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기재가 로딩되는 기재 로딩부;상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 이동시키는 기재 수송부;상기 기재 수송부의 하단에 구비되어 상기 기재를 가열하는 가열부; 및,상기 기재에 제 1 박막 및/또는 제 2 박막을 형성하는 박막 증착부를 포함하는 박막 증착 장치로서, 상기 박막 증착부는 소스부 및 상기 소스부의 양측에 위치하는 두 개의 반응 플라즈마부를 포함하는 플라즈마 모듈을 포함하는 것이고,상기 두 개의 반응 플라즈마부 각각은 각각이 상기 제 1 박막 및 상기 제 2 박막을 형성하도록 서로 분리된 제 1 반응가스 공급부 및 제 2 반응가스 공급부와 연결되며,상기 반응 플라즈마부와 상기 제 1 반응가스 공급부 및 상기 제 2 반응가스 공급부 각각과의 연결을 선택적으로 전환시키는 제어 밸브에 의해 제 1 반응가스와 제 2 반응가스가 상기 반응 플라즈마부에 선택적으로 공급되, 상기 제 1 반응가스 공급부로부터 제 1 반응가스만이 상기 반응 플라즈마부에 공급되면 상기 기재에 상기 제 1 박막이 증착되고, 상기 제 2 반응가스 공급부로부터 제 2 반응가스만이 상기 반응 플라즈마부로 공급되면 상기 기재에 상기 제 2 박막이 증착되며,상기 소스부는 소스가스를 플라즈마화하여 공급하고,상기 반응 플라즈마부는 상기 제 1 반응가스 공급부 및 상기 제 2 반응가스 공급부 각각으로부터 공급되는 상기 제 1 반응가스와 상기 제 2 반응가스를 플라즈마화하여 공급하며,플라즈마화된 상기 제 1 반응가스 및 플라즈마화된 상기 제 2 반응가스 중 하나와 플라즈마화된 상기 소스가스는 동시에 공급되는 것인,박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 소스부는 실리콘(Si) 전구체 또는 금속 전구체를 포함하는 소스가스를 공급하는 것인, 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 반응가스는 N2, H2, NH3, Ar, O2, O3, CO2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 제 1 반응가스를 플라즈마 처리하는 것인, 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 반응가스는 CnH2n+2(n은 1 이상의 정수임)의 탄화수소 기체와 공기, O2, O3, CO2, 또는 N2O의 혼합 기체로부터 선택되는 제 2 반응가스를 플라즈마 처리하는 것인, 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 가열부는 상기 기재를 400℃ 이하의 온도에서 가열하는 것인, 박막 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 박막 및 상기 제 2 박막은 유연성 박막을 포함하는 것인, 박막 증착 장치
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기재가 로딩되는 기재 로딩부;상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 이동시키는 기재 수송부;상기 기재 수송부의 하단에 구비되어 상기 기재를 가열하는 가열부; 및,상기 기재에 제 1 박막 및/또는 제 2 박막을 형성하는 박막 증착부를 포함하는, 박막 증착 장치에서,플라즈마 모듈의 소스부를 통하여 상기 기재에 소스가스의 공급과 동시에, 상기 플라즈마 모듈의 반응 플라즈마부에 서로 분리되어 연결된 제 1 반응가스 공급부와 제 2 반응가스 공급부 각각을 통하여 제 1 반응가스와 제 2 반응가스를 선택적으로 공급함으로써, 상기 반응 플라즈마부가 상기 기재에 상기 제 1 박막과 상기 제 2 박막을 선택적으로 증착하는 것을 포함하되, 상기 제 1 반응가스 공급부로부터 제 1 반응가스만이 상기 반응 플라즈마부에 공급되면 상기 기재에 상기 제 1 박막이 증착되고, 상기 제 2 반응가스 공급부로부터 제 2 반응가스만이 상기 반응 플라즈마부로 공급되면 상기 기재에 상기 제 2 박막이 증착되며,상기 소스부는 소스가스를 플라즈마화하여 공급하고,상기 반응 플라즈마부는 상기 제 1 반응가스 공급부 및 상기 제 2 반응가스 공급부 각각으로부터 공급되는 상기 제 1 반응가스와 상기 제 2 반응가스를 플라즈마화하여 공급하며,플라즈마화된 상기 제 1 반응가스 및 플라즈마화된 상기 제 2 반응가스 중 하나와 플라즈마화된 상기 소스가스는 동시에 공급되는 것인, 박막 증착 방법
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제 9 항에 있어서,상기 소스가스는 실리콘(Si) 전구체 또는 금속 전구체를 포함하는 것인, 박막 증착 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 반응가스는 N2, H2, NH3, Ar, O2, O3, CO2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 박막 증착 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 2 반응가스는 CnH2n+2(n은 1 이상의 정수임)의 탄화수소 기체와 공기, O2, O3, CO2, 또는 N2O의 혼합 기체로부터 선택되는 제 2 반응가스를 플라즈마 처리하는 것인, 박막 증착 방법
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제 9 항에 있어서,상기 기재를 상기 소스가스의 열분해 온도 이하로 가열함으로써 상기 소스가스와 상기 제 1 반응가스 또는 상기 제 2 반응가스가 상기 기재의 표면에서 반응하여 상기 기재에 상기 제 1 박막 및/또는 상기 제 2 박막을 형성하는 것인, 박막 증착 방법
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제 15 항에 있어서,상기 기재를 400℃ 이하의 온도에서 가열하는 것을 추가 포함하는 것인, 박막 증착 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 박막 및 상기 제 2 박막은 유연성 박막을 포함하는 것인, 박막 증착 방법
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