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반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물(AC2)과 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물（BC2）로 형성되고，화학식 A1-xBxC2를 만족하되， 상기 화학식 A1-xBxC2에서, 상기 A는 Mo, W 중 어느 하나가 선택될 수 있고,상기 B는 Nb,Ta, Ti, Zr, Hf, Tc, Re, Cu, Ga, In, Sn, Ge, Pb 중 어느 하나가 선택될 수 있고, 상기 C는 S, Se, te 중 어느 하나가 선택될 수 있으며, X는 0
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제1 항에 있어서,상기 화학식은 W1-xNbxSe2 , 0
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제1 항 또는 제2 항에 따른 상기 합금을 포함하여 형성된 전이층;상기 반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물(AC2)로 형성되는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물(BC2)이 증착되어 형성되는 전극층;을 포함하는 트랜지스터
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반도체성 2차원 전이금속(A)의 제1 전구체를 형성하는 단계;금속성 2차원 전이금속(B)의 제2 전구체를 형성하는 단계; 및 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체 상에 디칼코지나아드계 물질(C)을 증착하여 합금(A1-xBxC2)을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 제2 전구체을 형성하는 단계는 제1 전구체를 증착한 후, ALD 공정을 수행하는 단계를 포함하는, 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 합금 형성방법
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제4 항에 따른 상기 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 합금(A1-xBxC2) 형성 방법에 의하여 전이층을 형성하는 단계;반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물(A1-xC2)을 증착하여 반도체층을 형성하는 단계; 및금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물(BxC2)을 증착하여 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터 제조방법
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제5 항에 있어서, 상기 반도체층을 형성하는 단계는,제1 기판을 준비하는 단계;스퍼터링, 열기상증착법 및 전자빔 기상증착법 중 어느 하나를 선택하여 상기 제1 기판의 일면에 MoO3 또는 WO3를 증착하는 단계;칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 MoO3 또는 WO3이 증착된 상기 기판의 일면에 증착하는 단계;를 포함하는 트랜지스터의 제조방법
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제5 항에 있어서,상기 전극층을 형성하는 단계는상기 제2 기판을 준비하는 단계;상기 제2 기판의 일면에 Nb2O5를 증착하는 단계;칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 Nb2O5이 증착된 상기 기판에 증착하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터의 제조방법
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제6 항에 있어서, 전이층을 형성하는 단계는제3 기판을 준비하는 단계;상기 제3 기판의 일면에 WO3를 증착하는 단계;상기 제3 기판 상에 ALD 공정을 이용하여, Nb2O5를 증착하는 단계; 및 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여, 상기 제3 기판 상에 증착하는 단계;를 포함하는 트랜지스터 제조방법
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제8 항에 있어서,상기 전이층 상에 전극층을 전사하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터 제조방법
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제9 항에 있어서, 상기 전이층 및 상기 전극층에 채널이 형성되도록 상기 전이층 및 상기 전극층의 일부를 에칭하여, 전이층 패턴 및 전극층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터 제조방법
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제10 항에 있어서, 상기 제1 기판 상에 형성된 반도체층 상에 상기 전이층 패턴 및 상기 전극층 패턴을 전사하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터 제조방법
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제11 항에 있어서, 상기 반도체층의 일부를 에칭하여 반도체층 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 트랜지스터 제조방법
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제5 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 기판 상에 ALD공정을 이용하여, Nb2O5를 증착하는 단계는,제3 기판을 준비하는 단계; 소스가스, 퍼지가스, 반응가스, 퍼지가스를 순차적으로 주입하여 제3 기판 상에 Nb2O5를 형성하는 단계;를 포함하되, 소스가스는 NbF5 (Niobium pentafluoride)를 이용하고, 반응가스는 수소, 산소의 혼합가스의 플라즈마로 형성되고, ALD 진공챔버 내로 장입되는 제3 기판(3)은 WSe2가 형성된 기판인, 트랜지스터 제조방법
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제13 항에 있어서, 상기 ALD 진공챔버 내의 증착온도는 195℃ 내지 205℃ 범위인, 트랜지스터 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 퍼지가스는 아르곤 플라즈마이며, 유량은 95sccm 내지 105sccm인, 트랜지스터 제조방법
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제13 항에 있어서, 상기 반응가스는 수소와 산소의 혼합가스의 플라즈마이며, 유량은 각각 95sccm 내지 105sccm, 45sccm 내지 55sccm 인 트랜지스터 제조방법
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제13 항에 있어서, 상기 소스온도는 45℃ 내지 55℃ 인, 트랜지스터 제조방법
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제13 항에 있어서, 상기 소스는 13
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제13 항에 있어서, 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 기판에 증착하는 단계는,상기 기판 중 어느 하나를 CVD 장치 챔버 내부에 배치하는 단계;상기 CVD 챔버 내부에 아르곤(Ar) 및 수소(H2) 가스를 공급하는 단계;상기 CVD 챔버 내부에 황(Sulfur) 또는 셀레늄(Selenium) 고체 소스를 공급하는 단계;상기 CVD 챔버 내부는 일정한 압력을 유지하고, 1시간 내지 2시간 내에 일정한 온도범위로 상승시키는 단계;상기 CVD 챔버 내부는 일정한 압력 및 일정한 온도범위에서 50분 내지 70분 동안 유지하는 단계;상기 CVD 장치의 소스히터는 1시간 내지 2시간 내에 일정한 온도범위로 상승시키는 단계; 및상기 아르곤(Ar) 및 수소(H2) 가스의 공급을 차단하고 온도를 하강시키는 단계;를 포함하는, 트랜지스터의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 CVD 챔버 내부의 일정한 압력은 600 내지 800 torr 범위 내에서 설정되는, 트랜지스터의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 CVD 챔버의 일정한 온도는 900℃ 내지 1100℃ 범위에서 설정되는, 트랜지스터의 제조방법
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제13 항에 있어서,상기 CVD 소스히터의 일정한 온도는 200℃ 내지 500℃ 범위에서 설정되는, 트랜지스터의 제조방법
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