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다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 데이터 저장 장치(Multi-layered magnetic thin film stack and data storage device having the same)

  • 기술번호 : KST2018001520
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층 자기 박막 스택 및 전자 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 정보 저장 요소로서 금속 산화물 층을 포함하는 터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 전자 장치이다. 상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, 상기 금속 산화물층과 접하는 제 1 면을 갖는 철(Fe) 층; 및 상기 철층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 접하는 코발트(Co) 층을 을 포함하는 이중 자성층 구조를 포함한다.
Int. CL H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/02 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 43/12 (2006.01.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020160097585 (2016.07.29)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0013629 (2018.02.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190176056;
심사청구여부/일자 Y (2017.11.17)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박완준 대한민국 서울특별시 성동구
2 길준표 대한민국 서울특별시 성동구
3 최원준 대한민국 서울특별시 관악구
4 김국천 대한민국 경기도 여주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0743529-67
2 보정요구서
Request for Amendment		 2016.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0119403-92
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0775188-85
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1147633-52
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2018-0012119-38
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0130534-35
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0414154-25
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0520831-36
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0635320-81
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0635284-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0762456-73
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-1199715-29
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.11.21 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2019-1199764-56
17 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2019.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0852873-32
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0853530-66
19 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2019-1346389-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 산화물 층;상기 금속 산화물층과 접하는 제 1 면을 갖는 철(Fe) 층; 및상기 철 층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 접하는 코발트(Co) 층을 포함하는 다층 자기 박막 스택
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 층은, 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 산화물(Al2O3), 타이타늄 산화물(TiO2), 알루미늄 질화물(AlN), 루테늄 산화물(RuO2), 스트론튬 산화물(SrO), 칼슘 산화물(CaO2), 하프늄 산화물(HfO2), 탄탈륨 산화물(Ta2O5), 지르코늄 산화물(ZrO2), 및 실리콘 산화물(SiO2) 중 어느 하나, 이의 혼합물 또는 이의 적층 박막을 포함하는 다층 자기 박막 스택
3 3
제 2 항에 있어서,상기 철 층의 상기 1 면에서는, 철의 3d 오비탈과 상기 금속 산화물 층의 산소의 2p 오비탈 사이의 혼성 결합이 이루어지는 다층 자기 박막 스택
4 4
제 1 항에 있어서,상기 철 층은 밀러 지수 (001) 방향의 텍스쳐 또는 우선 배향면을 갖도록 결정화된 단결정 또는 다결정의 결정 구조를 갖는 다층 자기 박막 스택
5 5
제 4 항에 있어서,상기 코발트 층은 상기 철 층을 따라 밀러 지수 (001) 방향의 텍스쳐 또는 우선 배향면을 갖도록 결정화된 단결정 또는 다결정의 결정 구조를 갖는 다층 자기 박막 스택
6 6
제 1 항에 있어서,상기 철 층과 상기 코발트 층의 총 두께는 0
7 7
제 1 항에 있어서,상기 철 층의 두께는 0
8 8
제 1 항에 있어서,상기 철 층의 두께(t1)는 상기 코발트 층의 두께(t2)보다 더 크고,상기 철 층과 상기 코발트 층의 총 두께(t1 + t2)에 대한 상기 철 층의 두께(t1)의 비율(t1 / (t1+t2))은 0
9 9
제 1 항에 있어서,상기 코발트 층의 하지에 씨드층을 더 포함하는 다층 자기 박막 스택
10 10
제 9 항에 있어서,상기 씨드층은 순차 형성된 탄탈륨 층/루테늄 층/탄탈륨 층의 적층 구조를 포함하는 다층 자기 박막 스택
11 11
정보 저장 요소로서 금속 산화물 층을 포함하는 터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 전자 장치로서,상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, 상기 금속 산화물층과 접하는 제 1 면을 갖는 철(Fe) 층; 및상기 철층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 접하는 코발트(Co) 층을 포함하는 이중 자성층 구조를 포함하는 전자 장치
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 금속 산화물 층은, 마그네슘 산화물(MgO), 알루미늄 산화물(Al2O3), 타이타늄 산화물(TiO2), 알루미늄 질화물(AlN), 루테늄 산화물(RuO2), 스트론튬 산화물(SrO), 칼슘 산화물(CaO2), 하프늄 산화물(HfO2), 탄탈륨 산화물(Ta2O5), 지르코늄 산화물(ZrO2), 및 실리콘 산화물(SiO2) 중 어느 하나, 이의 혼합물 또는 이의 적층 박막을 포함하는 전자 장치
13 13
제 12 항에 있어서,상기 철 층의 상기 1 면에서는, 철의 3d 오비탈과 상기 금속 산화물 층의 산소의 2p 오비탈 사이의 혼성 결합이 이루어지는 전자 장치
14 14
제 11 항에 있어서,상기 철 층은 밀러 지수 (001) 방향의 텍스쳐 또는 우선 배향면을 갖도록 결정화된 단결정 또는 다결정의 결정 구조를 갖는 전자 장치
15 15
제 14 항에 있어서,상기 코발트 층은 상기 철 층을 따라 밀러 지수 (001) 방향의 텍스쳐 또는 우선 배향면을 갖도록 결정화된 단결정 또는 다결정의 결정 구조를 갖는 전자 장치
16 16
제 11 항에 있어서,상기 철 층과 상기 코발트 층의 총 두께는 0
17 17
제 11 항에 있어서,상기 철 층의 두께는 0
18 18
제 11 항에 있어서,상기 철 층의 두께(t1)는 상기 코발트 층의 두께(t2)보다 더 크고, 상기 철 층과 상기 코발트 층의 총 두께(t1 + t2)에 대한 상기 철 층의 두께(t1)의 비율(t1 / (t1+t2))은 0
19 19
제 11 항에 있어서,상기 코발트 층의 하지에 씨드층을 더 포함하는 전자 장치
20 20
제 19 항에 있어서,상기 씨드층은 순차 형성된 탄탈륨 층/루테늄 층/탄탈륨 층의 적층 구조를 포함하는 전자 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.