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열적 습식 산화 공법을 이용한 양자 우물의 밴드갭 제어 방법(METHOD OF CONTROLLING BANDGAP OF QUANTUM WELL USING WET THERMAL OXIDATION)

  • 기술번호 : KST2018001029
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자 우물(quantum well)의 밴드갭(bandgap) 제어 방법은, 갈륨비소(GaAs)층 및 인듐갈륨비소(InGaAs)층을 포함하는 양자 우물 구조상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 유전체 박막을 형성하는 단계; 및 상기 유전체 박막을 형성하는 단계 후에, 상기 양자 우물 구조, 상기 산화막 및 상기 유전체 박막을 열처리하는 단계를 포함한다. 상기 양자 우물의 밴드갭 제어 방법에서는, 산화막 위에서 양자 우물 혼합(quantum well intermixing)을 위한 유전체의 증착 및 열처리가 수행되므로, 실리콘(Si) 불순물이 생성되거나 양자 우물에 응력이 가해지는 기존의 문제를 해결할 수 있으며, 산화막 생성 온도를 변화시키는 것에 의하여 밴드갭의 변화 정도를 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 29/12 (2016.08.18) H01L 21/02 (2016.08.18) H01L 21/324 (2016.08.18) H01L 31/0352 (2016.08.18) H01L 31/0304 (2016.08.18)
CPC H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01)
출원번호/일자 1020160091353 (2016.07.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0009545 (2018.01.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.07.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원준 대한민국 서울특별시 성북구
2 김상현 대한민국 서울특별시 성북구
3 윤예슬 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0699195-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0124099-88
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0582587-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1043692-29
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1043693-75
7 등록결정서
Decision to grant		 2018.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0114897-83
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번호 청구항
1 1
갈륨비소(GaAs)층 및 인듐갈륨비소(InGaAs)층을 포함하는 양자 우물 구조상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 유전체 박막을 형성하는 단계; 및 상기 유전체 박막을 형성하는 단계 후에, 상기 양자 우물 구조, 상기 산화막 및 상기 유전체 박막을 열처리하는 단계를 포함하되,상기 산화막을 형성하는 단계는, 달성하고자 하는 밴드갭 변화 정도에 기초하여 산화막의 생성 온도를 변화시키는 단계를 포함하는 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 산화막을 형성하는 단계는, 상기 양자 우물 구조를 열적 습식 산화 공법에 의해 산화시키는 단계를 포함하는 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 열적 습식 산화 공법에 의해 산화시키는 단계는 400℃ 내지 550℃의 반응 온도에서 수행되는 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 열적 습식 산화 공법에 의해 산화시키는 단계는 질소(N2) 분위기에서 수행되는 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 유전체 박막을 형성하는 단계는, 플라즈마 이용 화학기상증착을 이용하여 상기 산화막상에 유전체를 증착하는 단계를 포함하는 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 열처리하는 단계는, 상기 양자 우물 구조, 상기 산화막 및 상기 유전체 박막을 퍼니스(furnace) 내에서 가열하는 단계를 포함하는 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 열처리하는 단계 후에, 상기 유전체 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 양자 우물의 밴드갭 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)옵토웰 산업기술융합원천기술개발사업 광전변환효율이 60%이상이 되는 960nm, 975nm 대역의 20W급 고출력 펌핑용 반도체 레이저 칩 개발