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시편을 여기시키는 단계;상기 시편에서 발광된 빛을 스캔하여 측정광을 획득하는 단계; 상기 측정광을 분광기로 전달하는 단계; 상기 전달된 측정광을 분광기를 이용하여 선측정하거나 또는 면측정하여 광학정보를 획득하는 단계; 및 상기 광학정보를 CCD(전자결합소자)를 이용하여 CCD 이미지를 획득하여 광학정보를 처리하는 단계;를 포함하고,상기 광학정보를 처리하는 단계는, CCD(전자결합소자)를 이용하여 상기 선측정하여 획득한 광학정보의 CCD 이미지 또는 상기 면측정하여 획득한 광학정보 CCD 이미지를 획득하고,상기 선측정하여 획득한 광학정보의 CCD 이미지 및 상기 면측정하여 획득한 광학정보 CCD 이미지 이 둘을 이용하여 반도체를 검사하고 분석하는 단계;를 더 포함하는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서,상기 선측정하여 광학정보를 획득하는 단계는, 상기 측정광이 분광기로 전달될 때, 상기 분광기의 수직형 입구슬릿으로 X축 방향을 가리고, Y축 방향의 공간정보를 수집하고, 상기 수집된 정보를 상기 분광기의 회절 격자로 분광하는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제2항에 있어서,상기 슬릿의 폭은 30 ㎛ 내지 3 mm인 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서,상기 광학정보를 처리하는 단계는, 상기 선측정하여 광학정보를 획득하는 단계에서 분광된 광학정보를 이용하여 X축 방향의 파장 및 Y축 방향의 공간으로 이루어진 CCD 이미지를 획득하는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서,상기 면측정하여 광학정보를 획득하는 단계는, 상기 측정광이 분광기로 전달될 때, 상기 분광기의 입구슬릿 없이 상기 측정광의 정보를 수집하고
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제1항에 있어서,상기 면측정하여 광학정보를 획득하는 단계는, 반도체 소자의 적어도 일부분에 대한 점등여부 또는 점등 지속시간의 분석에 이용되는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서상기 광학정보를 처리하는 단계는, 상기 면측정하여 광학정보를 획득하는 단계의 분광을 거치지 않은 정보를 CCD를 이용하여 X축 방향의 공간 및 Y축 방향의 공간으로 이루어진 CCD 이미지를 획득하는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서,상기 CCD 이미지에서 한 개의 X축 방향의 픽셀수(i)에 대한 Y축 방향의 픽셀수(j) 전체는, 선측정하여 광학정보를 획득하는 단계를 1회 실시하여 획득되는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서, 상기 CCD 이미지의 X축 방향의 픽셀수(i) 및 Y축 방향의 픽셀수(j)는, 각각 100 내지 100000개인 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서,상기 측정광을 획득하는 단계는, 시편에서 발광된 빛을 광학렌즈를 이용하여 스캔하여 측정광을 획득하고, 상기 측정광을 획득하는 단계는, XY 방향으로 시편을 이동시켜 스캔하는 방법; 회전 스테이지에 고정된 시편을 회전하여 일방향으로 이동시켜 스캔하는 방법; 시편을 고정하고 광학렌즈를 이동시켜 스캔하는 방법; 및 갈바노 미러를 이용하여 시편에서 여기광의 주입 위치를 변화시켜 스캔하는 방법; 중 하나 이상을 이용하는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제10항에 있어서,상기 광학렌즈는, 마크로 렌즈 또는 대물 렌즈인 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서,상기 측정광을 분광기로 전달하는 단계는, F1 초점거리의 광학렌즈 및 F2 초점거리의 광학렌즈를 이용하여 측정광 빔의 단면적을 증폭시켜 상기 분광기에 측정광을 전달하고, 상기 F1 초점거리 및 F2 초점거리는 서로 상이하고,상기 F1 초점거리의 광학렌즈 및 F2 초점거리의 광학렌즈 중 초점거리가 더 큰 광학렌즈가 상기 분광기에 근접하게 배치되는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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제1항에 있어서,상기 시편을 여기시키는 단계는, 빔 직경(dfov)1 ㎛ 내지 300 mm의 평행광으로 상기 시편에 전달되는 여기광을 이용하는 것인, 반도체의 고속 광학 검사방법
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