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병렬화 기법을 활용하는 플래시 메모리 칩

  • 기술번호 : KST2015136443
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 병렬화 기법을 활용하는 플래시 메모리 칩이 개시된다. 일 실시예는 플래시 메모리 소자들로 구성된 복수의 메모리 플레인들, 플래시 메모리 컨트롤러로부터 전송된 복수의 명령들을 저장하는 명령 저장부, 플래시 메모리 컨트롤러와 복수의 메모리 플레인들 사이에 전송되는 데이터를 저장하는 데이터 저장부, 및 복수의 명령들에 기초하여 복수의 플래시 메모리 연산들을 병렬화하기 위하여 명령 저장부, 데이터 저장부, 및 복수의 메모리 플레인들을 제어하는 병렬화 제어부를 포함한다.
Int. CL G11C 16/06 (2006.01.01) G06F 12/02 (2018.01.01) G06F 13/16 (2006.01.01) G11C 7/10 (2015.01.01)
CPC G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01) G11C 16/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130062822 (2013.05.31)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1457802-0000 (2014.10.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.31)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신범주 대한민국 서울특별시 강동구
2 민상렬 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0488163-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0019973-62
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0215951-04
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0498586-09
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0498585-53
7 등록결정서
Decision to grant
2014.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0723897-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
병렬화 기법을 활용하는 플래시 메모리 칩에 있어서,플래시 메모리 소자들로 구성된 복수의 메모리 플레인들;플래시 메모리 컨트롤러로부터 전송된 복수의 명령들을 저장하는 명령 저장부;상기 플래시 메모리 컨트롤러와 상기 복수의 메모리 플레인들 사이에 전송되는 데이터를 저장하는 데이터 저장부; 및상기 복수의 명령들에 기초하여 미리 정해진 복수의 병렬화 기법들 중 어느 하나의 병렬화 기법을 선택하고, 상기 선택된 병렬화 기법에 따라 복수의 플래시 메모리 연산들을 병렬화하기 위하여 상기 명령 저장부, 상기 데이터 저장부, 및 상기 복수의 메모리 플레인들을 제어하는 병렬화 제어부를 포함하고,상기 복수의 명령들 각각은 명령을 식별하기 위한 태그를 포함하며, 상기 병렬화 제어부는 상기 태그에 기초하여 상기 복수의 명령들의 진행 상태를 확인하는 플래시 메모리 칩
2 2
제1항에 있어서,상기 미리 정해진 복수의 병렬화 기법들은 파이프라인 기법, 데이터 병렬화 기법, 및 파이프라인 기법과 데이터 병렬화 기법이 조합된 기법 중 적어도 하나를 포함하는 플래시 메모리 칩
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 명령들 각각은 명령의 유형 및 상기 명령의 대상 주소를 포함하고, 상기 병렬화 제어부는 상기 명령의 유형 및 상기 명령의 대상 주소에 기초하여 상기 어느 하나의 병렬화 기법을 선택하는 플래시 메모리 칩
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 명령 저장부는 상기 복수의 명령들이 수신된 순서에 따라 상기 복수의 명령들을 저장하는 명령 큐를 포함하고,상기 플래시 메모리 컨트롤러는 상기 복수의 명령들을 미리 정해진 순서에 따라 순차적으로 하나씩 전송하는 플래시 메모리 칩
6 6
제1항에 있어서,상기 복수의 명령들은 쓰기 명령, 읽기 명령, 및 지우기 명령을 포함하는 그룹에서 선택된 명령들의 시퀀스를 포함하는 플래시 메모리 칩
7 7
제1항에 있어서,상기 데이터 저장부는상기 복수의 메모리 플레인들에 대응되는 복수의 레지스터들을 포함하는 플래시 메모리 칩
8 8
제1항에 있어서,상기 복수의 메모리 플레인들은 복수의 블록들을 포함하고, 상기 복수의 블록들은 복수의 페이지들을 포함하는 플래시 메모리 칩
9 9
