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원자층 증착 공정 및 급속광소결 공정을 이용한 유연기판 패턴 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 형성장치(METHOD FOR FORMING A PATTERN ON A FLEXIBLE SUBSTRATE USING ALD AND IPL AND AN APPARATUS FOR PERFORMING THE METHOD)

  • 기술번호 : KST2018002085
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자층 증착 공정 및 급속광소결 공정을 이용한 유연기판 패턴 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 패턴 형성장치에서, 상기 유연기판 패턴 형성 방법은 유연기판 상에 금속패턴을 형성하는 단계, 상기 금속패턴이 형성된 유연기판 상에 자기조합단층박막을 형성하는 단계, 상기 자기조합단층박막이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성하는 단계, 상기 자기조합단층박막을 상기 금속패턴으로부터 제거하는 단계, 및 상기 자기조합단층박막의 제거로 노출된 금속패턴을 제거하거나 또는 소결하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/768 (2016.09.21) H01L 21/02 (2016.09.21) H01L 21/28 (2016.09.21) H01L 21/56 (2016.09.21) H01L 51/00 (2016.09.21) H01L 21/306 (2016.09.21) H01L 21/3213 (2016.09.21)
CPC H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01) H01L 21/76816(2013.01)
출원번호/일자 1020160103826 (2016.08.16)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0019450 (2018.02.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승현 대한민국 대전광역시 유성구
2 이택민 대한민국 대전광역시 유성구
3 우규희 대한민국 경기도 고양시 일산동구
4 장윤석 대한민국 대전광역시 서구
5 김광영 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김민태 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0793946-09
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0804625-17
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0317258-08
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0118643-20
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0557346-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0942919-62
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0942920-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
10 등록결정서
Decision to grant
2018.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0006707-72
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번호 청구항
1 1
유연기판 상에 금속패턴을 형성하는 단계;상기 금속패턴 상에 자기조합단층박막을 형성하는 단계;상기 유연기판 상에서 상기 자기조합단층박막이 형성되지 않은 영역에 원자층을 형성하는 단계;상기 자기조합단층박막을 상기 금속패턴의 상면으로부터 제거하는 단계; 및상기 자기조합단층박막의 제거로 노출된 금속패턴을 제거하거나 또는 소결하는 단계를 포함하는 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 자기조합단층박막을 형성하는 단계에서,상기 자기조합단층박막은 슬롯다이코팅 또는 롤코팅으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 자기조합단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 자기조합단층박막은 상기 금속패턴 전면에 형성되거나, 또는 상기 금속패턴의 일부면에 선택적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 금속패턴을 제거하거나 소결하는 단계는, 상기 자기조합단층박막의 제거로 노출된 금속패턴으로 식각액을 제공하는 단계; 및상기 식각액의 제공에 따라 금속패턴이 제거되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 자기조합단층박막이 상기 금속패턴의 일부면에 선택적으로 형성되는 경우, 상기 식각액은 상기 노출된 금속패턴을 통해 상기 유연기판 상에 형성된 금속패턴 전체에 제공되어, 상기 금속패턴이 전체적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 금속패턴을 제거하거나 소결하는 단계는, 상기 자기조합단층박막의 제거로 노출된 금속패턴을 환원하는 단계; 및상기 금속패턴의 환원에 따라 전극이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 금속패턴을 환원하는 단계는, 상기 금속패턴을 급속광(intense pulsed light: IPL)소결하여 금속을 환원하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 자기조합단층박막이 상기 금속패턴의 일부면에 선택적으로 형성되는 경우, 상기 급속광은 상기 노출된 금속패턴을 통해 상기 유연기판 상에 형성된 금속패턴 전체에 제공되어, 상기 금속패턴이 전체적으로 소결되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 원자층을 형성하는 단계에서, 상기 원자층은 원자층증착 공정으로 형성되고, 상기 원자층은 상기 자기조합단층박막이 형성되지 않은 영역에만 증착되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 자기조합단층박막을 제거하는 단계에서, 상기 자기조합단층박막 및 상기 원자층이 형성된 상기 유연기판으로 자외선 또는 플라즈마를 제공하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 자기조합단층박막은 상기 금속패턴에 포함된 금속에 친화성이 있는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법
12 12
유연기판 상에 금속 패턴을 형성하는 인쇄유닛;상기 금속 패턴이 형성된 상기 유연기판 상에 자기조합단층박막을 형성하는 코팅유닛;상기 자기조합단층박막이 형성된 유연기판 상에 원자층을 형성하는 증착유닛; 상기 자기조합단층박막을 상기 금속 패턴으로부터 제거하는 제거유닛; 및상기 자기조합단층박막의 제거로 노출된 금속패턴을 제거하는 식각유닛 또는 상기 자기조합단층박막의 제거로 노출된 금속패턴을 소결하는 광소결 유닛을 포함하는 패턴 형성장치
13 13
제12항에 있어서, 상기 패턴 형성장치는,상기 금속 패턴을 건조하는 제1 건조유닛; 및상기 자기조합단층박막을 건조하는 제2 건조유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성장치
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패밀리정보가 없습니다
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