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플렉서블 기판 상에 형성된 은 나노선들; 및상기 은 나노선들 사이의 이격공간을 매립하는 평탄화 나노입자들을 포함하는 플렉서블 전극
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제1항에 있어서, 상기 평탄화 나노입자들은 고분자 재료, 무기 산화물 재료, 반도체 양자점 재료 또는 금속 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전극
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제2항에 있어서, 상기 고분자 재료는 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)(P3HT), poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)N,N'-bis(phenyl)benzidine)(poly-TPD), Poly(methyl methacrylate)(PMMA) 또는 polystyrene(PS)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전극
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제2항에 있어서, 상기 무기 산화물 재료는 SiO2, MoO2, NiO2, WO3, Al2O3, Fe2O3, AgO2, CuO, Cu2O, TiO2, ZrO2, BaTiO3, PbTiO3, PbZrTiO3 또는 이들의 복합 재료인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전극
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제2항에 있어서, 상기 반도체 양자점 재료는 Si, GaAs, Ge, AlAs, AlGaAs, GaP, InP, InAs, InGaAs, InSb, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnS, ZnO, GaN, AlGaN, InAlN 또는 HgCdTe인 단일구조의 반도체 양자점, CdSe/CdS, ZnSe/ZnS 또는 Si/Ge인 코어-쉘 구조의 양자점 또는 CdTe/CdS/ZnSe, CdSe/CdS/ZnS의 코어-쉘-쉘 구조의 양자점인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전극
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제2항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd 또는 Pd이고, 상기 금속 나노입자 상에는 고분자 또는 무기 산화물이 코팅된 것을 특징으로 하는 플렉서블 전극
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제1항에 있어서, 상기 은 나노선들 및 상기 평탄화 나노입자들 사이의 이격공간을 충진하는 표면 평탄화층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전극
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제7항에 있어서, 상기 표면 평탄화층은 상기 플렉서블 기판과 동일 재질로 상기 플렉서블 기판과 일체화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전극
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전사용 기판 상에 은 나노선들을 형성하는 단계;상기 은 나노선들 사이의 이격공간을 매립하는 평탄화 나노입자들을 도입하는 단계;상기 은 나노선들 및 상기 평탄화 나노입자들 상에 절연성 고분자를 도포하여 상기 은 나노선들 상의 플렉서블 기판과 상기 은 나노선들 및 상기 평탄화 나노입자들 사이의 이격공간을 충진하는 표면 평탄화층을 형성하는 단계; 및상기 전사용 기판으로부터 상기 플렉서블 기판을 분리하는 단계를 포함하는 플렉서블 전극의 제조방법
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