제1항에 있어서,상기 데이터 저장부는상기 플래시 메모리 컨트롤러와 상기 복수의 메모리 플레인들 사이에 전송되는 페이지 단위의 데이터를 저장하는 페이지 레지스터를 포함하는 플래시 메모리 칩
10 10
제1항에 있어서,상기 복수의 명령들은 제1 명령 및 제2 명령을 포함하고,상기 병렬화 제어부는 상기 제1 명령의 유형 및 상기 제2 명령의 유형을 획득하는 유형 획득부; 및상기 제1 명령의 유형이 쓰기 명령 또는 읽기 명령이고, 상기 제2 명령의 유형이 쓰기 명령 또는 읽기 명령인지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 따라 파이프라인 기법을 선택하는 병렬화 기법 선택부를 포함하는 플래시 메모리 칩
11 11
제1항에 있어서,상기 병렬화 제어부는 상기 선택된 병렬화 기법이 파이프라인 기법인 경우, 상기 데이터 저장부와 어느 하나의 메모리 플레인 사이의 데이터 전송 및 상기 플래시 메모리 컨트롤러와 상기 데이터 저장부 사이의 데이터 전송이 병렬화되도록 컨트롤 흐름 및 데이터 흐름을 제어하는 흐름 제어부를 포함하는 플래시 메모리 칩
12 12
제1항에 있어서,상기 복수의 명령들은 제1 명령 및 제2 명령을 포함하고,상기 병렬화 제어부는 상기 제1 명령의 유형 및 상기 제2 명령의 유형을 획득하는 유형 획득부;상기 제1 명령의 대상 주소 및 상기 제2 명령의 대상 주소를 획득하는 주소 획득부; 및상기 제1 명령의 유형 및 상기 제2 명령의 유형이 동일하고, 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 플레인과 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 플레인이 상이한지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 따라 데이터 병렬화 기법을 선택하는 병렬화 기법 선택부를 포함하는 플래시 메모리 칩
13 13
제12항에 있어서,상기 병렬화 기법 선택부는 상기 제1 명령의 유형 및 상기 제2 명령의 유형이 쓰기 명령 또는 읽기 명령으로 동일한 경우 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 페이지 오프셋과 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 페이지 오프셋이 일치하는지 여부를 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 데이터 병렬화 기법을 선택하는 플래시 메모리 칩
14 14
제1항에 있어서,상기 병렬화 제어부는 상기 선택된 병렬화 기법이 데이터 병렬화 기법인 경우, 상기 데이터 저장부와 상기 복수의 메모리 플레인들 사이의 복수의 데이터 전송들이 병렬화되도록 컨트롤 흐름 및 데이터 흐름을 제어하는 흐름 제어부를 포함하는 플래시 메모리 칩
15 15
제14항에 있어서,상기 흐름 제어부는 상기 선택된 병렬화 기법이 지우기 명령과 관련된 데이터 병렬화 기법인 경우 상기 복수의 메모리 플레인들에 대응되는 복수의 지우기 동작들이 병렬화되도록 컨트롤 흐름을 제어하는 플래시 메모리 칩
16 16
제1항에 있어서,상기 복수의 명령들은 제1 명령, 제2 명령, 및 제3 명령을 포함하고,상기 병렬화 제어부는 상기 제1 명령의 유형, 상기 제2 명령의 유형, 및 상기 제3 명령의 유형을 획득하는 유형 획득부;상기 제1 명령의 대상 주소 및 상기 제2 명령의 대상 주소를 획득하는 주소 획득부; 및상기 제1 명령의 유형, 상기 제2 명령의 유형, 및 상기 제3 명령의 유형이 쓰기 명령 또는 읽기 명령으로 동일하고, 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 플레인과 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 플레인이 상이하며, 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 페이지 오프셋과 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 페이지 오프셋이 일치하는지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 따라 파이프라인 기법과 데이터 병렬화 기법이 조합된 기법을 선택하는 병렬화 기법 선택부를 포함하는 플래시 메모리 칩
17 17
제1항에 있어서,상기 병렬화 제어부는 상기 선택된 병렬화 기법이 파이프라인 기법과 데이터 병렬화 기법이 조합된 기법인 경우, 상기 데이터 저장부와 상기 복수의 메모리 플레인들 사이의 복수의 데이터 전송들 및 상기 플래시 메모리 컨트롤러와 상기 데이터 저장부 사이의 데이터 전송이 병렬화되도록 컨트롤 흐름 및 데이터 흐름을 제어하는 흐름 제어부를 포함하는 플래시 메모리 칩
18 18
