맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

투명 전도성 박막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140831
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전도성 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 In이 도핑된 ZnO를 포함하고, 다결정 구조를 가지는 투명 전도성 박막과, 이를 제조하기 위해 기판을 가열하고 스퍼터링 타켓을 이용하여 상기 기판 상에 박막을 형성하고, 상기 얻어진 박막을 100 내지 500 ℃로 열처리하는 투명 전도성 박막의 제조방법에 관한 것이다.상기 스퍼터링 타겟은 90 내지 95 중량%의 ZnO와 5 내지 10 중량%의 In2O3를 포함하여 스퍼터링에 의해 기판 상에 투명 전도성 박막을 형성한다. 상기 투명 전도성 박막은 다결정 구조를 가지고, 높은 캐리어 농도 및 이동도 및 낮은 저항치를 가져 평판 디스플레이의 투명 전극이나 박막 트랜지스터의 채널층으로 바람직하게 적용되고, 식각 공정에서 에칭율이 초당 3 내지 5 nm를 가져 에칭 속도의 조절이 가능하다.ZnO, 산화인듐, 스퍼터링, 전도성 박막, 에칭 속도
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070010432 (2007.02.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0862593-0000 (2008.10.02)
공개번호/일자 10-2008-0072136 (2008.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20081009) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.01)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 문연건 대한민국 서울 광진구 군
3 김쇄현 대한민국 서울 성동구
4 문대용 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0097979-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014908-46
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0161978-28
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0347609-67
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0347589-31
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0501359-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
In:O:Zn의 원자비가 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 투명 전도성 박막은 비저항이 8× 10-4 내지 5× 10-3 Ωcm 인 것인 투명 전도성 박막
4 4
제1항에 있어서,상기 투명 전도성 박막은 85% 이상의 투과도를 갖는 것인 투명 전도성 박막
5 5
제1항에 있어서,상기 투명 전도성 박막은 에칭율이 3 내지 5 nm/sec인 것인 투명 전도성 박막
6 6
90 내지 95 중량%의 ZnO와 5 내지 10 중량%의 In2O3를 이용하여 스퍼터링 타겟을 제조하고, 상기 스퍼터링 타겟을 이용하여 가열된 기판 상에 박막을 형성하고,얻어진 박막을 100 내지 500 ℃로 열처리하는 단계를 포함하는 제1항의 투명 전도성 박막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 기판을 50 내지 300 ℃로 가열한 후 박막을 형성하는 것인 투명 전도성 박막의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 기판을 200 내지 250 ℃로 가열한 후 박막을 형성하는 것인 투명 전도성 박막의 제조방법
9 9
삭제
10 10
제6항에 있어서,상기 스퍼터링은 DC 스퍼터링법인 것인 투명 전도성 박막의 제조방법
11 11
제6항에 있어서,상기 스퍼터링은 진공챔버 내 압력을 2× 10-6 Torr 이하로 유지시키고, 아르곤 가스를 통과시킨 후 수행하는 것인 투명 전도성 박막의 제조방법
12 12
제6항에 있어서,상기 스퍼터링은 진공챔버 내 압력을 5× 10-2 내지 1× 10-4 Torr로 유지시켜 수행하는 것인 투명 전도성 박막의 제조방법
13 13
제6항에 있어서,상기 스퍼터링은 50 내지 300 W의 전력을 인가하여 수행하는 것인 투명 전도성 박막의 제조방법
14 14
제6항에 있어서,상기 스퍼터링으로 형성된 박막은 캐리어 농도가 2
15 15
제6항에 있어서,상기 열처리는 100 내지 300 ℃에서 수행하는 것인 투명 전도성 박막의 제조방법
16 16
제1항의 투명 전도성 박막을 포함하는 평판 디스플레이용 투명 전극
17 17
제1항의 투명 전도성 박막을 포함하는 박막 트랜지스터용 채널층
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.