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일면에 나노 구조체를 가지는 스탬프를 준비하고, 상기 일면에 이방성 진공 증착으로 마스크층을 형성하는 마스크층 형성단계;기판 위에 금속막을 형성하는 금속막 형성단계;상기 마스크층 중 상기 나노 구조체 위에 위치하는 마스크층을 상기 금속막 위로 전사하는 마스크층 전사단계; 그리고상기 금속막 중 상기 마스크층으로 덮이지 않은 영역을 제 1 식각 가스로 건식 식각하여 상기 금속막을 금속패턴으로 패터닝 하는 금속막 패터닝단계;를 포함하며,상기 금속막 위에 접착 프라이머를 포함하는 접착층을 형성하는 접착층 형성단계를 더 포함하고,상기 마스크층은 상기 접착층의 위에 전사되며,상기 금속막 위에 상기 금속막 및 상기 마스크층과 다른 종류의 금속으로 구성되는 하드 마스크층을 형성하는 하드 마스크층 형성단계를 더 포함하며,상기 접착층은 상기 하드 마스크층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체의 주기는 200nm 내지 800nm의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 마스크층은 실리콘질화물, 폴리실리콘, 실리콘산화물, 알루미늄, 구리, 금, 텅스텐, 티타늄, 티타늄-텅스텐, 알루미늄산화물 및 유기물 중 어느 하나의 물질로 구성된 단일막 또는 상술된 물질의 적층막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속막은 금속박막층과 비금속박막층이 교대로 적층되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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삭제
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 하드 마스크층을 식각하는 제 2 식각 가스에 대한 상기 하드 마스크층 대비 상기 마스크층의 식각 비율은 1 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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제 7 항에 있어서,상기 마스크층은 상기 하드 마스크층 위에 전사되며,상기 금속막 패터닝 단계는 상기 제 2 식각 가스를 이용하여 상기 하드마스크층을 건식 식각하는 제 1 식각단계와, 상기 제 1 식각 가스를 이용하여 상기 금속막을 건식 식각하는 제 2 식각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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9
제 8 항에 있어서,상기 제 2 식각과정에서는 상기 마스크층 중 제 1 식각과정에서 식각되지 않은 상기 마스크층의 잔여층과, 상기 하드 마스크층의 일부가 식각으로 제거되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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10
제 1 항 내지 제 4 항 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 마스크층은 적어도 하나의 마스크 물질층과, 적어도 두 개의 기능층을 포함하는 다층막 구조로 형성되고,상기 기능층은 상기 스탬프의 표면과 접하는 이형층과, 상기 마스크 물질층 위에 형성된 접착 강화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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11
제 10 항에 있어서,상기 이형층의 재질은 금속으로 구성되며,상기 마스크 물질층의 재질은 무기물 또는 상기 이형층 및 상기 금속막과 다른 종류의 금속으로 구성되고,상기 접착 강화층의 재질은 상기 금속막과 같은 종류의 금속으로 구성되며,상기 이형층을 구성하는 재질에 따라 상기 마스크층 전사단계에서 상기 마스크층은 상기 이형층을 포함하여 상기 스탬프로부터 이형되거나, 상기 이형층을 포함하지 않고 상기 스탬프로부터 이형되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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12
제 10 항에 있어서,상기 마스크 물질층은 제 1 마스크 물질층, 제 2 마스크 물질층 및 상기 제 1 마스크 물질층과 상기 제 2 마스크 물질층 사이에 형성되어 상기 마스크층 전체의 유연성을 높이는 유연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 스탬프는 가요성 물질로 형성되고, 상기 마스크층이 상기 기판을 향하도록 상기 기판 위에 정렬되며, 롤러에 의해 가압된 후 상기 기판으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 플라즈모닉 메타표면 제작방법
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