| 1 |
1
휘발성 메모리 셀에 데이터를 저장하는 제1 타입 메모리 모듈;내부 버스를 통해 상기 제1 타입 메모리 모듈과 연결되고, 비휘발성 메모리 셀에 데이터를 저장하는 제2 타입 메모리 모듈; 및상기 내부 버스에 연결되고, 상기 제1 타입 메모리 모듈과 상기 제2 타입 메모리 모듈 사이에서 데이터 스왑(swap)을 직접(directly) 수행하는 스왑 관리 회로를 포함하고,상기 제1 타입 메모리 모듈, 상기 제2 타입 메모리 모듈 및 상기 스왑 관리 회로는 하나의 이종 메모리 모듈을 형성하고,상기 스왑 관리 회로는 상기 이종 메모리 모듈 내부에서 자동적으로(automatically) 동작하는 반도체 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 스왑 관리 회로는 상기 이종 메모리 모듈 외부의 DMA 모듈을 통하지 않고, 상기 제1 타입 메모리 모듈과 상기 제2 타입 메모리 모듈 사이에서 직접 데이터 스왑을 수행하는 반도체 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 스왑 관리 회로는 상기 이종 메모리 모듈 외부의 커널(kernel)로부터 스왑 요청을 수신하고, 상기 스왑 요청에 따라 상기 제2 타입 메모리 모듈로부터 상기 제1 타입 메모리 모듈로 데이터를 스왑 인(swap-in)하는 반도체 장치
|
| 4 |
4
휘발성 메모리 셀에 데이터를 저장하는 제1 타입 메모리 모듈;내부 버스를 통해 상기 제1 타입 메모리 모듈과 연결되고, 비휘발성 메모리 셀에 데이터를 저장하는 제2 타입 메모리 모듈;상기 내부 버스에 연결되고, 상기 제1 타입 메모리 모듈과 상기 제2 타입 메모리 모듈 사이에서 데이터 스왑(swap)을 직접(directly) 수행하는 스왑 관리 회로; 및페이지 맵(page map)의 액세스 패턴에 따라 상기 제2 타입 메모리 모듈에서 스왑 대상 데이터를 선택하여 상기 스왑 관리 회로에 제공하는 대상 선택 모듈을 포함하는 반도체 장치
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 대상 선택 모듈이 상기 제2 타입 메모리 모듈에서 스왑 대상 데이터를 선택하기 위해 사용되는 하나 이상의 알고리즘을 선택하는 알고리즘 선택 모듈을 더 포함하는 반도체 장치
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 알고리즘 선택 모듈이 상기 제2 타입 메모리 모듈에서 스왑 대상 데이터를 선택하기 위한 하나 이상의 알고리즘을 제공하는 알고리즘 제공 모듈을 더 포함하는 반도체 장치
|
| 7 |
7
제5항에 있어서,상기 알고리즘 선택 모듈은 페이지 맵(page map)의 액세스 패턴 정보를 포함하는 메타 데이터를 입력받고,상기 액세스 패턴에 기초하여 선택한 상기 하나 이상의 알고리즘을 상기 대상 선택 모듈에 제공하는 반도체 장치
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 페이지 맵은 계층적 페이지 매핑 정책(hierarchical page maping policy)에 따른 계층적 구조를 포함하는 반도체 장치
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 메타 데이터는 제1 메타 데이터 및 제2 메타 데이터를 포함하고,상기 제1 메타 데이터의 길이는 상기 제2 메타 데이터의 길이보다 긴 반도체 장치
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 제1 메타 데이터는 상기 페이지 맵의 제1 계층에 해당하는 제1 페이지 맵으로부터 생성되고, 상기 제2 메타 데이터는 상기 페이지 맵의 제2 계층에 해당하는 제2 페이지 맵으로부터 생성되는 반도체 장치
|
