사이드(SiO2), 하프늄옥사이드(HfO2), 란타늄옥사이드(La2O3), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 이트륨옥사이드(Y2O3), 마그네슘옥사이드(MgO), 게르마늄옥사이드(GeO2), 스트론튬옥사이드(SrO) 및 루테슘옥사이드(Lu2O3) 중에서 어느 하나인,반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 중간층은 티타늄옥사이드(TiO2)로 형성되고, 상기 제2 중간층은 징크옥사이드(ZnO)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 중간층 및 상기 제2 중간층을 포함한 두께는 0
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고농도로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한 반도체 기판;상기 반도체 기판상의 소스 영역 및 드레인 영역에 형성된 제1 중간층;상기 제1 중간층 상에 형성된 제2 중간층; 및상기 제2 중간층 상에 금속 물질로 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 제1 중간층과 상기 제2 중간층은 서로 다른 산화물로 형성되고,상기 제1 중간층의 산소 면밀도는 상기 제2 중간층의 산소 면밀도보다 높은,반도체 소자
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반도체 기판상에 채널 영역, 고농도로 도핑 된 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 채널 영역 상에 게이트 구조체를 형성하는 단계;상기 반도체 기판상의 소스 영역 및 드레인 영역에 제1 중간층을 형성하는 단계;상기 제1 중간층 상에 제2 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 중간층 상에 금속 물질로 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 중간층과 상기 제2 중간층은 서로 다른 산화물로 형성되고,상기 제1 중간층의 산소 면밀도는 상기 제2 중간층의 산소 면밀도보다 높은,반도체 소자의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 제1 중간층을 형성하는 단계는,상기 게이트 구조체가 형성된 반도체 기판상에 감광성 절연물질을 도포한 후, 소스 영역 및 드레인 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계; 및상기 노출된 소스 영역 및 드레인 영역에 제1 산화물을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 이후,상기 게이트 구조체 상에 남아있는 감광성 절연물질, 제1 중간층, 제2 중간층, 금속 물질 및 상기 게이트 구조체와 상기 소스/드레인 사이의 이격된 영역에 남아있는 제1 중간층, 제2 중간층, 금속 물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 중간층 또는 상기 제2 중간층은 징크옥사이드(ZnO), 티타늄옥사이드(TiO2), 지르코늄옥사이드(ZrO2), 실리콘옥사이드(SiO2), 하프늄옥사이드(HfO2), 란타늄옥사이드(La2O3), 알루미늄옥사이드(Al2O3), 이트륨옥사이드(Y2O3), 마그네슘옥사이드(MgO), 게르마늄옥사이드(GeO2), 스트론튬옥사이드(SrO) 및 루테슘옥사이드(Lu2O3) 중에서 어느 하나 인,반도체 소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 중간층은 티타늄옥사이드(TiO2)로 형성되고, 상기 제2 중간층은 징크옥사이드(ZnO)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 중간층은 두께는 0
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제9항에 있어서,상기 제2 중간층은 두께는 0
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제9항에 있어서,상기 게이트 구조체를 형성하는 단계는,상기 반도체 기판의 채널 영역 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 산화막 상에 금속물질로 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
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