병렬화 기법을 활용하는 플래시 메모리 칩에 있어서,플래시 메모리 소자들로 구성된 복수의 메모리 다이들; 및병렬화 제어 다이를 포함하고,상기 병렬화 제어 다이는플래시 메모리 컨트롤러로부터 전송된 복수의 명령들을 저장하는 명령 저장부;상기 플래시 메모리 컨트롤러와 상기 복수의 메모리 다이들 사이에 전송되는 데이터를 저장하는 데이터 저장부;상기 복수의 명령들에 포함된 명령의 유형들 및 명령의 대상 주소들에 기초하여 미리 정해진 복수의 병렬화 기법들 중 적어도 어느 하나의 병렬화 기법을 활성화하는 병렬화 기법 활성화부; 및상기 활성화된 적어도 하나의 병렬화 기법에 따라 복수의 플래시 메모리 연산들을 병렬화하기 위하여 상기 명령 저장부, 상기 데이터 저장부, 및 상기 복수의 메모리 다이들과 관련된 컨트롤 흐름 및 데이터 흐름을 제어하는 흐름 제어부를 포함하는 플래시 메모리 칩
19 19
제18항에 있어서,상기 미리 정해진 복수의 병렬화 기법들은 파이프라인 기법, 데이터 병렬화 기법 또는 복수의 기능 단위들 사용 기법 중 적어도 하나를 포함하는 플래시 메모리 칩
20 20
제18항에 있어서,상기 복수의 명령들 각각은 명령을 식별하기 위한 태그를 포함하고, 상기 흐름 제어부는 상기 태그에 기초하여 상기 복수의 명령들의 진행 상태를 확인하는 플래시 메모리 칩
21 21
제18항에 있어서,상기 복수의 명령들은 제1 명령과 제2 명령을 포함하고,상기 병렬화 기법 활성화부는 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 다이 및 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 다이가 상이한지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 따라 복수의 기능 단위들 사용 기법을 활성화하는 플래시 메모리 칩
22 22
제18항에 있어서,상기 복수의 명령들은 제1 명령과 제2 명령을 포함하고,상기 병렬화 기법 활성화부는 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 다이 및 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 다이가 동일하고, 상기 제1 명령의 유형이 쓰기 명령 또는 읽기 명령이며, 상기 제2 명령의 유형이 쓰기 명령 또는 읽기 명령인지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 따라 파이프라인 기법을 활성화하는 플래시 메모리 칩
23 23
제18항에 있어서,상기 복수의 명령들은 제1 명령 및 제2 명령을 포함하고,상기 병렬화 기법 활성화부는 상기 제1 명령의 유형 및 상기 제2 명령의 유형이 동일하고, 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 다이와 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 메모리 다이가 일치하며, 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 플레인과 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 플레인이 상이한지 여부를 판단하고, 상기 판단 결과에 따라 데이터 병렬화 기법을 활성화하는 플래시 메모리 칩
24 24
제23항에 있어서,상기 병렬화 기법 활성화부는 상기 제1 명령의 유형 및 상기 제2 명령의 유형이 쓰기 명령 또는 읽기 명령으로 동일한 경우 상기 제1 명령의 대상 주소에 포함된 대상 페이지 오프셋과 상기 제2 명령의 대상 주소에 포함된 대상 페이지 오프셋이 일치하는지 여부를 비교하고, 상기 비교 결과에 따라 상기 데이터 병렬화 기법을 활성화하는 플래시 메모리 칩
25 25
제18항에 있어서,상기 흐름 제어부는 상기 활성화된 병렬화 기법이 복수의 기능 단위들 사용 기법인 경우, 상기 데이터 저장부와 상기 복수의 메모리 다이들 사이의 복수의 데이터 전송들이 병렬화 되도록 상기 컨트롤 흐름 및 상기 데이터 흐름을 제어하는 플래시 메모리 칩
26 26
제18항에 있어서,상기 흐름 제어부는 상기 활성화된 병렬화 기법이 파이프라인 기법인 경우, 상기 데이터 저장부와 어느 하나의 메모리 다이 사이의 데이터 전송 및 상기 플래시 메모리 컨트롤러와 상기 데이터 저장부 사이의 데이터 전송이 병렬화되도록 상기 컨트롤 흐름 및 상기 데이터 흐름을 제어하는 플래시 메모리 칩
27 27
제18항에 있어서,상기 흐름 제어부는 상기 활성화된 병렬화 기법이 데이터 병렬화 기법인 경우, 상기 데이터 저장부와 어느 하나의 메모리 다이에 포함된 복수의 플레인들 사이의 복수의 데이터 전송들이 병렬화되도록 상기 컨트롤 흐름 및 상기 데이터 흐름을 제어하는 플래시 메모리 칩
28 28
제27항에 있어서,상기 흐름 제어부는 상기 활성화된 병렬화 기법이 지우기 명령과 관련된 데이터 병렬화 기법인 경우 어느 하나의 메모리 다이에 포함된 복수의 메모리 플레인들에 대응되는 복수의 지우기 동작들이 병렬화되도록 상기 컨트롤 흐름을 제어하는 플래시 메모리 칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 도약연구지원사업 정확성 검증이 가능한 플래시메모리 소프트웨어