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금속 나노 막대, 그리고상기 금속 나노 막대에 이온 결합되며, 검출 대상 이온에 배위결합할 수 있는 이온 킬레이터(ion chelator), 그리고상기 금속 나노 막대에 결합된 SH-PEG-COOH를 포함하며,상기 금속 나노 막대의 종횡비는 3:1 내지 10:1이고, 상기 이온 킬레이터는 하기 화학식 2 내지 7로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노 막대의 상기 금속은 금, 은, 구리, 알루미늄, 백금, 실리콘, 게르마늄, 이들의 합금 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 1 항에 있어서,상기 금속 나노 막대의 형태는 원기둥, 사각기둥, 삼각기둥, 오각기둥, 육각기둥, 팔각기둥, 타원구, 반타원구, 타원구의 일부분, 사각뿔, 사각쌍뿔, 사각뿔대, 삼각뿔, 삼각쌍뿔, 삼각뿔대, 원뿔, 원뿔대, 링 및 이들의 조합 형태로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 1 항에 있어서,상기 이온 킬레이터는 상기 검출 대상 이온에 배위결합되면 상기 금속 나노 막대와의 이온 결합이 끊어지는 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 1 항에 있어서,상기 이온 킬레이터는 상기 검출 대상 이온에 배위결합할 수 있는 전자 주게 치환기(electron donation group)를 포함하는 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 7 항에 있어서,상기 전자 주게 치환기는 -SH, -NH2, -NR2, -OH, -OR, -NHC(O)R, -OC(O)R 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 치환기(여기서, R은 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다)인 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 1 항에 있어서,상기 검출 대상 이온은 철, 망간, 아연, 구리, 요오드, 코발트, 몰리브덴, 셀리늄, 크롬, 실리콘, 플루오르, 바나듐, 니켈, 비소, 납, 수은, 카드뮴, 칼슘, 마그네슘 및 주석으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 이온인 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 1 항에 있어서,상기 프로브는 상기 금속 나노 막대 100 중량부에 대하여 상기 이온 킬레이터를 1 내지 10000 중량부로 포함하는 것인 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브
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제 1 항에 따른 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브를 검출 대상 이온으로 처리하는 단계, 및 상기 금속 나노 막대의 국소 표면 플라즈몬 공명 변화를 측정하는 단계를 포함하는 국소 표면 플라즈몬 공명을 이용한 이온 검출 방법
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제 1 항에 따른 이온 검출을 위한 국소 표면 플라즈몬 공명 센서용 프로브,상기 프로브에 광을 입사시키는 광원부, 그리고상기 프로브의 국소 표면 플라즈몬 공명 변화를 측정하는 수광부를 포함하는 국소 표면 플라즈몬 공명을 이용한 이온 검출 센서
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제 13 항에 있어서,상기 금속 나노 막대는 기판 상에 형성되어 있는 것인 국소 표면 플라즈몬 공명을 이용한 이온 검출 센서
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