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후속 열처리 공정을 이용한 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자(METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING POST THERMAL ANNEALING PROCESS AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THEREBY)

  • 기술번호 : KST2017015607
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체층; 상기 반도체층의 상부에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상부에 형성된 금속층;을 포함하고, 상기 반도체층에서 상기 유전체층과 접합되는 표면 및 상기 유전체층이 수소(H2) 가스를 이용하여 열처리된 것을 특징으로 하는 반도체 구조에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/768 (2016.05.04) H01L 21/02 (2016.05.04) H01L 21/67 (2016.05.04) H01L 21/324 (2016.05.04) H01L 21/28 (2016.05.04)
CPC H01L 21/76828(2013.01) H01L 21/76828(2013.01) H01L 21/76828(2013.01) H01L 21/76828(2013.01) H01L 21/76828(2013.01) H01L 21/76828(2013.01) H01L 21/76828(2013.01)
출원번호/일자 1020160039061 (2016.03.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0112254 (2017.10.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.31)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광식 대한민국 서울특별시 성북구
2 유현용 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김등용 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 *** *층-***(구로동,제이엔케이디지털타워)(동진국제특허법률사무소)
2 김홍석 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로 **길 ***, ***호(구로동,JnK 디지털타워)(동진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2016-0310455-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0019521-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0098192-03
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0347472-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0347508-65
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0596572-97
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1008460-89
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1008446-49
10 등록결정서
Decision to grant
2017.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0872028-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층; 상기 반도체층의 상부에 형성된 유전체층; 및상기 유전체층 상부에 형성된 금속층;을 포함하고,상기 반도체층에서 상기 유전체층과 접합되는 표면 및 상기 유전체층이 수소(H2) 가스를 이용하여 열처리된 것을 특징으로 하고,상기 유전체층은 상기 반도체층에 형성된 소스 영역과 드레인 영역의 상부에 형성된,반도체 구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체층이 저마늄(Ge)인 것을 특징으로 하는 반도체 구조
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체층이 n형인 것을 특징으로 하는 반도체 구조
4 4
제1항에 있어서, 상기 유전체층은 산화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 구조
5 5
제4항에 있어서, 상기 유전체층은 산소 공백(oxygen vacancy)을 포함하는 산화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 구조
6 6
제1 반도체층;상기 제1 반도체층의 표면의 소스 및 드레인 영역에 형성된 제2 반도체층;상기 제2 반도체층 위에 형성된 유전체층; 및상기 유전체층 위에 형성된 금속층;을 포함하고, 상기 제2 반도체층에서 상기 유전체층과 접합되는 표면 및 상기 유전체층이 수소(H2) 가스를 이용하여 열처리된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 저마늄(Ge)이며,상기 제2 반도체층은 n형의 불순물을 주입하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 유전체층은 산소 공백(oxygen vacancy)을 포함하는 산화물층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
9 9
반도체층을 마련하는 단계;상기 반도체층의 표면에 소스 및 드레인을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인의 상부에 유전체층을 형성하는 단계;상기 소스 및 상기 드레인의 표면 및 상기 유전체층을 수소 열처리하는 단계; 및상기 수소 열처리된 상기 유전체층의 상부에 금속층을 증착하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서,상기 유전체층을 형성하는 단계는 원자층 증착 공정(ALD)을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통산자원부 한국과학기술원 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체공정장비) 10nm급 기술 노드를 위한 Ge nMOS/pMOS FinFET 기술 개발